IGBT模块2MBI300U4D-120

IGBT模块应用范围十分，不仅是电动汽车及充电桩等设备的技术部件，广泛应用于智能电网的发电端、输电端、变电端及用电端，也已成为轨道交通车辆牵引变流器和各种辅助变流器的主流电力电子器件。就新能源车来说，IGBT约占电机驱动系统成本的一半，占整车成本的7-10%，是除电池之外成本第二高的元件，也决定了整车的能源效率。由于IGBT器件处在电力产品的位置，产品在恶劣运行环境与极端工况下，客户除了对器件的开关性能关注外，还对器件的安全工作区和长期可靠性要求极高。除了可靠性测试满足1000小时外，功率循环试验也是考核IGBT器件封装长期可靠性重要的测试项目，通过加速老化过程可提前暴露可能的薄弱点，也是能模拟器件在实际工作中的试验项目。IGBT模块是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品。IGBT模块2MBI300U4D-120

IGBT的过流保护可分为两种情况：(1)驱动电路中无保护功能;(2)驱动电路中设有保护功能。对于第一种情况，我们可以在主电路中要设置过流检测器件;针对第二种情况，由于不同型号的混合驱动模块，其输出能力、开关速度与du/dt的承受能力不同，使用时要根据实际情况恰当选用。对于大功率电压型逆变器新型组合式IGBT过流保护则可以通过驱动信号或者减小栅压来进行保护。GBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率。IGBT模块6MBI180VX-120-50功率器件IGBT能否正确可靠地使用起着至关重要的作用。

功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。功率半导体细分为功率器件（分立器件的一支）和功率IC（集成电路的一支）。理想情况下，完美的转化器在打开的时候没有任何电压损失，在开闭转换的时候没有任何的功率损耗，因此功率半导体这个领域的产品和技术创新，其目标都是为了提高能量转化效率。在使用igbt构成的各种主回路之中，大功率igbt驱动保护电路起到弱电控制强电的终端界面(接口)作用。

众所周知，IGBT是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件，具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点，被广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差，一旦出现意外就会使它损坏。为此，必须对IGBT进行相关保护。一般我们从过流、过压、过热三方面进行IGBT保护电路设计。IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。IGBT具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。

过流与短路保护是两个概念，它们既有联系也有区别。过流大多数是指某种原因引起的负载过载；短路是指桥臂直通，或主电压经过开关IGBT的无负载回路，它们的保护方法也有一定区别。如过流保护常用电流检也传感器，短路保护常通过检测IGBT饱和压降，配合驱动电路来实现。不同的功率有不同的方法来实现过流或短路保护。由于IGBT等功率器件都存在一定的结电容，所以会造成器件导通关断的延迟现象。虽然我们尽量考虑去降低该影响（提高控制极驱动电压电流，设置结电容释放 回路等）。电力电子技术在当今急需节能降耗的工业领域里起到了不可替代的作用。IGBT模块2MBI450VH120-50

组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。IGBT模块2MBI300U4D-120

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