IGBT基本参数
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所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲,是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降低等。而平时我们在实际中使用的IGBT模块是由IGBT与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。IGBT将直流电压逆变成频率可调的交流电,是电子电力装置的“CPU”。苏州IGBT电话

IGBT驱动电路的作用是驱动IGBT模块以能让其正常工作,同时对IGBT模块进行保护。IGBT 驱动电路的作用对整个IGBT构成的系统来说至关重要。IGBT是电路的器件,它可在高压下导通,并在大电流下关断,在硬开关桥式电路率器件IGBT能否正确可靠地使用起着至关重要的作用。以满足驱动IGBT的要求,IGBT驱动电路设计的是否合理直接关系到IGBT的安全、可靠使用。IGBT是怎么个意思?IGBT的驱动系统实际上应与MOSFET的相同。的结果是;5 IC 正常)高出很多。浙江富士IGBT价格IGBT的过流保护可以在主电路中要设置过流检测器件。

在IGBT使用过程中,可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小,从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。

1当IGBT栅-射极加上加0或负电压时,MOSFET内沟道消失,IGBT呈关断状态。

2当集-射极电压UCE<0时,J3的PN结处于反偏,IGBT呈反向阻断状态。

3当集-射极电压UCE>0时,分两种情况:

②若栅-射极电压UGE<Uth,沟道不能形成,IGBT呈正向阻断状态。

②若栅-射极电压UGE>Uth ,栅极沟道形成,IGBT呈导通状态(正常工作)。此时,空穴从P+区注入到N基区进行电导调制,减少N基区电阻RN的值,使IGBT通态压降降低。


IGBT在新能源汽车领域中发挥着至关重要的作用,是新能源汽车电机控制器、车载空调、充电桩等设备的元器件。新能源汽车工作时电流范围在-100A到+150A之间,如此巨大的电流需要被电控单元控制,以实现汽车的制动,而当中的零部件就是IGBT。在电动汽车中,电机驱动系统占整车成本的15-20%,而IGBT又在电机驱动系统中占比50%左右,即IGBT占整车成本的7-10%,是除电池外贵的零部件之一。新能源汽车中的功率半导体价值量提升十分,根据英飞凌的数据,新能源中汽车功率半导体器件的价值量约为传统燃油车的5倍以上。其中,IGBT约占新能源汽车电控系统成本的37%,是电控系统中的电子器件之一,因此,未来新能源汽车市场的快速增长,有望带动以IGBT为的功率半导体器件的价值量提升,从而有力推动IGBT市场的发展。采用IGBT进行功率变换能够提高用电效率和质量,具有高效节能和绿色环保的特点。

回顾功率器件过去几十年的发展,1950-60年代双极型器件SCR,GTR,GTO,该时段的产品通态电阻很小;电流控制,控制电路复杂且功耗大;1970年代单极型器件VD-MOSFET。但随着终端应用的需求,需要一种新功率器件能同时满足:驱动电路简单,以降低成本与开关功耗、通态压降较低,以减小器件自身的功耗。1980年代初,试图把MOS与BJT技术集成起来的研究,导致了IGBT的发明。 在IGBT使用过程中,可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小,从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。igbt应用在诸如变频器、大功率开关电源等电力电子技术中。江苏富士IGBT厂家

因为IGBT的工作状态与正向棚电压有很大关系,正向栅电压越高,开通损耗越小,正向压降也越小。苏州IGBT电话

IGBT绝缘栅双极型功率管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为1500V的高压变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。苏州IGBT电话

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