晶闸管智能调压器用于控制电感负载,譬如电风扇、交流接触器、有变压器的供电设备等,则不同。因为这种移相式触发电路,晶闸管智能调压器在交流电半周持续期间导通,半周过零期间截止。当晶闸管智能调压器导通瞬间,加到电感负载两端电压为交流电的瞬时值, 有时可能是交流电的较大值。根据电感的特性,其两端电压不可能突变,高电压加到电感的瞬间产生反向自感电势, 反对外加电压。外加电压的上升曲线越陡,自感电势越高,有时甚至超过电源电压而击穿晶闸管智能调压器。因此,晶闸管智能调压器控制电感负载,首先其耐压要高于电源电压峰值1.5倍以上。此外,晶闸管智能调压器两电极间还要并联接入RC尖峰吸收电路。常用10— 30Ω/3W 以上电阻和0.1—0.47uF/600V的无极性电容。奥凯电气设备不懈追求产品质量,精益求精不断升级。青岛可控硅调压器生产厂家
可控硅和晶闸管智能调压器的选取方法
说起晶闸管智能调压器,小编相信许多的人都会把晶闸管智能调压器和可控硅给搞混,分不清谁是谁。在这里,小编要和大家说一下,可控硅和晶闸管智能调压器是相同的产品,只是两者的称呼不太一样。说到这,奥凯小编就给大家分享一下晶闸管智能调压器的选取方法,供大家解决问题。
晶闸管智能调压器,也被称之为“可控硅整流器”,有时也被称为可控硅调压器。晶闸管智能调压器有三个极:阳极,阴极和控制极; 晶闸管智能调压器具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流的条件下工作,并且工作过程中可以控制,所以被普遍的应用于可控整流、交流调压等电子电路中。
说了这么多,在这里很多人就要问小编了,晶闸管智能调压器有没有什么专业的参数?在这里,
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奥凯电气可控硅整流调压模块的使用方法
奥凯电气可控硅整流调压模块在电气自动化领域发挥着重要的作用,特别是随着科学技术的高速前进,整流调压模块将会应用到各个领域中。接触过整流调压模块的人对它有一定的了解,但是在使用过程中难免会出现问题,为解决这个问题接下来为大家讲一下它的使用方法:
1、各功能端相对com端必须为正,若com端为负极,极性相反,则整流调压模块主回路输出端可能失控。
2、整流调压模块各功能端的控制特性均为正极性,即控制电压越高,模块强电主回路输出电压越高。
3、在某一时刻宜使用一种输入控制方式,若2种以上方式同时输入使用,则输入信号较强的一种起主要作用。
4、电源为上进下出,三相交流电路的进线R、S、T无相序要求,导线粗细按实际使用电流选择。
5、N线*为模块内部开关电源用,用1平方细导线即可,N线与各输入控制端之间为全隔离绝缘设计。
调压器电路图
怎样才能做到同步呢?大家再看调压器的电路图(上图)。请注意,在这里单结晶体管张弛振荡器的电源是取自桥式整流电路输出的全波脉冲直流电压。在晶闸管没有导通时,张弛振荡器的电容器C被电源充电,UC按规律上升到峰点电压UP时,单结晶体管VT导通,在VS导通期间,负载RL上有交流电压和电流,与此同时,导通的VS两端电压降很小,迫使张弛振荡器停止工作。当交流电压过零瞬间,晶闸管VS被迫关断,张弛振荡器得电,又开始给电容器C充电,重复以上过程。这样,每次交流电压过零后,张弛振荡器发出***个触发脉冲的时刻都相同,这个时刻取决于RP的阻值和C的电容量。调节RP的阻值,就可以改变电容器C的充电时间,也就改变了***个Ug发出的时刻,相应地改变了晶闸管的控制角,使负载RL上输出电压的平均值发生变化,达到调压的目的。 奥凯电气可靠的质量保证体系和经营管理体系,使产品质量日趋稳定。
保护可控硅调压器的几种方法
可控硅调压器在工业成产中十分常见,也是电气行业不可缺少的设备之一,同时,它也比较容易因为各种原因而损坏。下面奥凯小编就给大家说一下保护可控硅调压器的几种方法有哪些,感兴趣的小伙伴一起来看看吧:
一、过电压的保护
1)、可控硅调压器对电压十分的敏感,当正向电压超过其短态重复峰值电压UDRM一定的数值时可控硅调压器就会发生误导通,从而引发电路故障;而当反向电压超过其反向重复峰值电压UDRM一定的数值时,可控硅调压器就会立即损坏。
2)、过电压产生的原因主要是供给的电功率或系统的储能发生了激烈的变化,使得系统来不及转换,或者系统中原来积聚的电磁能量来不及消散而造成的。主要发现为雷击等外来冲击引起的过电压和开关的开闭引起的冲击电压两种类型。由雷击或高压断路器动作等产生的过电压是几微秒至几毫秒的电压尖峰,对晶闸管是很危险的。所以要谨慎注意。 奥凯电气重信誉、守合同,严把产品质量关,热诚欢迎广大用户前来咨询考察,洽谈业务!青岛可控硅调压器生产厂家
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可控硅整流器:主电路采用三相桥或双反星形带平衡电抗器电路。可控硅元件采用大功率元件,节能卓效。主控制系统采用大板高槛抗干扰、大规模集成控制板;模块及集成元件全部采用进口,可靠性高。具有自动稳压、稳流,稳定精度优于1%。具有0~60S软起动,电镀氧化着色时间可任意设定,自动定时。采用多相整流,减小输出电压纹波系数ru,特别适应于镀硬铬工艺,表面光洁度好,镀层厚度均匀。冷却方式:水冷、风冷、自冷。
可控硅整流器结构
通常用双三极管来描述可控硅的四层结构,看成一NPN和PNP晶体管的互联. 若两晶体管的共基极电流放大系数分别为α1和α2(均为工作状态的函数),导通的必要条件是α1+α2≃1.阻断状态下, 两晶体管的电流放大系数均很小;若在正向阻断状态下,于控制极注入一正向电流,则NPN管的电流放大系数α1迅速增大,并导致α2的增大,从而满足导通条件。
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