IGBT模块2MBI200N-120

大功率igbt驱动保护电路一直伴随igbt技术的发展而发展，现在市场上流行着很多种类非常成熟的大功率igbt驱动保护电路产品，成为大多数设计工程师的优先;也有许多的工程师根据其电路的特殊要求，自行研制出各种的大功率igbt驱动保护电路。本文对这些大功率igbt驱动保护电路进行分类，并对该电路需要达到的一些功能进行阐述，展望此电路的发展。现在市场上流行着很多种类非常成熟的大功率igbt驱动保护电路产品，成为大多数设计工程师的优先;也有许多的工程师根据其电路的特殊要求，自行研制出各种的大功率igbt驱动保护电路。频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率。IGBT模块2MBI200N-120

IGBT即绝缘栅双极晶体管），属于电压控制器件，是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件，是半导体领域里分立器件中特别重要的一个分支。能够根据工业装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等，以实现调控的目的，广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等领域。从20 世纪80 年代至今，IGBT 芯片经历了5-6 代产品升级，从平面穿通型（PT）到沟槽型电场—截止型（FS-Trench），各方面指标都得到了不断的优化。芯片面积缩小为初的四分之一，工艺线宽从5微米降到0.5微米，通态饱和压降从3伏降到1伏，关断时间也更快，从0.5微秒降到0.15微秒，功率损耗也更低，断态电压也从600V 提高到了6500V 以上。上海市西门康IGBT货源IGBT的过流保护可以在主电路中要设置过流检测器件。

IGBT是怎么个意思？IGBT的驱动系统实际上应与MOSFET的相同。的结果是；5 IC 正常）高出很多。例如，IGBT所能承受的最大电压是器件的物理极限，同一个标准双极器件相比。图3所示是理解器件在工作时的物理特性所需的结构元件（寄生元件不考虑在内），以及IGBT的结构。在IC处于饱和状态时，可以降低导通期间从P+基片注入的空穴数量的百分比，把导通损耗定义成功率损耗是可行的，集电极电流引起以下问题，Rg值对功耗的。GBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管。

在IGBT单管应用领域，客户为实现产品的功率化与设计成本化，往往使用多管并联的设计方案，此时对IGBT单管的均流特性是个严苛考验。尚阳通IGBT开发团队在设计阶段从多方面考虑满足客户应用需求：其一，针对Vcesat采用正温度系数，保证在多管并联时IGBT在导通情况下，实现自动均流；其二，针对开关时的电流突变情况，在流片大厂的制造过程中对工艺条件流程的严苛把控，以实现阈值Vge(th)的分布集中化；其三，为增强产品的鲁棒性，通过调节浓度减少基区电阻的设计，可实现产品在4~5倍额定电流下正常开关，避免Latch-up现象的发生。IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。

从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。而且IGBT不用机械按钮，它是由计算机控制的。所以有了IGBT这种开关，就可以设计出一类电路，通过计算机控制IGBT，把电源侧的交流电变成给定电压的直流电，或是把各种电变成所需频率的交流电，给负载使用。这类电路统称变换器。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见

在IGBT单管应用领域，客户为实现产品的功率化与设计成本化。原装IGBT工作原理

组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。IGBT模块2MBI200N-120

作为一种新型电力电子器件，IGBT是国际上公认的电力电子技术第三次**具代表性的产品，是工业控制及自动化领域的元器件，能够根据工业装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、 相位等，以实现精细调控的目的，广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、 新能源发电、新能源汽车等领域。随着新能源汽车的发展以及变频白色家电的普及，IGBT的应用优势逐步凸显，它不仅在工业应用中提高了设备的自动化水平、控制精度等，也大幅提高了电能的应用效率，同时减小了产品体积和重量，节约了材料，未来的应用空间十分广阔。IGBT模块2MBI200N-120

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