◆设备简介:技术高、进步快、种类多、价值大。半导体行业技术高、进步快，一代产品需要一代工艺，而一代工艺需要一代设备。IC制造设备主要分为光刻机、刻蚀机、薄膜设备、扩散\离子注入设备、湿法设备、买入()过程检测等六大类，其中光刻机约占总体设备销售额的18%，刻蚀机约占20%，薄膜设备约占20%。◆市场规模:2020全球预计超700亿美元，中国大陆约占20%。SEMI预计2020年半导体设备市场将增长，达到719亿美元，创历史新高。2017年中国大陆市场需求规模约占全球的15%左右，2020年预计占比将达到20%，约170亿美元。◆竞争格局:从总体到局部，市场集中度高。半导体设备市场集中度高，主要有美日荷厂商垄断。总体上看，半导体设备市场CR10超60%，名分别为应用材料、拉姆研究、东京电子、阿斯麦和科磊半导体;局部上看，每一大类设备市场均呈现寡头竞争格局，前两名厂商占据一半以上的市场份额。设备到港开始申报发送信息（报关—海关估价—交税—海关口岸是否查验—放行—派送—属地海关查验。加拿大实力的半导体设备进口报关放心省心
薄膜沉积设备:应用材料在PVD领域优势明显集成电路薄膜材料制造采用的工艺为物相沉积PVD(PhysicalVaporDeposition)与化学气相沉积CVD(ChemicalVaporDeposition)等。物相沉积指将材料源表面气化并通过低压气体/等离子体在基体表面沉积，包括蒸发、溅射、离子束等。化学气相沉积指将含有薄膜元素的气体通过气体流量计送至反应腔晶片表面反应沉积，包括低压化学气相沉积LPCVD、金属有机化合物气相沉积MOCVD、等离子体增强化学气相沉积PECVD等。原子层沉积ALD属于化学气相沉积的一种，区别在于化学吸附自限制(CS)与顺次反应自限制(RS)，每次反应只沉积一层原子，从而具备成膜均匀性好、薄膜密度高、台阶覆盖性好、低温沉积等优点，适用于具有高深宽比、三维结构基材。全球竞争格局:集成电路PVD领域主要被美国应用材料(AppliedMaterials)、瑞士Evatec、日本爱发科(Ulvac)所垄断，其中应用材料占比约85%;CVD领域全球主要供应商为美国应用材料(AppliedMaterials)、东京电子(TokyoElectron)、泛林半导体(LamResearch)，其中应用材料占比约30%。国内竞争格局:国内集成电路领域沉积设备供应商主要为沈阳拓荆与北方华创。沈阳拓荆:两次承担国家“02专项”。空运代理半导体设备进口报关气垫车进口半导体设备报关清关公司，半导体配件进口清关服务代理，进口半导体设备代理公司。
集成电路硅片生产以直拉法为主。将多晶硅拉制成单晶硅包括两种工艺，分别为区熔法与直拉法，其中，集成电路领域硅片主要采用直拉法制成。拉晶环节工序主要为将纯净硅加热成熔融状态→籽晶伸入装有熔融硅的旋转坩埚中→新晶体在初期籽晶上均匀延伸生长→生产单晶硅锭。晶圆制造设备占设备投资总额约3%~5%。正如本文，2018年全球集成电路设备价值构成中，晶圆加工设备、晶圆制造设备占比分别为81%、4%。具体来看，晶圆制造设备包括单晶炉、切割机、滚圆机、截断机、研磨系统、倒角机、刻蚀机、抛光机、清洗设备、检测设备等。其中，单晶炉、CMP抛光机分别占晶圆制造设备额约25%、25%。单晶炉由炉体、热场、磁场、控制装置等部件构成，其中，控制炉内温度的热场与控制晶体生长形状的磁场为决定单晶炉性能的关键指标之一。竞争格局:内资供应商在太阳能单晶炉领域已具备完全竞争力，其中，综合实力居前企业包括晶盛机电、南京晶能等。另一方面，国内集成电路领域能够供应12英寸单晶炉的供应商目前数量尚小。
低压化学气相淀积系统（LPCVD。LowPressureChemicalVaporDepositionSystem）设备名称：低压化学气相淀积系统设备功能：把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入LPCVD设备的反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜。主要企业（品牌）：国际：日本日立国际电气公司......国内：上海驰舰半导体科技有限公司、中国电子科技集团第四十八所、中国电子科技集团第四十五所、北京仪器厂、上海机械厂......6、等离子体增强化学气相淀积系统（PECVD，PlasmaEnhancedCVD）设备名称：等离子体增强化学气相淀积系统设备功能：在沉积室利用辉光放电，使其电离后在衬底上进行化学反应，沉积半导体薄膜材料。主要企业（品牌）：国际：美国ProtoFlex公司、日本Tokki公司、日本岛津公司、美国泛林半导体（LamResearch）公司、荷兰ASM国际公司......国内：中国电子科技集团第四十五所、北京仪器厂、上海机械厂......7、磁控溅射台（MagnetronSputterApparatus）设备名称：磁控溅射台设备功能：通过二极溅射中一个平行于靶表面的封闭磁场，和靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域，实现高离子密度和高能量的电离。半导体设备价格昂贵。
ALD:海外供应商包括韩国NCD、荷兰SolayTec、荷兰Levitech等;国内主要为理想能源、无锡微导、无锡松煜等。PERC电池技术在BSF基础上增加了背面钝化与激光开槽两道工序，相应增加了背钝化沉积设备与激光划线设备的使用。主流的PERC钝化工艺方案包括:板式PECVD方案:背面:采用板式二合一PECVD(氧化铝+氮化硅)一次性完成沉积;正面:采用管式/板式PECVD(氮化硅)完成沉积。?管式PECVD方案:背面:采用管式二合一PECVD(氧化铝+氮化硅)一次性完成沉积;?正面:采用管式/板式PECVD(氮化硅)完成沉积。ALD方案:背面:采用ALD(氧化铝)+PECVD(氮化硅)完成沉积;正面:采用PECVD(氮化硅)完成沉积。价值构成:PERC技术需在现有BSF基础上做部分设备的采购即可实现产线升级，其与现有设备的良好兼容性也是使其在众多技术中脱颖而出的原因之一。以采购国产设备为前提假设，PERC电池技术单位(1GW)设备投资规模约2亿元~3亿元，其中，薄膜沉积设备占比约30%~35%，印刷烧结设备占比约20%。万享进贸通，专注半导体设备进口清关物流公司，对进口半导体设备打物流、工厂搬迁、气垫车送货等服务。日本服务好的半导体设备进口报关哪家好
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中国国产替代走上战略，公司市场空间有10倍以上半导体设备无论是产业安全自主可控需求外，也符合产业发展根本规律。只有在设备上拥有技术升级与迭代能力，才能真正实现半导体制造上实现超越，国产化率是当务之急，也势不可挡。中国设备产业未来10年，第一步将迎接中国半导体产业对设备投资需求成倍的增长，同时目标将国产化率从平均5%~10%，提升到70%~80%以上甚至更高；第二步中国设备技术能力与国际厂商同台竞技之后，实现打开国门走向世界，从追赶到超越的升华。从长江存储采购，看国内设备供应商进展情况在近年来来的国产设备替代中，国内需求成为非常重要的推动力，列举了，长江存储对国内设备商的采购情况。全球排名前50的半导体公司，目前总市值达，2018财年总收入为4218亿美元，净利润1051亿美元，平均估值20倍，PE(TTM)中位数31倍。国内外半导体设备公司总市值4141亿美元，18财年总收入1233亿美元，净利润156亿美元，平均估值27倍，中位数PE(TTM)25倍。国际上半导体设备公司如ASML、AppliedMaterials以及LAM等年收入在100亿美元-200亿美元左右，相比之下国内设备公司如北方华创、中微公司等年收入在10亿美金以内，差距在10倍-20倍之间。国内半导体产业的逐步崛起。加拿大实力的半导体设备进口报关放心省心
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