可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流，还可以用作无触点开关的快速接通或切断；实现将直流电变成交流电的逆变；将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样，有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。目前可控硅在自动控制、机电应用、工业电气及家电等方面都有的应用。可控硅从外形上区分主要有螺旋式、平板式和平底式三种。螺旋式应用较多。可控硅工作原理解析可控硅结构原件可控硅有三个极----阳极（A）、阴极（C）和控制极（G），管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结，与只有一个PN结的硅整流二极管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引入，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。可控硅应用时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。淄博正高电气在客户和行业中树立了良好的企业形象。菏泽晶闸管移相调压模块型号
可控硅模块触发电路时需要满足的必定要求可控硅模块的作用主要体验在电路中，在电路中经常会见到可控硅模块的身影，由此可见它的应用是多么的强大，可控硅模块的其中一个作用就是触发电路，但是触发电路时需要满足三个必定条件，下面正高电气带您来看看这三个条件是什么？一、可控硅模块触发电路的触发脉冲信号应有足够的功率和宽度为了使全部的元件在各种可能的工作条件下均能可靠的触发，可控硅模块触发电路所送出的触发电压和电流，必须大于元件门极规定的触发电压UGT与触发电流IGT的较大值，并且留有足够的余量。另外，由于可控硅的触发是有一个过程的，也就是可控硅触发电路的导通需要一定的时间，不是一触即通，只有当可控硅的阳极电流即主回路电流上升到可控硅的擎住电流IL以上时，管子才能导通，所以触发脉冲信号应有一定的宽度才能保证被触发的可控硅可靠导通。例如：一般可控硅的导通时间在6μs左右，故触发脉冲的宽度至少在6μs以上，一般取20～50μs，对于大电感负载，由于电流上升较慢，触发脉冲宽度还应加大，否则脉冲终止时主回路电流还未上升到可控硅的擎任电流以上，则可控硅又重新关断，所以脉冲宽度下应小于300μs，通常取1ms。菏泽晶闸管移相调压模块型号淄博正高电气愿和各界朋友真诚合作一同开拓。
以上六个端口为模块基本端口，其它端口为特殊端口，只在具有多功能产品中使用，普通调压产品其余脚为空脚。6、导通角与模块输出电流的关系模块的导通角与模块能输出的大电流有直接关系，模块的标称电流是大导通角时能输出的大电流。在小导通角（输出电压与输入电压比值很小）下输出的电流峰值很大，但电流的有效值很小（直流仪表一般显示平均值，交流仪表显示非正弦电流时比实际值小），但是输出电流的有效值很大，半导体器件的发热与有效值的平方成正比，会使模块严重发热甚至烧毁。因此，模块应选择在大导通角的65％以上工作，及控制电压应在5V以上。7、模块规格的选取方法考虑到晶闸管产品一般都是非正弦电流，存在导通角的问题并且负载电流有一定的波动性和不稳定因素，且晶闸管芯片抗电流冲击能力较差，在选取模块电流规格时必须留出一定余量。推荐选择方法可按照以下公式计算：I>K×I负载×U大�MU实际K：安全系数，阻性负载K=，感性负载K=2；I负载：负载流过的大电流；U实际：负载上的小电压；U大：模块能输出的大电压；（三相整流模块为输入电压的，单相整流模块为输入电压的，其余规格均为）；I：需要选择模块的小电流,模块标称的电流必须大于该值。
泄放保护电阻R1用1W金属膜电阻或线绕电阻外，其余元器件均为普通型。电阻为1/8W；电解电容的耐压值取10V－16V，C1取值范围为－lu之间；稳压管VD9为5V－6V/1W,可选用ZCW104（旧型号为ZCW21B）硅稳压管；VS1－VS3为1A/400V小型塑封双向晶闸管，可选用MAC94A4型或MAC97A6型；L为电抗器，可以自制，亦可采用原调速器中的电抗器；SB1－SB4为轻触型按键开关（也叫微动或点动开关），有条件的可采用导电橡胶组合按键开关。电路焊接无误，一般不用调试就能工作。改装方法该电路对所有普通风扇都能进行改装。将焊接好的电路板装进合适的塑料肥皂盒或原调速器盒中，将原分线器开关拆除不用，留出空余位置便于安装印制板电路。一般风扇用电抗器均采取5挡。不妨利用其中①、③、⑤挡，将强风（第1挡）、中风（第2挡）弱风（第3挡）分别接到电抗器的各挡中。若有的调速器中无电抗器，风扇电机则是采取抽头方式改变风速的，同样将三种风速分别接至分线器的三极引线中。在改装中特别要注意安全，印制板上220V交流电源接线端及所有导电部位应与调整器盒的金属件严格隔离。改装完毕，可用测电笔碰触调速器有否漏电。否则应进一步采取绝缘措施。通电试验时。淄博正高电气严格控制原材料的选取与生产工艺的每个环节，保证产品质量不出问题。
压接式和焊接式可控硅模块有哪些区别？可控硅模块属于一种使用模块封装形式，拥有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，这种可控硅模块的体积非常的小，结构也十分的紧凑，对于维修与安装都有很大的作用，可控硅模块的类型非常的多，比方说压接式可控硅模块、焊接式可控硅模块等，很多人不是很清楚两者之间的差异，下面详细的进行区分一下。①从电流方面来讲，焊接式可控硅模块可以做到160A电流，同时压接式模块的电流就能够达到1200A，这就是讲低于160A的模块，不只是有焊接式的，同时也有压接式的。可控硅模块②从外形方面来讲，焊接式的可控硅模块远远没有压接式的外形比较好，压接式的属于一体成型，技术十分的标准，焊接式的局部地区可能有焊接的痕迹，但是在使用的时候是没有任何的影响的。③众所周知，压接式可控硅模块的市场占有率是非常大的，有不少的公司都会使用压接式可控硅模块，这其中的原因可能使由于其外形十分的美观，除此之外从价格方面来讲，焊接式可控硅模块的成本远远要比压接式可控硅模块的成本低。。淄博正高电气不懈追求产品质量，精益求精不断升级。上海整流晶闸管移相调压模块生产厂家
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可控硅损坏原因判别哪种参数坏了？当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时，可把管芯从冷却套中取出，打开芯盒再取出芯片，观察其损坏后的痕迹，以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，损坏的面积小，有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，损坏的面积大，其位置在远离控制极上。3电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同，而其位置在控制极附近或就在控制极上。4、边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。5、G-K电压击穿。晶闸管G-K间因不能承受反向电压（）12V）而损坏，其芯片G-K间有烧焦的通路（短路痕迹）。菏泽晶闸管移相调压模块型号
