热成型E节能照明：隧道照明，路灯照明，摄影照明，舞台灯光F化学工业：蒸馏蒸发，预热系统，管道加热，石油化工，温度补偿电力调整器单相可控硅电力调整器编辑单相交流调压调功一体化技术电力调整器采用全数字化电路设计，单相220V/380VAC通用。其调压采用移相控制方式，调功有定周期调功和变周期调功两种方式。其功能包括：上电缓起动、缓关断、散热器超温检测保护等功能。其特点：体积小，输出起控点低、电源频率适应范围宽（可用于发电机电源），外形美观，是一款经济型单相电力调整器。系列单相调整器由控制板、散热单元、功率模块、外壳等组成。控制板使用控制板；散热系统采用高.效散热器，同等体积下提高30%的散热效率；低噪长寿命风机，确保系统的可靠。该电力调整器与带0-5V、4-20mA的智能PID调节器或PLC配套使用；主要用与工业电炉的加热控制、负载类型可以是单相阻性负载、单相感性负载及单相变压器负载。单相电力调整器是运用数字电路触发可控硅实现调压和调功。调压采用移相控制方式，调功有定周期调功和变周期调功两种方式。该控制板带锁相环同步电路、上电缓起动、缓关断、散热器超温检测、电流限制、过流保护。单相电力调整器**部分使控制板。 可控硅调整器具有软启动功能，减少对电网的冲击干扰，使主电路更加安全可靠。浙江可控硅定制
稳压二极管的负极连接电阻R4的另一端、光耦OC的脚4、NPN三极管T1的集电极、单结晶体管T2的发射极b2、单向可控硅SCR1的A极、单向可控硅SCR2的K极以及电源输出端1，所述光耦OC的脚1连接输入控制端的正极，光耦OC的脚2经由电阻R5连接输入控制端的负极，光耦OC的脚3连接NPN三极管T1的基极，NPN三极管T1的发射极连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端连接电容C4的另一端以及单结晶体管T2的发射极b1，单结晶体管T2的发射极b1连接变压器B1的输入端1，变压器B1的输入端2连接变压器B2输入端1，变压器B1的输出端1连接电源输出端1，变压器B2的输出端2连接电源输出端2，所述单向可控硅SCR1的G极连接变压器B2的输出端1，所述单向可控硅SCR2的G极连接变压器B1的输出端2，所述单向可控硅SCR1的A极和K极分别连接电源输出端1和电源输出端2，所述单向可控硅SCR2的A极和K极分别连接电源输出端2和电源输出端1。作为推荐，所述电源输出端1和电源输出端2分别连接电容C的一端和电阻R的一端，电容C的另一端和电阻R的另一端连接。本实用新型与现有技术相比，具有以下优点和效果：单向可控硅分别通过**的光耦进行隔离，提高了单向可控硅的耐受性能，实现负载电压从零伏到电网全电压的无级可调。浙江可控硅定制整流器可以由真空管，引燃管，固态矽半导体二极管，汞弧等制成。
?调节输出分辨率：调相°；?移相范围：0～180°；?驱动输出：宽度脉冲：8°~120°触发可控硅模块：驱动电流800mA?手动方式：外接10KΩ电位器调整?软启动软关断时间：相角控制时，VR2电位器调整。调整范围?电压限制：板内P1电位器或外接10KΩ电位器调整。调整范围0~***?电流限制：内置电流变换器，板内VR4电位器调整。调整范围20%~***?过流报警：内置电流变换器，板内VR9电位器调整。调整范围10%~200%?散热器超温保护:75℃温度开关，常闭接点动作时间：<10ms?起动/停止开关:外接开关?恒压控制：电源电压波动±15%，负载阻抗变化10倍时，负荷电压保持恒定，输出电压与控制信号成线性关系?恒流控制：电源电压波动±15%，负载阻抗变化10倍时，负荷电流保持恒定，输出电流与控制信号成线性关系?工作环境:温度范围：-30~+60℃湿度范围：90%RH比较大无结露海拔高度2000m以下三相晶闸管闭环技术可控硅调压器是移相触发型的晶闸管电力控制器。触发板具有过流、缺相、相序、晶闸管过热等多种保护功能；可***应用于工业各领域的电压、电流、功率的调节，适用于电阻性负载、电感性负载、变压器一次侧等。
正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点，尤其是其具有负的电流温度系数，即在栅-源电压不变的情况下，导通电流会随管温升高而减小，故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。因此，VMOS管的并联得到广泛应用。众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极**致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从图1上可以看出其两大结构特点:***，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，***垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。下面介绍检测VMOS管的方法。三相恒压|恒流|恒功率晶闸管功率控制器是移相触发型的晶闸管电力控制器。
可控硅有三个极----阳极（A）、阴极（C）和控制极（G），管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN 结，与只有一个PN结的硅整流二极管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引入，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。可控硅应用时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。业界推出的节能灯和电子镇流器**三极管都十分注重对贮存时间的控制。浙江可控硅定制
为了减小器件因过压击穿造成损坏的可能性和提高整流装置的可靠性，可采用硅雪崩整流器。浙江可控硅定制
本实用新型涉及一种单相交流固态调压器。背景技术：单相交流固态调压器是集同步变压器、相位检测电路、移相触发电路和输出可控硅于一体，当改变控制电压的大小，就可改变输出可控硅的触发相角，即实现单相交流电的调压。根据输出可控硅器件不同分一只双向可控硅的普通型，两只单向可控硅反并联的增强型和一只单向可控硅的半波型等三类。按单相交流负载的额定电压分220V和380V两类。主要用于工业电炉、电热烘箱、灯光照明、变压器原边初级调压、风机水泵、力矩电机等设备中进行调温、调光、调压、调速的控制。现有的单相交流固态调压器自由调节输出负载的能力较差，无法满足电气化设备的发展需求。技术实现要素：本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的上述不足，而提供一种结构设计合理，自由调节输出负载的能力较好的单相交流固态调压器。本实用新型解决上述问题所采用的技术方案是：一种单相交流固态调压器，其特征在于：其电路结构如下：整流桥的其中两个脚连接交流电源的两端，整流桥的其余两脚分别连接电阻R4的一端和稳压二极管的正极，稳压二极管的正极连接电容C4的一端和变压器B2输入端2。浙江可控硅定制
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