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硅片回收基本参数
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    机械分离器包括沉降池、刮板沉降器、斜板沉降器、卧式离心机、立式离心机、管式离心机和旋流器中的一种或几种组合。碱洗所用的碱是液体或固体的金属氢氧化物,碱洗温度为常温或在50℃~120℃;酸洗所用的酸为无机酸或有机酸,或者有机酸与无机酸的混合物;所述酸是纯酸或酸溶液,温度为常温或在50℃~120℃;清洗时用洁净的清水,清洗温度为50~120℃,在清洗后再经机械分离得到碳化硅湿料。在烘干碳化硅湿料时所用的烘干方法包括:流化床干燥法、固定床干燥法;烘干温度40~150℃,烘干压力包括常压干燥和真空干燥;所述分级方法包括:筛分法和气流法分级。所述乙二醇包括乙二醇单甲醚、乙二醇二甲醚、乙二醇单、乙二醇双、乙二醇单丁醚中的一种或几种混合液;所述金属氢氧化物为氢氧化钠、氢氧化钾或碳酸钠;所述无机酸为硫酸、碳酸、硝酸、盐酸;所述有机酸为草酸、柠檬酸。 如何挑选一款适合自己的硅片回收?无锡电子设备硅片回收电话

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半导体硅片回收价格多少?关于这样呀的问题,首先要确认是哪一种硅片,半导体硅片分为太阳能级和IC级,太阳能级硅片主要用于太阳能电池发电,也称光伏电站。由多晶硅熔炉、铸锭、切片、印刷、组件成发电组件,不同效率的电池片组装成不同效率的太阳能电池组件,电池片分多晶电池片和单晶电池片两种,印刷之前的电池片为裸片和扩散片,印刷成品后的电池片市面上常见的多为三栅、五栅,也有十二栅或其它的,但主流的还是三栅和五栅,银浆打线有实线和虚线,规格两种:125*125,156*,分为N型和P型两种,由原生多晶熔炉、拉棒、切片、研磨、印制电路等复杂工艺完成IC晶圆片的制作,后期经研磨、贴膜、切割、制作成IC小方片,也就是通俗讲的蓝膜片、白膜片,经采摘、封装测试后制作成IC芯片,存储芯片、闪存芯片、安防IC、遥控IC、指纹IC、触摸IC、摄像头IC、二极管、三极管等等等等。目前从事这方面制作的大型企业有:海力士、镁光、晟碟、东芝、英特尔、三星等大型封装测试工厂。不论是太阳能电池片或者IC芯片的制作过程中,都会有半导体硅材料的废品、不良品产生,譬如研磨过程中的打磨灰,切片过程中的崩边片、缺角片,印刷过程中的色差片,低效率片,薄片、划痕片、碎片等。

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按照《从硅片切割加工副产物中回收碳化硅的方法》提供的技术方案,硅片切割加工副产物经混合均匀后,加入分离剂,用量为5~50%,混合温度为常温或在50℃~80℃(提高温度可以提高效率);用传送机械送入机械分离器,机械分离器的操作温度为5~80℃;由机械分离器获得50~95%的富碳化硅浆料和5~50%的贫碳化硅悬浮液;富碳化硅浆料再进行多级机械分离,获得的高纯度碳化硅浆料再由机械分离去除切割液及分离剂,然后进行碱洗、酸洗和清洗,所得碳化硅湿料经烘干、分级后,得高纯度碳化硅产品。哪家的硅片回收比较好用点?苏州电池硅片回收咨询

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    硅块被固定于切割台上,通常一次4块。切割台垂通过运动的切割线切割网,使硅块被切割成硅片(图2)。切割原理看似非常简单,但是实际操作过程中有很多挑战。线锯必须精确平衡和控制切割线直径、切割速度和总的切割面积,从而在硅片不破碎的情况下,取得一致的硅片厚度,并缩短切割时间。减少硅料消耗对于以硅片为基底的光伏电池来说,晶体硅(c-Si)原料和切割成本在电池总成本中占据了比较大的部分。光伏电池生产商可以通过在切片过程中节约硅原料来降低成本。降低截口损失可以达到这个效果,截口损失主要和切割线直径有关,是切割过程本身所产生的原料损失。切割线直径已经从原来的180-160μm降低到了目前普遍使用的140-100μm。降低切割线直径还可以在同样的硅块长度下切割出更多的硅片,提升机台产量。让硅片变得更薄同样可以减少硅原料消耗。在过去的十多年中,光伏硅片的厚度从原来的330μm降低到现在普遍的180-220μm范围内。这个趋势还将继续,硅片厚度将变成100μm.减少硅片厚度带来的效益是惊人的,从330μm到130μm,光伏电池制造商多可以降低总体硅原料消耗量多达60%。 无锡电子设备硅片回收电话

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