无锡节能四氟化碳高性价比的选择

     四氟化碳有以下用途：用于各种集成电路的等离子刻蚀工艺，也用作激光气体，用于低温制冷剂、溶剂、润滑剂、绝缘材料、红外检波管的冷却剂；是微电子工业中用量比较大的等离子蚀刻气体，四氟甲烷高纯气及四氟甲烷高纯气、高纯氧的混合气，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨等薄膜材料的蚀刻，在电子器件表面清洗、太阳能电池生产、激光技术、低温制冷、泄漏检验、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用；用作低温制冷剂及集成电路的等离子干法蚀刻技术。 四氟化碳不燃烧，有低毒性和窒息性。无锡节能四氟化碳高性价比的选择

    四氟化碳用于各种集成电路的等离子刻蚀工艺，也用作激光气体，用于低温制冷剂、溶剂、润滑剂、绝缘材料、红外检波管的冷却剂。四氟化碳是微电子工业中用量比较大的等离子蚀刻气体，四氟甲烷高纯气及四氟甲烷高纯气、高纯氧的混合气，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨等薄膜材料的蚀刻，在电子器件表面清洗、太阳能电池生产、激光技术、低温制冷、泄漏检验、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。四氟化碳常温常压下稳定，避免强氧化剂、易燃或可燃物。不燃气体，遇高热后容器内压增大，有开裂危险。化学性质稳定，不燃。常温下只有液氨-金属钠试剂能发生作用。 扬州四氟化碳销售价格.由碳与氟反应，或一氧化碳与氟反应。

质量指标纯度（%）≥99.99水份（PPm）≤10酸度（PPm）≤0.3蒸发残留物（PPm）≤100％物理性质分子量88.0沸点（1atm），℃-128临界温度，℃-45.67临界压力，kPa3740饱和蒸气压（25℃），kPa3650（-45.6℃）汽化热/蒸发潜热（沸点下，1atm），kJ/kg-破坏臭氧潜能值（ODP）0全球变暖潜能值(GWP，100yr)5700ASHRAE安全级别A1（无毒不可燃）化学性质相对分子量88.00。在常温下，四氟化碳是无色、无臭、不燃的易压缩性气体，挥发性较高，是**稳定的有机化合物之一，不易溶于水。在900℃时，不与铜、镍、钨、钼反应，*在碳弧温度下缓慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度为0.0015%（重量比），然而与可燃性气体燃烧时，会分解产生有毒氟化物。

    四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳在通常环境下是相对惰性的，在不通风的地方会引起窒息。在射频等离子体环境中，氟自由基表现为典型的三氟化碳或二氟化碳的形式。高纯度的四氟化碳能很好的控制加工过程，使尺寸和形状得到更好的控制，这不同于其他的卤烃遇到空气或氧气时不利于各种特殊的控制（如半导体各项异性控制）。四氟化碳是目前微电子工业中用量比较大的等离子烛刻气体，其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯阳氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的烛刻。 只有在1000℃以上，才能和二氧化碳进行反应。

    氢氟甲烷氟化法是一种适合工业化推广的生产四氟化碳的方法，它具有工艺简单、不需使用催化剂、四氟化碳的收率和纯度高等优点。但目前作为原料的氢氟甲烷的价格相对较高，限制了工业化装置的规模。四氟化碳早就是通过氟碳直接反应法制得的，该方法经过不断的发展与完善，如今已成为工业上制备全氟烷的主要的方法之一。以四氟化碳作为表示的全氟烷广用作微电子行业中的等离子体蚀刻气体，近年来世界需求量日益扩大，市场看好，国外大公司纷纷扩大其产能。 性状：无色无味气体 2.熔点（℃）：-183.6 3.沸点（℃）：-127.8。苏州新能源四氟化碳优化价格

之后再用四氟化碳进行清洗电路上的油墨再烘干，等工艺。无锡节能四氟化碳高性价比的选择

四氟化碳，又称为四氟甲烷。它既可以被视为一种卤代烃、卤代甲烷、全氟化碳，也可以被视为一种无机化合物。所以在电子行业中制作线路板蚀刻过程中，需要使用四氟化碳。在蚀刻过程中，用四氟化碳将多余的铜皮腐蚀掉，附有油墨的电路上铜皮得以保留，之后再用四氟化碳进行清洗电路上的油墨再烘干.高纯度四氟化碳和六氟化硫电子气体是极大规模集成电路行业必须的清洗、蚀刻气体。随着极大规模集成电路技术的提升，芯片制程向14纳米甚至7纳米的迈进，其对电子气体的纯度要求越来越高。为此，黎明院借助国家科技重大专项平台，突破产物合成、精制提纯、杂物分析、洁净充装等关键技术，攻克了高纯度四氟化碳和六氟化硫制备过程中微量杂质的纯化、分析等技术难题， 无锡节能四氟化碳高性价比的选择