LEM霍尔传感器定制公司

在我们的日常生活中，霍尔传感器被普遍应用。未来几年，随着越来越多的汽车电子和工业设计企业转移到中国，霍尔传感器在中国市场的年销售额将保持20%到30%的高速增长。与此同时，霍尔传感器的相关技术仍在不断完善中，霍尔传感器将有更好的市场前景。霍尔芯片的主要指标有：灵敏度、精确度、温度漂移、失调、线性度、动态范围等。对磁场精度要求不高的霍尔芯片已经有一批相当成熟的产品，但是霍尔盘的缺陷限制了其在高精度测量场合中的应用。温度漂移和失调电压是霍尔盘主要的缺陷，温度漂移使霍尔传感器的线性度变差，失调电压易使处理电路饱和，影响测量范围。霍尔电流传感器在测量方式上可以分为两种，开环式霍尔电流传感器和闭环式霍尔电流传感器。LEM霍尔传感器定制公司

霍尔传感器普遍应用在变频调速装置、逆变装置、UPS电源、通信 电源、电焊机、电力机车、变电站、数控机床、电解电镀、微机监测、电网监测等需要隔离检测电流的设施中以及新兴的太阳能、风能和地铁轨道信号、汽车电子等领域。霍尔传感器元件两激励电流端的直流电阻称为输入电阻。它的数值从几欧到儿百欧，视不同型号的元件而定。温度升高，输入电阻变小，从而使输入电流变大，比较终引起霍尔传感器电势变化。为了减少这种影响，比较好采用恒流源作为激励源。两个霍尔传感器电势输出端之间的电阻称为输出电阻，它的数位与输入电阻同一数量级。它也随温度改变顺改变。选择适当的负载电阻易与之匹配，可以使由温度引起的程水电势的漂移减至比较小。成都比亚迪霍尔传感器霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。

这里小编为您整理了如下几点关于霍尔传感器的 1、 霍尔传感器可以测量任意波形的电流和电压，如：直流、交流、脉冲波形等，甚至对瞬态峰值的测量。副边电流忠实地反应原边电流的波形。 2、 原边电路与副边电路之间完全电隔离，绝缘电压一般可到12KV。 3、 精度高：在额定点精度优于1%， 4、 线性度好：优于0.1% 5、 动态性能好：响应时间小于１μs,追踪速度di/dt高于50A/μs 6、工作频带宽：一般比较高可以到100kHz，常态工作频率可到20kHz 7. 测量范围宽：霍尔传感器模块为系统产品，电流测量可达20KA，电压测量可达10kV。 8、 过载能力强：当原边电流超负荷，模块达到饱和，可自动保护，即使过载电流是额定值的几倍时，模块也不会损坏。 9、 模块尺寸小，重量轻，易于安装。 10、 模块的初级与次级之间的“电容效应”是很弱的，共模电压的各种影响通常可以忽略。 11、 抗外磁场干扰能力强：在距模块5-10cm处有一个两倍于工作电流(2Ip)的电流所产生的磁场干扰而引起的误差较小，这对大多数应用，抗外磁场干扰是足够的，但对很强磁场的干扰要采取适当的措施，比如做好导磁或者屏蔽。

霍尔传感器可以测量任意波形的电流和电压，如：直流、交流、脉冲波形等，甚至对瞬态峰值的测量。副边电流忠实地反应原边电流的波形。而普通互感器则是无法与其比拟的，它一般只适用于测量50Hz正弦波原边电路与副边电路之间有良好的电气隔离，隔离电压可达9600Vrms。精度高：在工作温度区内精度优于1%，该精度适合于任何波形的测量；霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高（可达μm级）。宽带宽：高带宽的电流传感器上升时间可小于1μs；但是，电压传感器带宽较窄，一般在15kHz以内，6400Vrms的高压电压传感器上升时间约500uS，带宽约700Hz。测量范围普遍：电流测量可达50KA，电压测量可达6400V。结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。霍尔效应传感器提供线性或数字输出。

霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，普遍地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。霍尔传感器是依据霍尔效应制作的。是霍尔1879年在研究金属导电机构时发明的，之后有在导电流体和半导体中均发现此效应。霍尔器件拥有着众多特点，它体积小，重量轻，安装方便，功耗小，频率高还生命长，耐振动不怕油污，水汽，盐雾灰尘等污染。 霍尔传感器分为线型霍尔传感器和开关型霍尔传感器两种，而开关型霍尔，又分为单极霍尔、双极锁存霍尔。成都比亚迪霍尔传感器

霍尔传感器是霍尔类元件的总称，而大多数用户是将其作为电子固态开关来使用，又简称其为霍尔开关。LEM霍尔传感器定制公司

霍尔效应传感器是由外部磁场的设备。我们知道磁场有两个重要特性：磁通密度，（B）和极性（北极和南极）。霍尔效应传感器的输出信号是器件周围磁场密度的函数。当传感器周围的磁通密度超过某个预设阈值时，传感器检测到它并产生称为霍尔电压V H的输出电压。霍尔传感器基本上由一块薄的矩形p型半导体材料组成，例如砷化镓（GaAs），锑化铟（InSb）或砷化铟（InAs），它们通过自身连续的电流。当器件放置在磁场中时，磁通线在半导体材料上施加力，该力使电荷载流子，电子和空穴偏转到半导体板的任一侧。电荷载流子的这种运动是它们经过半导体材料所经受的磁力的结果。LEM霍尔传感器定制公司

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