△S:相邻两次称量的时间间隔(min);实际测定时,记录一系列称量和时间数据,用上式计算渗透率并求其平均值。或以称量数据为纵坐标,时间为横坐标,绘制渗透率的特性曲线,所得直线的斜率即为渗透率。(2)渗透管动态配气装置用已知渗透率的渗透管配制标准气体的装置如图6所示。740)">将渗透管放在气体发生瓶中,再将气体发生瓶放入恒温水浴中,恒温水浴的温度要与测定渗透率时的温度相同(一般为25±1℃),这样就可不作温度校正。稀释气(压缩空气)经硅胶、活性炭和氢氧化钠净化器2除去水分和杂质后,再经流量控制阀和流量计3进入气体发生瓶7(即混合器)中,将渗透出来的气体分子带出,就得到标准气体。标准气体的浓度可由下式求出(在25℃和一个大气压下)。740)">式中:z:所配标准气体的浓度(ppm);G:渗透管的渗透率(Lg/min);M:液体的摩尔质量(g/mol);Q:稀释气体的流量(L/min);VM:配气状态下气体的摩尔体积(L/mol)。二氧化氮标准气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。标准气体大全
非色散红外分析法非色散红外气体分析器是利用不同的气室和检测器测量混合气体中的一氧化碳、二氧化碳、二氧化硫、氨、甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、乙炔等组分的含量。非色散红外气体分析器主要由红外光源、试样室、滤波器、斩波器、检测器、放大器及数据显示装置组成。微量氧分析仪在高纯气体的分析中，几乎所有的高纯气体（高纯氧除外）中都要求准确测定其中微量氧的含量。由于大气中含有大量的氧，准确测定高纯气体中微量氧乃至痕量氧，是气体分析中的难点之一。随着气体工业和仪器工业技术的不断进步，国内外分析仪器厂家已生产出不同原理的微量氧分析仪标准气体比对方法编辑为了保证所制备的标准气体量值的准确性和可比性，应经常进行量值比对。比对的形式有方法比对、实验室之间的比对、**比对等。方法比对，**常见的是用重量法制备的标准气体。为了防止称量时的流失，通常采用气相色谱法进行分析比对，以保证制备的标准气体的不确定度在合理的范围内。一般说来，重量法制备标准气体的不确定度优于1%，如果用气相色谱法分析，比对结果偏差优于2%，应逐级查找原因，以保证量值的准确性。便携式气体批发厂家重庆一氧化碳标准气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。
CVD)的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4种,即硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅,主要用于外延硅淀积,多晶硅淀积,淀积氧化硅膜,淀积氮化硅膜,太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。5.蚀刻气体(Etchinggases)：蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉,而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来,这样便在基片表面得到所需要的成像图形。蚀刻的基本要求是,图形边缘整齐,线条清晰,图形变换差小,且对光刻胶膜及其掩蔽保护的表面无损伤和钻蚀。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法蚀刻所用气体称蚀刻气体,通常多为氟化物气体,例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蚀刻由于蚀刻方向性强、工艺控制精确、方便、无脱胶现象、无基片损伤和沾污,所以其应用范围日益***。6.掺杂气体(DopantGases)：在半导体器件和集成电路制造中,将某种或某些杂质掺入半导体材料内,以使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率,用来制造PN结、电阻、埋层等。掺杂工艺所用的气体掺杂源被称为掺杂气体。
标准气体为气体工业名词。标准物质是浓度均匀的，良好稳定和量值准确的测定标准，它们具有复现，保存和传递量值的基本作用，在物理，化学，生物与工程测量领域中用于校准测量仪器和测量过程，评价测量方法的准确度和检测实验室的检测能力，确定材料或产品的特性量值，进行量值仲裁等。标准气体分二元、三元和多元标准气体。中文名标准气体外文名(Standardgases)属于标准物质性质工业名词目录1功能用途▪应用领域▪适用范围2制备方法▪称量法▪渗透法▪分压法▪扩散法▪容积法▪饱和法▪流量法▪稀释法▪体积法3混匀技术4稳定性5配制分类▪静态配气▪动态配气6配制方法7选择8分析方法9比对方法10比对结果11注意事项12种类13标准状态14不确定度定义标准气体功能用途编辑标准气体应用领域1.常见的标准气体按用途包括：气体报警类标准气体、电力能源类标准气体、石油化工类标准气体、**监测类标准气体、医疗卫生类标准气体、仪器仪表类标准气体等。2.标准气还可用于环境监测，**的有机物测量，汽车排放气测试，天然气BTU测量，液化石油气校正标准，超临界流体工艺等。标准气视气体组分数区分为二元，三元和多元标准气体。配气准度要求以配气允差和分析允差来表征。福建丙烷标准气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。
GB16163-1996)中，根据工业纯气在气瓶内的物理状态和临界温度进行分类，并按其化学性能，燃烧性、毒性、腐蚀性进行分组。第1类为长久气体，其临界温度〈-10℃，在充装时以及在允许的工作温度下储运和使用过程中均为气态，分为a、b两组：a组为不燃无毒和不燃**气体(包括氧、氮、氩等)，b组为可燃无毒和可燃**气体(包括氢等)。第2类为液化气体，其临界温度≥-10℃，包括高压液化气体和低压液化气体。其中，高压液化气体临界温度≥-10℃、且≤70℃，在充装时为液态，但在允许的工作温度下储运和使用过程中随着温度升高至临界温度时即蒸发为气态，分为a、b、c三组：a组为不燃无毒和不燃**气体(包括二氧化碳)；b组为可燃无毒和自燃**气体；c组为易分解或聚合的可燃气体。低压液化气体临界温度〉70℃，在充装时以及在允许的工作温度下储运和使用过程中均为液态，也分为a、b、c三组：a组为不燃无毒和不燃**及酸性腐蚀气体(包括氯)；b组为可燃无毒和可燃**及碱性腐蚀气体(包括氨)；c组为易分解或聚合的可燃气体。第3类为溶解乙炔。在压力下溶解于气瓶内溶剂的气体，*有a组：易分解或聚合的可燃气体(包括乙炔)。此分类是混合气配制的基础。工业混合气是近二十年来出现的新品种。重庆气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。医用气体推荐厂家
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配气准度要求以配气允差和分析允差来表征;比较通用的有SE2MI配气允差标准,但各公司均有企业标准。组分的**低浓度为10-6级,组分数可多达20余种。配制方法可采用重量法,然后用色谱分析校核,也可按标准传递程序进行传递。3、电子气体(Electronicgases)：半导体工业用的气体统称电子气体。按其门类可分为纯气、高纯4_6m+p-_4气和半导体特殊材料气体三大类。特殊材料气体主要用于外延、掺杂和蚀刻工艺；高纯气体主要用作稀释气和运载气。电子气体是特种气体的一个重要分支。电子气体按纯度等级和使用场合，可分为电子级、LSI(大规模集成电路)级、VLSI(超大规模集成电路)级和ULSI(特大规模集成电路)级。4.外延气体(Cpita***algases)：在仔细选择的衬底上采用化学气相淀积(CVD)的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4种,即硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅,主要用于外延硅淀积,多晶硅淀积,淀积氧化硅膜,淀积氮化硅膜,太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。5.蚀刻气体(Etchinggases)：蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉。标准气体大全
