稳压二极管在参数选择时，首先需要确定稳压值，这个与负载电路有关，由于稳压二极管并不是每个电压值都有，并且稳压值会存在一定的离散性，所以在选择稳压值时，可以根据负载的情况选择接近的稳压值，比如5V的负载可以选择的稳压二极管。
确定了稳压二极管的稳压值之后，需要确定分压电阻的阻值。在这里的电阻主要起到两个作用：一个是提供稳压二极管的工作电流，另一个是限制稳压二极管的比较大电流。稳压二极管的电流低时，无法起到正常的稳压作用，过高会出现长久击穿。计算电阻的阻值，需要首先确定两个值，一个是输入的电压范围，另一个是负载电流的变化范围，还有另外的两个参数**小电流以及比较大电流，这个可以在稳压二极管的技术手册中查到。
假设输入电压的范围为15V-18V，负载电流变化范围为5-15mA，输出稳压值为12V，稳压二极管的**小电流为，比较大电流为50mA。
根据公式计算：（18V-12V）/（50mA+5mA）
以上是稳压二极管使用时需要确定和计算的几个参数，应该特别主要的是，稳压二极管在使用时是不可以不串联电阻而直接并联在负载上使用的，这样在输入电压超过其稳压值时，不但不会起到稳压作用，还会引起发热损坏。
或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。整流二极管代理销售价格
当三极管满足必要的工作条件后，其工作原理如下：
(1) 基极有电流流动时。由于B极和E极之间有正向电压，所以电子从发射极向基极移动，又因为C极和E极间施加了反向电压，因此，从发射极向基极移动的电子，在高电压的作用下，通过基极进入集电极。于是，在基极所加的正电压的作用下，发射极的大量电子被输送到集电极，产生很大的集电极电流。
（2）基极无电流流动时。在B极和E极之间不能施加电压的状态时，由于C极和E极间施加了反向电压，所以集电极的电子受电源正电压吸引而在C极和E极之间产生空间电荷区，阻碍了从发射极向集电极的电子流动，因
而就没有集电极电流产生。
综上所述，在晶体三极管中很小的基极电流可以导致很大的集电极电流，这就是三极管的电流放大作用。此外，三极管还能通过基极电流来控制集电极电流的导通和截止，这就是三极管的开关作用（开关特性）。
福建可控硅管双极结型晶体管又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件。
利用TVS的钳位特性，将8 kV危险浪涌电压削减到10 V的安全电压。需要注意的是，以上电路应满足Rggt;RS RLoadgt;RS这一条件。
TVS在TN电源系统的应用
雷电过电压波、负载开关等人为操作错误引起的过电压容易通过供电线路侵入电气电子设备内部，造成电气电子设备失效、误动作，甚至造成设备的损坏，造成严重经济损失。稳定电流IZ指管子在正常工作时的参考电流值，其值在稳压区域的大电流IZmax与小电流IZmin之间。通过在电源线路上安装浪涌吸收装置MOV 和TVS,实施两级保护，并对L、N 线进行共模、差模保护。具体做法是在线路的前端安装MOV 作为第1级SPD保护，泄放大部分雷电流，在线路的末端（设备前端）安装大功率TVS作为第二级SPD保护，进一步削弱过电压波幅值，将电网电压降至E/I安全耐压范围之内，如图3所示。要注意的是，MOV与TVS应达到电压和能量的协调与配合，AB之间的线路长度不应小于5 m,否则应增加线路长度或安装退耦器件。
MOS管
现在用于高电压、大电流下基本上都使用MOS管。由于工艺和材料的差异，N沟道的MOS管可以做到耐压高、导通电流大。
IXFK38N80是一款大功率MOS管，称为HiPerFET Power MOSFETS。数据手册给定的参数为：击穿电压Vds = 800V，工作电流：38A。
下图是测量该MOS管击穿电压与电流曲线，它的击穿电压与手册规定的数值基本一致。
IXFK38N80击穿电压电流曲线
通常情况下，MOS管耐压越高，导通电阻就越大，使得MOS的功耗增加。将MOS管与双极性三极管符合，就形成IGBT功率管，它可以在高耐压和低导通电阻两方面做到兼容。
G40N60是手边的一款IGBT，手册给出的击穿电压为。600V 。下图给出的击穿电压电流曲线显示实际的击穿电压在750V左右。
G40N60击穿电压电流曲线
IGBT中由于存在双极性三极管，它是利用少数载流子完成电流导通，所以IGBT的截止时间较长，无法工作在高频电路中。
近年来逐步推广的碳化硅MOS管可以有效的克服IGBT的频率低的问题，在高电压、低电阻、高频率各方面都具有优势。
C2M008012是一款碳化硅MOS管，在《碳化硅MOS管》介绍过它的原理和特性。
C2M008012碳化硅MOS管
但是在前面推文中对它的击穿电压电流曲线测量存在问题，主要是当时所使用的高压电源功率太小造成的。
晶体管可单独包装或在一个非常小的的区域，可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。
8、变容二极管是根据普通二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上，实现低频信号调制到高频信号上，并发射出去。在工作状态，变容二极管调制电压一般加到负极上，使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。
变容二极管发生故障，主要表现为漏电或性能变差：
（1）发生漏电现象时，高频调制电路将不工作或调制性能变差。
（2）变容性能变差时，高频调制电路的工作不稳定，使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。
出现上述情况之一时，就应该更换同型号的变容二极管。
一旦确定了稳压二极管的稳压值之后，需要确定分压电阻的阻值。整流二极管代理销售价格
二极管是比较常用的电子元件之一，他比较大的特性就是单向导电。整流二极管代理销售价格
三极管可以并联使用以扩大电流容量，也可以组成达林顿管的形式来提高三极管的增益。
DB681是一款NPN型的达林顿管，它是由两个NPN三极管组成，***个三极管的发射极连接到第二级三极管的基极。其中还集成有两个三极管的Rbe电阻。它的耐压为：Vceo=100V。
BD681达林顿三极管
下面是测量BD681的C、E之间的击穿电压电流曲线，可以看到这款达林顿三极管的实际Vceo为190V。
NPN型达林顿三极管BD681的C、E击穿电压电流曲线
DB682是一款PNP型号达林顿管，通常与BD681组成互补桥电路功率输出。它的C、E之间的击穿电压电流曲线如下图所示：
PNP型达林顿三极管BD682C、E击穿电压电流曲线
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