天津晶体管IGBT引脚图

IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。在开关工作的条件下，IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍。天津晶体管IGBT引脚图

在IGBT单管应用领域，客户为实现产品的功率比较大化与设计成本比较好化，往往使用多管并联的设计方案，此时对IGBT单管的均流特性是个严苛考验。尚阳通IGBT开发团队在设计阶段从多方面考虑满足客户应用需求：其一，针对Vcesat采用正温度系数，保证在多管并联时IGBT在导通情况下，实现自动均流；其二，针对开关时的电流突变情况，在流片大厂的制造过程中对工艺条件流程的严苛把控，以实现阈值Vge(th)的分布集中化；其三，为增强产品的鲁棒性，通过调节浓度减少基区电阻的设计，可实现产品在4~5倍额定电流下正常开关，避免Latch-up现象的发生。江苏IGBT引脚图在IGBT单管应用领域，客户为实现产品的功率化与设计成本化。

大功率igbt驱动保护电路一直伴随igbt技术的发展而发展，现在市场上流行着很多种类非常成熟的大功率igbt驱动保护电路产品，成为大多数设计工程师的优先;也有许多的工程师根据其电路的特殊要求，自行研制出各种的大功率igbt驱动保护电路。本文对这些大功率igbt驱动保护电路进行分类，并对该电路需要达到的一些功能进行阐述，展望此电路的发展。此外本文所述大功率igbt驱动保护电路是指应用于直流母线电压在650v～1000v范围、输出电流的交流有效值在100a～600a范围的场合。

IGBT模块应用范围十分，不仅是电动汽车及充电桩等设备的技术部件，广泛应用于智能电网的发电端、输电端、变电端及用电端，也已成为轨道交通车辆牵引变流器和各种辅助变流器的主流电力电子器件。就新能源车来说，IGBT约占电机驱动系统成本的一半，占整车成本的7-10%，是除电池之外成本第二高的元件，也决定了整车的能源效率。由于IGBT器件处在电力产品的位置，产品在恶劣运行环境与极端工况下，客户除了对器件的开关性能关注外，还对器件的安全工作区和长期可靠性要求极高。IGBT主要用于变频器逆变和其他逆变电路。

功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。功率半导体细分为功率器件（分立器件的一支）和功率IC（集成电路的一支）。理想情况下，完美的转化器在打开的时候没有任何电压损失，在开闭转换的时候没有任何的功率损耗，因此功率半导体这个领域的产品和技术创新，其目标都是为了提高能量转化效率。功率分立器件的演进路径基本为二极管→晶闸管→MOSFET→IGBT，其中，IGBT是功率半导体新一代中的典型产品。通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品。上海西门康IGBT

过流大多数是指某种原因引起的负载过载。天津晶体管IGBT引脚图

IGBT工作时，必须有正向栅电压，常用的栅驱动电压值为15～187，比较高用到20V， 而棚电压与栅极电阻Rg有很大关系，在设计IGBT驱动电路时， 参考IGBT Datasheet中的额定Rg值，设计合适驱动参数，保证合理正向栅电压。因为IGBT的工作状态与正向棚电压有很大关系，正向栅电压越高，开通损耗越小，正向压降也越小。三相380V输入电压经过整流和滤波后，直流母线电压的最大值：在开关工作的条件下，IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍，根据IGBT规格的电压等级，选择1200V电压等级的IGBT。天津晶体管IGBT引脚图

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