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全桥的正向电流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多种规格，耐压值（比较高反向电压）有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多种规格  。

选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。整流桥堆一般用在全波整流电路中，它又分为全桥与半桥。                                                                                                          命名规则：一般整流桥命名中有3个数字,***个数字**额定电流,A;后两个数字**额定电压(数字*100)，V

如：KBL410 即4A，1000V 。

整流桥有多种方法可以用整流二极管将交流电转换为直流电，包括半波整流、全波整流以及桥式整流等。

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2、DBC基板：它是在高温下将氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)基片与铜箔直接双面键合而成，它具有优良的导热性、绝缘性和易焊性，并有与硅材料较接近的热线性膨胀系数(硅为4．2×10-6／℃，DBC为5．6×10-6／℃)，因而可以与硅芯片直接焊接，从而简化模块焊接工艺和降低热阻。同时，DBC基板可按功率电路单元要求刻蚀出各式各样的图形，以用作主电路端子和控制端子的焊接支架，并将铜底板和电力半导体芯片相互电气绝缘，使模块具有有效值为2．5kV以上的绝缘耐压。浙江原装艾赛斯整流桥模块信誉保证达优争先，进取创新，精益求精，电（点）亮四方。

它是由电源变压器、四只整流二极管D1~4 和负载电阻RL组成。四只整流二极管接成电桥形式，故称桥式整流。

桥式整流电路的工作原理如图6所示。在u2的正半周，D1、D3导通，D2、D4截止，电流由TR次级上端经D1→ RL →D3回到TR 次级下端，在负载RL上得到一半波整流电压。

在u2的负半周，D1、D3截止，D2、D4导通，电流由Tr次级的下端经D2→ RL →D4 回到Tr次级上端，在负载RL 上得到另一半波整流电压。桥式整流电路克服了全波整流电路要求变压器次级有中心抽头和二极管承受反压大的缺点，但多用了两只二极管。在半导体器件发展快，成本较低的***，此缺点并不突出，因而桥式整流电路在实际中应用较为***。

可控硅的主要参数有：

1、

额定通态平均电流IT 在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。

2、

正向阻断峰值电压VPF

在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。

3、

反向阻断峰值电压VPR 当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。

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整流桥分类：整流桥具有体积小，使用方便等特点,在家用电器和工业电子电路中应用 非常***。常用的小功率整流桥有全桥和半桥之分。全桥是将四只硅整流二极管接成桥路的形式，常见的型号有 QL52~QL61 系列，PM104M 和 BR300 系列等。半桥有三种结构：一种是将两只二极 管顺向串联，在结点处引出一电极(如 2CQ1 型)，另一 种是将两只二极管背靠背式反极性连接(称共阴式，如 2CQ2 型)；第三种是将两只二极管头碰头式反极性连接(称共阳式，如 2CQ3 型) 。

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（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。

（四）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。

（五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。

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