任何的东西都有其使用的寿命，可控硅也不例外，可控硅模块使用时间长了，它的温度就会升高，如果温度过高就容易损坏，并且降低使用寿命，这就需要大家来看看可控硅模块的升温方法：
1 可控硅模块环境温度的测定：在距被测可控硅模块表面1.5m处放置温度计，温度计测点距地面的高度与减速机轴心线等高，温度计的放置应不受外来辐射热与气流的影响，环境温度数值的读取与工作温度数值的读取应同时进行。
2 可控硅模块温升按下式计算：式中：Δt--可控硅模块的温升(℃)。
3 可控硅模块工作温度的测定：被测可控硅模块温升的测定，通常与减速机的承载能力及传动效率测定同时进行，也可单独进行，被测减速机在符合规定时，读取它在额定转速、额定输入功率下的工作温度
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可控硅模块特点：
1 对耐压级别的选择：通常把VDRM(断态重复峰值电压)和VRRM(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。
2 对电流的确定：由于双向可控硅模块通常用在交流电路中，因此不能用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小，因而一般家电中选用可控硅模块的电流值为实际工作电流值的2~3倍。同时，可控硅承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM 时的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。
3 对通态电压VTM的选择：它是可控硅模块通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为了减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VTM小的可控硅。
4 对维持电流：IH是维持可控硅模块保持通态所必 需的极小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。
5 对电压上升率的：dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。由于双向可控硅模块的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容。 湖南小功率可控硅模块组件淄博正高电气有限公司过硬的产品质量、质量的售后服务、认真严格的企业管理，赢得客户的信誉。
可控硅模块采用陶瓷覆铜工艺，电流承载能力大，热循环负载次数是国标的进10倍，焊接工艺独特，绝缘强度高，导热性能好。可控硅模块的工作场所应干燥、无腐蚀性气体、通风、无尘，环境温度范围-25℃--45℃，下面为大家介绍可控硅模块的安装步骤： 1、散热器和风机按通风要求装配于机箱合适位置。散热器表面必须平整光洁。在模块导热底板与散热器表面均匀涂覆一层导热硅脂，然后用螺钉把模块固定于散热器上，四个螺钉用力要均等。
2、用接线端头环带将铜线扎紧，浸锡，套上绝缘热缩管，用热风或热水加热收缩，导线截面积按电流密度<4A/mm2选取，禁止将铜线直接压接在可控硅模块电极上。
3、 将接线端头平放于可控硅模块电极上用螺钉紧固，保持良好的平面压力接触。
4、可控硅模块的电极易掀起折断，接线时应防止重力将电极拉起折断。
可控硅模块的出现已经历史悠久，它的出现也帮助人们解决了很多难题，凭借它的优势，使可控硅模块在电气行业中非常的受欢迎，下面正高来详细的说下可控硅模块。
可控硅模块通常被称之为功率半导体模块（semiconductormodule）。刚开始是在1970年出现在电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。
可控硅模块的优点体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装；结构重复性好，装置的机械设计可以简化，价格比分立器件低等诸多优点，因而在一诞生就受到了各大电力半导体厂家的热捧，并因此得到长足发展。 淄博正高电气有限公司不断从事技术革新，改进生产工艺，提高技术水平。
可控硅模块主要优点如下：
（1）采用进口方形可控硅支撑板，降低了可控硅模块的电压，功耗低，效率高，节能效果好。
（2）采用进口插入元件，保证晶闸管模块触发控制电路的可靠性。
（3）（DCB）陶瓷铜板采用独特的处理和特殊的焊接工艺，保证了晶闸管组件的焊接层无空腔，导热性好。
（4）导热绝缘包装材料具有优异的隔热防潮性能。
（5）触发控制电路、主电路和导热基板相互隔离，导热基板不带电，介电强度≥2500V，保证安全。
（6）通过输入0-10V直流控制信号，可以平滑地调节主电路的输出电压。
（7）可采用手动控制、仪表控制或微机控制。
（8）适用于电阻和电感负载。 淄博正高电气有限公司是您可信赖的合作伙伴！湖南小功率可控硅模块组件
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可控硅模块是有PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极，阳极a，阴极K和控制机G所构成的。
可控硅模块的应用领域模块应用详细说明介绍：
可控硅模块应用于控温、调光、励磁、电镀、电解、充放电、电焊机、等离子拉弧、逆变电源等需对电力能量大小进行调整和变换的场合，如工业、通讯、**等各类电气控制、电源等，根据还可通过可控硅模块的控制端口与多功能控制板连接，实现稳流、稳压、软启动等功能，并可实现过流、过压、过温、缺相等保护功能。 湖南小功率可控硅模块组件
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