企业商机
电容基本参数
  • 产地
  • 深圳
  • 品牌
  • Acon
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
电容企业商机

电容器运行时温度过高的原因  

      1、由于电容器室设计不合理,导致电容器室环境温度过高。

  2、电容器布置密度过大,通风不良。

  3、过电压造成电容器过电流。

  4、电容器内部缺 陷,介质老化后损耗增大,发热量增大。过于严重,建议更换库克库伯电力电容器。  电力电容器运行温度过高的原因  1、绝缘老化

  部分电容器会随着投入运行时间增长而出现绝缘老化现象,当绝缘老化达到一定值时,电力电容器运行温度会明显升高。

  2、环境原因

  电力电容器使用环境中如果存在大量谐波,会引起电容器内部过电流现象,从而造成电容器运行温度逐渐升高,以至于超出允许运行环境造成电力电容器运行温度过高。

  3、间距

  电容器由于内部需要过电流,本身就会存在一定的升温现象,因此电容器与电容器之间需要保持一定的距离用于散热,如果电容器之间间距过小,热量无法及时散发出去,从而造成一定的热量叠加,当热量超过电容器运行温度允许范围,也会造成电力电容器运行温度过高。 中元电解电容器,深圳中元电子有限公司。广州低压电容

固态电容的优点 

 3.低ESR和高额定纹波电流

  ESR(EquivalentSeriesResistance)指串联等效电阻,是电容非常重要的指标。ESR越低,电容充放电的速度越快,这个性能直接影响到微处理器供电电路的退藕性能,在高频电路中固态电解电容的低ESR特性的优势更加明显。可以说,高频下低ESR特性是固态电解电容与液态电容性能差别的分水岭。固态铝电解电容的ESR非常低,同时具有非常小的能量耗散。在高温、高频和高功率工作条件下固态电容的极低ESR特性可以充分吸收电路中电源线间产生的高幅值电压,防止其对系统的干扰。

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第四部分:序号,用数字或字母表示。  包括品种、尺寸代号、温度特性、直流工作电压、标称值、允许误差、标准代号。 

容量标示:

1.直标法用数字和单位符号直接标出。如1 表示1微法,有些电容用“R”表示小数点,如R56表示0.56微法。 

 2.文字符号法用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如p10表示0.1pF、1p0表示1pF、6P8表示6.8pF、2u2表示2.2uF。 

 3.色标法用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。 

 4.数学计数法:数学计数法一般是三位数字,第1位和第二位数字为有效数字,第三位数字为倍数。

电容器主要参数

在1伏特直流电压作用下,如果电容器储存的电荷为1库仑,电容量就被定为1法拉,法拉用符号F表示,1F=1Q/V。在实际应用中,电容器的电容量往往比1法拉小得多,常用较小的单位,如毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)、皮法(pF)等,它们的关系是:1微法等于百万分之一法拉;1皮法等于百万分之一微法,即:  1法拉(F)=1000毫法(mF);1毫法(mF)=1000微法(μF);1微法(μF)=1000纳法(nF);1纳法(nF)=1000皮法(pF);即:1F=1000000μF;1μF=1000000pF。 专业电容器Acon生产商,深圳中元电子有限公司。

型号命名:

国产电容器的型号一般由四部分组成(不适用于压敏、可变、真空电容器),依次分别**名称、材料、分类和序号。

***部分:名称,用字母表示,电容器用C。

第二部分:材料,用字母表示。

注:A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介。

第三部分:分类,一般用数字表示,个别用字母表示。

注:T-电铁、W-微调、J-金属化、X-小型、S-独石、D-低压、M-密封。

第四部分:序号,用数字或字母表示。   包括品种、尺寸代号、温度特性、直流工作电压、标称值、允许误差、标准代号。  充电器用电容器,深圳中元电子有限公司。国际电容品牌

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固定电容器的检测方法:

1. 检测10pF以下的小电容:因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用表进行测量,只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象。测量时,可选用万用表R×10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿。

2. 检测10PF~001μF固定电容器:通过判断是否有充电现象,进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流要小。可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表指针摆幅度加大,从而便于观察。

应注意的是:在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动。对于001μF以上的固定电容,可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。 广州低压电容

深圳中元电子有限公司总部位于深圳市龙岗区平湖街道上木古社区新河路32号,是一家 专门从事研发、生产、经营全系列铝电解电容器、V-CHIP铝电容器、固态铝电容器 的公司。中元电子深耕行业多年,始终以客户的需求为向导,为客户提供***的铝电解电容器,固态电容器,V-CHIP铝电容器,固态铝电容器。中元电子不断开拓创新,追求出色,以技术为先导,以产品为平台,以应用为重点,以服务为保证,不断为客户创造更高价值,提供更优服务。中元电子创始人王伟荣,始终关注客户,创新科技,竭诚为客户提供良好的服务。

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