天津富士IGBT管子

过流与短路保护是两个概念，它们既有联系也有区别。过流大多数是指某种原因引起的负载过载；短路是指桥臂直通，或主电压经过开关IGBT的无负载回路，它们的保护方法也有一定区别。如过流保护常用电流检也传感器，短路保护常通过检测IGBT饱和压降，配合驱动电路来实现。不同的功率有不同的方法来实现过流或短路保护。由于IGBT等功率器件都存在一定的结电容，所以会造成器件导通关断的延迟现象。虽然我们尽量考虑去降低该影响（提高控制极驱动电压电流，设置结电容释放 回路等）。但是为了防止关断延迟效应造成上下桥臂直通，因为一个桥臂未完全关断，而另一桥臂又处于导通状态，直通炸模块后后果非常严重（的结果是过 热）。绝缘栅双极型晶体管在大家熟悉的电动汽车上就有大量运用。天津富士IGBT管子

IGBT绝缘栅双极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为1500V的高压变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。浙江英飞凌IGBT模块IGBT模块又名绝缘栅双极型晶体管。

IGBT是半导体，半导体有自己的行业协会，即JEDEC，全称Joint Electron Device Engineering Council。它是全球微电子产业的标准机构，已经制定并维护着1000余项标准与出版文件。JEDEC的主要职能包括制定术语、定义、产品特征描述与操作、测试方法、生产支持功能、产品质量与可靠性、机械外形等标准。与集成电路不同，功率半导体的前端制造对于工艺要求较低，对后端封装和针对化应用则有更高的要求。中国半导体封装产业链目前已经较为接近国际水平，同时中国拥有全球下游应用市场，可以认为国内企业具备充分的追赶条件。

IGBT 既可控制信号的导通、也可控制信号的关断，是典型的全控型功率半导体器件，目前，以 IGBT 为的全控型功率半导体器件在工作频率、工作电压和信号控制性等方面的性能出众，正逐步发展为率半导体器件的主流应用形态。新能源汽车中的功率半导体价值量提升十分，根据英飞凌的数据，新能源中汽车功率半导体器件的价值量约为传统燃油车的5倍以上。其中，IGBT约占新能源汽车电控系统成本的37%，是电控系统中的电子器件之一，因此，未来新能源汽车市场的快速增长，有望带动以IGBT为的功率半导体器件的价值量提升，从而有力推动IGBT市场的发展。IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。

IGBT的价格相对稳定：就算在行业下行的2019年大厂商的出厂价格都没有下降，显示出很健康的价格浮动。总结来看，IGBT芯片的更新换代相对比较慢，且是渐进式的创新，不断优化升级，具体到某款IGBT产品，可以用到10年之久；同时供给端来看，IGBT行业巨头主要是德系和日系厂商，风格相对比较保守，不会激进扩张产能和打价格战。需求稳定且价格波动相对小。IGBT模块对产品的可靠性和质量稳定性要求较高，生产工艺复杂，生产中一个看似简单的环节往往需要长时间摸索才能熟练掌握，如铝线键合，表面看只需把电路用铝线连接起来，但键合点的选择、键合的力度、时间及键合机的参数设置、键合过程中应用的夹具设计、员工操作方式等等都会影响到产品的质量和成品率。IGBT模块作为工业产品的器件，需要适应不同应用领域中各种恶劣的工作环境，因此对产品质量的要求较高。如电焊机行业，考虑到逆变电焊机。IGBT模块是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品。IGBT模块7MBP75RU2A120

IGBT驱动电路设计的是否合理直接关系到IGBT的安全、可靠使用。天津富士IGBT管子

IGBT绝缘栅双极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为1500V的高压变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。由于IGBT等功率器件都存在一定的结电容，所以会造成器件导通关断的延迟现象。虽然我们尽量考虑去降低该影响（提高控制极驱动电压电流，设置结电容释放 回路等）。但是为了防止关断延迟效应造成上下桥臂直通，因为一个桥臂未完全关断，而另一桥臂又处于导通状态，直通炸模块后后果非常严重（比较好的结果是过 热）。天津富士IGBT管子

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