TC=℃）------通态平均电流VTM=V-----------通态峰值电压VDRM=V-------------断态正向重复峰值电压IDRM=mA-------------断态重复峰值电流VRRM=V-------------反向重复峰值电压IRRM=mA------------反向重复峰值电流IGT=mA------------门极触发电流VGT=V------------门极触发电压执行标准：QB-02-091．晶闸管关断过电压（换流过电压、空穴积蓄效应过电压）及保护晶闸管从导通到阻断，线路电感（主要是变压器漏感LB）释放能量产生过电压。由于晶闸管在导通期间，载流子充满元件内部，在关断过程中，管子在反向作用下，正向电流下降到零时，元件内部残存着载流子。这些载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流，使残存的载流子迅速消失，这时反向电流减小即diG/dt极大，产生的感应电势很大，这个电势与电源串联，反向加在已恢复阻断的元件上，可导致晶闸管反向击穿。这就是关断过电压（换相过电压）。数值可达工作电压的5~6倍。保护措施：在晶闸管两端并接阻容吸收电路。2．交流侧过电压及其保护由于交流侧电路在接通或断开时出现暂态过程，会产生操作过电压。高压合闸的瞬间，由于初次级之间存在分布电容，初级高压经电容耦合到次级，出现瞬时过电压。我公司将以优良的产品，周到的服务与尊敬的用户携手并进！双向晶闸管移相调压模块报价
BG1、BG2受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，E接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正向阳极电压大到超过一定值时，可控硅也会导通，但已属于非正常工作情况了。可控硅这种通过触发信号（小触发电流）来控制导通（可控硅中通过大电流）的可控特性，正是它区别于普通硅整流二极管的重要特征。由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表1应用举例：可控硅在实际应用中电路花样多的是其栅极触发回路，概括起来有直流触发电路，交流触发电路，相位触发电路等等。1、直流触发电路：如图2是一个电视机常用的过压保护电路，当E+电压过高时A点电压也变高，当它高于稳压管DZ的稳压值时DZ道通，可控硅D受触发而道通将E+短路，使保险丝RJ熔断，从而起到过压保护的作用。2、相位触发电路：相位触发电路实际上是交流触发电路的一种，如图3，这个电路的方法是利用RC回路控制触发信号的相位。当R值较少时，RC时间常数较少，触发信号的相移A1较少，因此负载获得较大的电功率；当R值较大时，RC时间常数较大，触发信号的相移A2较大。江苏单相晶闸管移相调压模块分类淄博正高电气秉承团结、奋进、创新、务实的精神，诚实守信，厚德载物。
1可控硅模块是有PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极，阳极a，阴极K和控制机G所构成的。21、可控硅模块的应用领域模块应用详细说明介绍：可控硅模块应用于控温、调光、励磁、电镀、电解、充放电、电焊机、等离子拉弧、逆变电源等需对电力能量大小进行调整和变换的场合，如工业、通讯、**等各类电气控制、电源等，根据还可通过可控硅模块的控制端口与多功能控制板连接，实现稳流、稳压、软启动等功能，并可实现过流、过压、过温、缺相等保护功能。32、可控硅模块的控制方式：通过输入可控硅模块控制接口一个可调的电压或者电流信号，通过调整该信号的大小即可对可控硅模块的输出电压大小进行平滑调节，实现可控硅模块输出电压从0V至任一点或全部导通的过程。电压或电流信号可取自各种控制仪表、计算机D/A输出，电位器直接从直流电源分压等各种方法；控制信号采用0～5V，0～10V，4～20mA三种比较常用的控制形式。43、满足可控硅模块工作的必要条件：（1）+12V直流电源：可控硅模块内部控制电路的工作电源。①可控硅模块输出电压要求：+12V电源：12±，纹波电压小于20mv。②可控硅模块输出电流要求：标称电流小于500安培产品：I+12V＞。
可控硅模块在电路中的作用的什么？提到可控硅模块，人们都会想到它是一种类似于二极管的东西，但是详细作用往往不是特别了解，尤其是在电路中的作用更是知之甚少，下面，正高电气就在给你普及一下相关知识，详细讲解可控硅模块在电路中的作用。可控硅在电路中的作用一般有两种，主要是可控整流和无触点开关。可控整流：一般来说，普通的可控硅模块在电路中的用途就是可控整流，像大家都比较熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路，如果能够将二极管换成可控硅模块，就能够构成可控整流电路、逆变、电机调速、电机励磁、无触点开关机自动控制等多个方面的应用。在电工技术中，经常将交流电的半个周期为180度，称为电角度，这样在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度成为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。无触点开关：可控硅模块的作用当然也不仅*是整流，它还可以作为无触点开关来用，以便于更好的快速接通或者切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变。淄博正高电气始终坚持以人为本，恪守质量为金，同建雄绩伟业。
可控硅模块又叫晶闸管。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极：层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。用万用表可以区分可控硅模块的三个电极普通晶闸管的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结〔图2(a)〕，相当于一个二极管，G为正极、K为负极，所以，按照测试二极管的方法，找出三个极中的两个极，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制极G，红表笔接的是阴极K，剩下的一个就是阳极A了。测试晶闸管的好坏，可以用刚才演示用的示教板电路(图3)。接通电源开关S，按一下按钮开关SB，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的。淄博正高电气热忱欢迎新老客户惠顾。江苏单相晶闸管移相调压模块分类
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可控硅损坏原因判别哪种参数坏了？当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时，可把管芯从冷却套中取出，打开芯盒再取出芯片，观察其损坏后的痕迹，以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，损坏的面积小，有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，损坏的面积大，其位置在远离控制极上。3电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同，而其位置在控制极附近或就在控制极上。4、边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。5、G-K电压击穿。晶闸管G-K间因不能承受反向电压（）12V）而损坏，其芯片G-K间有烧焦的通路（短路痕迹）。双向晶闸管移相调压模块报价
