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从前面对整流桥带散热器来实现其散热过程的分析中可以看出，整流桥主要的损耗是通过其背面的散热器来散发的，因此在此讨论整流桥壳温如何确定时，就忽约其通过引脚的传热量。现结合RS2501M整流桥在110VAC电源模块上应用的损耗（比较大为22.0W）来分析。假设整流桥壳体外表面上的温度为结温（即150.0C），表面换热系数为50.0W/m2C（在一般情况下，强迫风冷的对流换热系数为20~40W/m2C）。那么在环境温度为55.0C时，整流桥的结温与壳体正面的温差远远小于结温与壳体背面的温差，也就是说，实际上整流桥的壳体正表面的温度是远远大于其背面的温度的。如果我们在测量时，把整流桥壳体正面温度（通常情况下比较好测量）来作为我们计算的壳温，那么我们就会过高地估计整流桥的结温了！那么既然如此，我们应该怎样来确定计算的壳温呢？由于整流桥的背面是和散热器相互连接的，并且热量主要是通过散热器散发，散热器的基板温度和整流桥的背面壳体温度间只有接触热阻。一般而言，接触热阻的数值很小，因此我们可以用散热器的基板温度的数值来代替整流桥的壳温，这样不仅在测量上易于实现，还不会给**终的计算带来不可容忍的误差。科技以人为先，**智能生活。江苏官方三社整流桥模块性价比出众

3、反向阻断峰值电压VPR 当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。

4、触发电压VGT 在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的**小控制极电流和电压 。

5、维持电流IH 在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的**小阳极正向电流。许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。

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  选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。整流桥堆一般用在全波整流电路中，它又分为全桥与半桥。

命名规则：

 一般整流桥命名中有3个数字,***个数字**额定电流,A;后两个数字**额定电压(数字*100)，V

 如：KBL410 即4A，1000V 。

 整流桥有多种方法可以用整流二极管将交流电转换为直流电，包括半波整流、全波整流以及桥式整流等。整流桥，就是将桥式整流的四个二极管封装在一起，只引出四个引脚。四个引脚中，两个直流输出端标有+或－，两个交流输入端有～标记 [1]  。

整流桥模块,常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等。

可控硅的主要参数有：

1、额定通态平均电流IT 在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。

2、正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。

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整流桥模块的用途和特点,

为了克服上述问题，可以在端子MT1和MT2之间加一个RC网络来限制电压的变化，以防止误触发。一般，电阻取100R，IR整流桥模块，电容取100nF。值得注意的是此电阻不能省掉。

测量方法

鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。

阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通） 。

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首先看下整流桥的工作原理，它是由四个二极管组成，对交流电进行整流为直流电。进过整流桥直接整流过的电压还不够稳定，还需要滤波电路对整流过的电压进行过滤已达到稳定的电压。为了减少的电压的波动，一般还需要LDO的配合来达到更加精细和稳定的电压，比如7805就是常见的LDO。上面三点再加上变压器，变压器对220V或者更高的交流电压进行***次降压，这就是我们平常最常见的电源电路。整流桥的选型也是至关重要的，后级电流如果过大，整流桥电流小，这样就会导致整流桥发烫严重。如果为了减低成本，也可以使用4颗二极管来自己搭建整流桥，可以根据具体使用场景来选择。江苏官方三社整流桥模块性价比出众

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