西门康IGBT模块基本参数
  • 产地
  • 德国
  • 品牌
  • 西门康
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
西门康IGBT模块企业商机

关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电,等等。可控硅和其它半导体器件一样,其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、 科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。 电压测方法 可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。 首先,可以把从阴极向上数的 、二、三层看面是一只NPN型号晶体管,而二、三四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压Ea,又在控制极G和阴极C之间(相当BG1的基一射间)输入一个正的触发信号,合力共赢未来,萱鸿创享时代.青海多功能西门康IGBT模块诚信合作

IT(AV)--通态平均电流 VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流 ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流 VTM--通态峰值电压 IGT--门极触发电流 VGT--门极触发电压 IH--维持电流 dv/dt--断态电压临界上升率 di/dt--通态电流临界上升率 Rthjc--结壳热阻 ⅥSO--模块绝缘电压 Tjm--额定结温 VDRM--断态重复峰值电压 IRRM--反向重复峰值电流 IF(AV)--正向平均电流 PGM--门极峰值功率 PG----门极平均功率 关于转换电压变化率 当驱动一个大的电感性负载时,在负载电压和电流间有一个很大的相移。当负载电流过零时,双向可控硅(晶闸管)开始换向,但由于相移的关系,电压将不会是零。所以要求可控硅(晶闸管)要迅速关断这个电压。如果这时换向电压的变化超过允许值时,就没有足够的时间使结间的电荷释放掉,而被迫使双向可控硅(晶闸管)回到导通状态。青海多功能西门康IGBT模块诚信合作全新销售西门康IGBT模块量多从优,型号齐全。

可控硅有多种分类方法。


(一)按关断、导通及控制方式分类:可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅(GTO)、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。


(二)按引脚和极性分类:可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。


(三)按封装形式分类:可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中,金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。


可控硅开关


可控硅开关


(四)按电流容量分类:可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三种。通常,大功率可控硅多采用金属壳封装,而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。


(五)按关断速度分类:可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅。


(六)过零触发-一般是调功,即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发,必须是过零点才触发,导通可控硅。


(七)非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅,常见的是移相触发,即通过改变正弦交流电的导通角(角相位),来改变输出百分比。


(四)按电流容量分类:可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三种。通常,大功率可控硅多采用金属壳封装,而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。 (五)按关断速度分类:可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅。 (六)过零触发-一般是调功,即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发,必须是过零点才触发,导通可控硅。 (七)非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅,常见的是移相触发,即通过改变正弦交流电的导通角(角相位),来改变输出百分比。创“芯”科技品牌商,服务全球领航。

所以,按照测试二极管的方法,找出三个极中的两个极,测它的正、反向电阻,电阻小时,万用表黑表笔接的是控制极G,可以用刚才演示用的示教板电路。接通电源开关S,按一下按钮开关SB,灯泡发光就是好的,不发光就是坏的。 关于转换电流变化率 当负载电流增大,电源频率的增高或电源为非正弦波时,会使转换电流变化率变高,这种情况**易在感性负载的情况下发生,很容易导致器件的损坏。此时可以在负载回路中串联一只几毫亨的空气电感。西门康IGBT模块,原装品质,质量有保证。青海多功能西门康IGBT模块诚信合作

萱鸿科技,为科技强军护航。青海多功能西门康IGBT模块诚信合作

按一机部IBI144一75的规定,普通型可控硅称为KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅闸流管》。普通可控硅的型号采用如下格式标注: 额定速态平均屯成系列共分为14个,如表1一5所示。正反向重复蜂值屯压级别规定1000V以下的管子每100V为一级,1000V以上的管子每200V为一级。取电压教除以100做为级别标志,如表1-6所示。 通态平均电压组别依电压大小分为9组,用宇毋表示,如表1一所示。 例如.KP500-12D表示的是通态平均电流为500A,额定(正反向重复峰值)电压为1200V,管压降(通态平均电压)为0.6-- 11-0.7V的普通型可控硅。 综上所述,小结如下:青海多功能西门康IGBT模块诚信合作

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