青浦区碳化硅介绍

2012年**季度，中国钢铁厂开工率较低，只有到10月份以后钢厂增加了开工率，对原料和耐火材料的消耗才略有增加，消耗了部分库存。据海关统计显示：2012年全年，中国碳化硅出口16.47万吨，同比下降23.83%，出口2.75亿美元，同比下降44.28%，出口平均价格1671.53美元/吨，同比下降26.84%。出口量价大幅度下降。全年领证量合计17.1万吨，占全年出口量的104%。生产的碳化硅主要的出口国家有美国、日本、韩国、及某些欧洲国家。从出口的20个省市分析，比2011年增加了一个新疆。出口数量在万吨以上的省市分别依次为宁夏、河南、江苏、北京、辽宁和山东，合计出口量11.8万吨，占出口总量的71.64%，市场份额分别为18.21%、12.99%、12.71%、11.4%、9.72%和6.61%，六个省市出口数量均呈下滑态势，其中宁夏同比下滑幅度较高，为32.62%；从出口单价看，同比下滑幅度较大的是辽宁，达35.3%，宁夏和江苏的单价同比下滑也高于全国平均数。μ-碳化硅较为稳定，且碰撞时有较为悦耳的声音，但直至现在，这两种型态尚未有商业上之应用。青浦区碳化硅介绍

随着全球气候变暖，“低碳”变成了当今社会的热门词语，“低碳经济”、“低碳生活方式”，甚至连较热门的房地产行业较近也推出了“低碳楼盘”。而归根到底，“低碳”的本质就是降低能耗，减少二氧化碳的排放。据统计，60%~70%的电能是在低能耗系统中使用的，而绝大多数是消耗于电力变换和电力驱动。而提高电力利用效率中，起关键作用的是功率器件，因此如何降低功率器件的能耗已成为全球性的重要课题。 在航天电子产品中，电子设备的功耗、体积和重量比地面设备更加重要，有时甚至是衡量该产品的主要指标。宝山区碳化硅批发多少钱纯碳化硅为无色，而工业生产之棕至黑色系由于含铁之不纯物。

对比热数据，全SiC模块显示出比传统硅模块更低的热阻。这是由于与Si相比，SiC具有更高的热传导率和更好的热扩散能力：在此布局中，4个SiC二极管芯片在相同的空间上代替1个硅二极管。SiC器件更低的热阻是特别重要的，因为在这种情况下硅芯片使用了21 cm2的总面积，而全SiC模块只用了10 cm2。与硅模块的通态损耗相比，全SiC模块的通态损耗更高。SiC肖特基二极管的正向压降也是这样。全SiC模块的动态损耗非常低：SiC MOSFET的开关损耗比硅IGBT低4倍，SiC肖特基二极管的损耗低8-9倍。

根据中国机床工业协会磨料磨具专委会碳化硅**人员会的数据，截至2012年底，全球碳化硅产能达260万吨以上，产能达到1万吨以上的国家有13个，占全球总产能的98%。其中中国碳化硅产能达到220万吨，占全球总产能的84%。中国碳化硅冶炼企业主要分布在甘肃、宁夏、青海、新疆、四川等地，约占总产能85%。2012年在中国经济发展速度放缓的情况下，生产情况普遍不理想，加之光伏企业举步维艰，碳化硅作为耐材、磨料和光伏行业的基础原材料，出口和内销均大幅下滑。绿碳化硅微粉加工企业更是身陷光伏企业的债务链条，多数冶炼企业没有开工，或者短暂开工后即停产。碳化硅具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能抗氧化。

在模块层面上，SiC主要有两个好处：更小的芯片尺寸和更低的动态损耗。在系统层面上，这些优势可被以多种方式利用。低动态损耗带来输出功率的明显增加，将提供减轻重量和减小体积的机会。值得一提的是，无需额外的冷却能力就可实现功率的增加。因为与硅器件相比，SiC带来实际的损耗减少，可能在相同的冷却条件下得到更高的输出功率。低的功率损耗能提高能效，允许设计高效率的逆变器，例如用于太阳能和UPS应用。此外，低动态损耗使得SiC器件非常适用于20kHz以上的较高开关频率。利用高开关频率，可以减少LC滤波器的成本和尺寸。根据所使用的芯片面积，在4kHz的低开关频率下也可以展示SiC的优点。SiC的其它优点涉及到增强的散热和正温度系数，这对并联的的SiC芯片很重要。所有这一切都使得SiC在普遍的可能应用范围内成为非常有吸引力的材料。一直沿用至今，以碳质材料为炉芯体的电阻炉，通电加热石英SiO2和碳的混合物生成碳化硅。崇明区碳化硅批发多少钱

碳化硅作为磨料，可用来做磨具，如砂轮、油石、磨头、砂瓦类等。青浦区碳化硅介绍

碳化硅、氮化镓的市场潜力还远未被全部挖掘：5G、智慧交通、新能源已经成为全球发展的方向，但作为上游材料的氮化镓、碳化硅的市场潜力其实还远未被全部挖掘。因为如果从产业链中游来看，我国第三代半导体器件市场有着巨大的增长空间，或能成为倒逼上游材料发展的一大动力。半导体产业发展至今经历了三个阶段，一代半导体材料以硅为反映;第二代半导体材料砷化镓也已经普遍应用;而以氮化镓和碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等宽禁带为反映的第三代半导体材料，相较前两代产品性能优势显着。 青浦区碳化硅介绍

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