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    这种软开关方式可以显着地减小开关损耗，以及开关过程中激起的振荡，使开关频率可以大幅度提高，为转换器的小型化和模块化创造了条件。功率场效应管（MOSFET）是应用较多的开关器件，它有较高的开关速度，但同时也有较大的寄生电容。它关断时，在外电压的作用下，其寄生电容充满电，如果在其开通前不将这一部分电荷放掉，则将消耗于器件内部，这就是容性开通损耗。为了减小或消除这种损耗，功率场效应管宜采用零电压开通方式（ZVS）。绝缘栅双极性晶体管（InsulatedGateBipolartansistor，IGBT）是一种复合开关器件，关断时的电流拖尾会导致较大的关断损耗，如果在关断前使流过它的电流降到零，则可以显着地降低开关损耗，因此IGBT宜采用零电流（ZCS）关断方式。IGBT在零电压条件下关断，同样也能减小关断损耗，但是MOSFET在零电流条件下开通时，并不能减小容性开通损耗。谐振转换器（ResonantConverter，RC）、准谐振转换器（Qunsi-TesonantConverter，QRC）、多谐振转换器（Multi-ResonantConverter，MRC）、零电压开关PWM转换器（ZVSPWMConverter）、零电流开关PWM转换器（ZCSPWMConverter）、零电压转换（Zero-Voltage-Transition，ZVT）PWM转换器和零电流转换。

    当电流采样信号vcsr高于电流阈值(即第四阈值vth4)时，该逻辑单元91被复位。即所述逻辑单元91响应触发信号被置位，响应电流采样信号vcsr和电流阈值(即第四阈值vth4)的比较结果被复位，从而产生所述第二控制信号gsr2。在图10所示实施例中，第二逻辑电路19还可以包括：第三比较器92，对电流采样信号vcsr和第四阈值vth4进行比较，所述比较结果对逻辑单元91进行复位。在一个实施例中，反馈控制器14将误差信号vea传递至其输出，当第二控制信号gsr2控制副边开关电路101断开后并经过一定时间的延迟(如本领域技术人员熟知的死区时间，通常为数十纳秒至数百纳秒)，原边功率开关q1被导通。由于在信号传递过程中，电路本身带有一定的延迟，不一定需要额外的延迟电路设定死区时间。因此原边电路u2可以直接响应第二控制信号gsr2对副边开关电路101的断开控制，控制原边功率开关q1导通。以下结合图12、图13阐述根据本发明实施例的开关电源电路的运行过程。其中图12示出了开关电源电路运行于电流断续模式时的各信号时序波形，图13示出了开关电源电路运行于临界电流模式时的各信号时序波形。电源裸板是什么意思？

    图11示出根据本发明实施例的开关频率f与误差信号vea的关系示意图；图12示出了开关电源电路运行于电流断续模式时的各信号时序波形；图13示出了开关电源电路运行于临界电流模式时的各信号时序波形；图14示出根据本发明实施例的开关电源电路1400的电路结构示意图；图15示出根据本发明实施例的开关电源电路1500的电路结构示意图；图16示出图15所示实施例中原边采样电流vcsp、流过副边开关电路101的电流i101、副边开关电路101两端的电压vdsr、副边控制信号gsr、第二控制信号gsr2、接地开关32的控制信号g32、误差信号vea、隔离反馈信号fbi以及反馈输出信号fbo的时序波形图；图17示出根据本发明实施例的开关电源电路1700的电路结构示意图；图18示出图17所示实施例中误差信号vea、三角波信号vsaw、隔离反馈信号fbi以及反馈输出信号fbo的时序波形图；图19示出根据本发明实施例的开关电源电路1900的电路结构示意图；图20示出根据本发明实施例的开关电源电路2000的电路结构示意图；图21示出根据本发明实施例的开关电源电路2100的电路结构示意图。24V5A电源适配器(裸板。口碑好的裸板电源欢迎咨询

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