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管基本参数
  • 产地
  • 深圳
  • 品牌
  • 凯轩业
  • 型号
  • 是否定制
管企业商机


特殊二极管


稳压二极管是利用二极管反向击穿后伏安关系特别垂直的特性工作,即击穿后电压有微小的增加时,击穿电流增加巨大这一特性,使得当电路中电流有波动时,稳压管两端的电压基本不变。


稳压管是否被反向击穿,可以借用二极管是否导通的方法来判断,即先断开稳压管,然后看两个断点之间的电压是否满足反向电压,且数值大于击穿电压。若反向且大于击穿电压,则接入稳压管后稳压管反向击穿,两点之间电压变为稳压值。但是这种方法有个问题就是击穿后的电流可能非常大,超过了稳压管的承受能力,时间一长将烧坏稳压管。


使用稳压管时不但要考虑其被反向击穿,还要考虑能否长期安全工作。所以还需要判断其工作电流是否在稳压管的安全电流范围。具体方法是先假设稳压管被反向击穿,然后计算其电流,判断是否处于这个安全范围。若是,则假设成立,不但被反向击穿而且可长期工作。否则为未被反向击穿或电流过大损坏。


反向击穿电压的检测 二极管反向击穿电压(耐压值)可以用晶体管直流参数测试表测量。贴片稳压二极管直销

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MOS管


现在用于高电压、大电流下基本上都使用MOS管。由于工艺和材料的差异,N沟道的MOS管可以做到耐压高、导通电流大。


IXFK38N80是一款大功率MOS管,称为HiPerFET Power MOSFETS。数据手册给定的参数为:击穿电压Vds = 800V,工作电流:38A。



下图是测量该MOS管击穿电压与电流曲线,它的击穿电压与手册规定的数值基本一致。


IXFK38N80击穿电压电流曲线


通常情况下,MOS管耐压越高,导通电阻就越大,使得MOS的功耗增加。将MOS管与双极性三极管符合,就形成IGBT功率管,它可以在高耐压和低导通电阻两方面做到兼容。


G40N60是手边的一款IGBT,手册给出的击穿电压为。600V 。下图给出的击穿电压电流曲线显示实际的击穿电压在750V左右。


G40N60击穿电压电流曲线


IGBT中由于存在双极性三极管,它是利用少数载流子完成电流导通,所以IGBT的截止时间较长,无法工作在高频电路中。


近年来逐步推广的碳化硅MOS管可以有效的克服IGBT的频率低的问题,在高电压、低电阻、高频率各方面都具有优势。


C2M008012是一款碳化硅MOS管,在《碳化硅MOS管》介绍过它的原理和特性。


C2M008012碳化硅MOS管



但是在前面推文中对它的击穿电压电流曲线测量存在问题,主要是当时所使用的高压电源功率太小造成的。



东莞可控硅管TVS(Transient Voltage Suppressor) 或称瞬态***二极管,是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品.

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三极管的特殊用途:


半导体三极管除了构成放大器和作开关元件使用外,还能够做成一些可**使用的两端或三端器件。


1. 扩流。


把一只小功率可控硅(晶闸管)和一只大功率三极管组合,就可得到一只大功率可控硅,其比较大输出电流由大功率三极管的特性决定,见附图1。图2为电容容量扩大电路。利用三极管的电流放大作用,将电容容量扩大若干倍。这种等效电容和一般电容器一样,可浮置工作,适用于在长延时电路中作定时电容。用稳压二极管构成的稳压电路虽具有简单、元件少、制作经济方便的优点,但由于稳压二极管稳定电流一般只有数十毫安,因而决定了它只能用在负载电流不太大的场合。图3可使原稳压二极管的稳定电流及动态电阻范围得到较大的扩展,稳定性能可得到较大的改善。


2. 代换。


图4中的两只三极管串联可直接代换调光台灯中的双向触发二极管;图5中的三极管可代用8V左右的稳压管。图6中的三极管可代用30V左右的稳压管。上述应用时,三极管的基极均不使用。



MOS管


MOS管是电压控制型器件,栅极(G)的电压控制源极(S)和漏极(D)之间的电流。下面以NMOS为例图示如下。


NMOS管的原理图示如下


它们好像是一个受外界磁力控制的开关,当外面有红色磁体时,好像栅极(G)加压,内部的黄色阀门就开启,绿色的电子好像水流一样就会从源极(S)流到漏极(D)。


刚开始水流随着阀门的开启增大而增大,这就是线性工作区。当阀门开到一定程度,水流不会再增大了,因为管子满了。这就是饱和区工作状态。


快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构。

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红外发光二极管的检测


  1.正、负极性的判别 红外发光二极管多采用透明树脂封装,管心下部有一个浅盘,管内电极宽大的为负极,而电极窄小的为正极。也可从管身形状和引脚的长短来判断。通常,靠近管身侧向小平面的电极为负极,另一端引脚为正极。长引脚为正极,短引脚为负极。


  2.性能好坏的测量 用万用表R×10k档测量红外发光管有正、反向电阻。正常时,正向电阻值约为15~40kΩ(此值越小越好);反向电阻大于500kΩ(用R×10k档测量,反向电阻大于200 kΩ)。若测得正、反向电阻值均接近零,则说明该红外发光二极管内部已击穿损坏。若测得正、反向电阻值均为无穷大,则说明该二极管已开路损坏。若测得的反向电阻值远远小于500kΩ,则说明该二极管已漏电损坏。


将万用表置于R×100档或R×1k档,两表笔分别接二极管的两个电极,测出一个结果后,再测出一个结果。高效率二极管品牌企业

检测晶体三极管时,选择反应灵敏的指针万用表。将万用表的量程调整至挡,并进行调零校正。贴片稳压二极管直销

二、三极管


三极管是电流控制型器件,基极(B)的电流控制发射极(E)和集电极(C)之间的电流。下面以NPN管为例图示如下。


NPN管的原理图示


三极管好像是一个为了取小水而漏掉大水的例子。如上图所示,当不取水时,阀门关闭了大小管道,都没有电流。当通过小管道开启阀门取一点水的时候,水就会漫过阀门空隙流到大管道另外一端。当阀门开的越大,漏掉的水就越多,好像小水流可以控制大漏水一样,这就是线性工作区。如果阀门开大到一定程度,管子满了,那么再开大阀门也不会增加水流了,这就是饱和工作区。


MOS管和三极管的特点有点相似:它们都可以做开关(饱和区),也都可以做放大器(线性区)使用。但是MOS管由于栅极与源漏之间是隔开的,没有像三极管那样直接联通,所以使用起来,各电极之间信号更干净更容易控制。所以MOS管已经是集成电路的主力了。



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