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管基本参数
  • 产地
  • 深圳
  • 品牌
  • 凯轩业
  • 型号
  • 是否定制
管企业商机

高温反偏试验:抽检,施加80%的反向额定电压(DC),150℃,肖特基二极管电路,96小时。这个试验是对二极管耐压的严厉的考验,如果通过,其耐压品质堪称1流。如果降低要求,施加70%的反向额定电压,其他不变。


稳压二极管


普通二极管与稳压二极管的区分方法。先将万用表置R×1k档,按前述方法测出二极管的正、负极;然后将黑表笔接被测二极管负极,红表笔接二极管正极,此时所测为PN结反向电阻,阻值很大,表针不偏转。然后将万用表转换到R×10k档,此时表针如果向右偏转一定角度,说明被测二极管是稳压二极管;若表针不偏转,说明被测二极管可能不是稳压二极管(说明:以上方法*适于测量稳压值低于万用表 R×10k档电池电压的稳压二极管)。


稳压二极管在使用时是反向并联在负载两端的,如果输入的电压没有超过其稳压值。发光二极管出厂价格

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稳压二极管在参数选择时,首先需要确定稳压值,这个与负载电路有关,由于稳压二极管并不是每个电压值都有,并且稳压值会存在一定的离散性,所以在选择稳压值时,可以根据负载的情况选择接近的稳压值,比如5V的负载可以选择的稳压二极管。

确定了稳压二极管的稳压值之后,需要确定分压电阻的阻值。在这里的电阻主要起到两个作用:一个是提供稳压二极管的工作电流,另一个是限制稳压二极管的比较大电流。稳压二极管的电流低时,无法起到正常的稳压作用,过高会出现长久击穿。计算电阻的阻值,需要首先确定两个值,一个是输入的电压范围,另一个是负载电流的变化范围,还有另外的两个参数**小电流以及比较大电流,这个可以在稳压二极管的技术手册中查到。

假设输入电压的范围为15V-18V,负载电流变化范围为5-15mA,输出稳压值为12V,稳压二极管的**小电流为,比较大电流为50mA。

根据公式计算:(18V-12V)/(50mA+5mA)

以上是稳压二极管使用时需要确定和计算的几个参数,应该特别主要的是,稳压二极管在使用时是不可以不串联电阻而直接并联在负载上使用的,这样在输入电压超过其稳压值时,不但不会起到稳压作用,还会引起发热损坏。


TSS二极管制造商肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右。

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在三极管be之间增加偏置电阻,测量Vce击穿电压




下图中给出了Rbe分别去2k,51k,100k的情况下,C、E的电压电流曲线。可以看到C、E的击穿电压位于Vceo与Vcbo之间。




所以在正常设计三极管电路的时候,需要根据等效的Rbe数值来对三极管的耐压余量进行选择。




在不同的Rbe的阻值下,Vce的击穿电压曲线




由于三极管的发射区掺杂浓度很高,B、E之间的反向击穿电压往往小于10V。




因此,在使用三极管的时候,如果错把集电极和发射极弄混,除了会引起电流放大倍数的下降之外,因为Vebo,Vceo的差异,电路中的三极管的也会被击穿。




和二极管一样,半导体器件的参数往往离散型很大。下面是两个不同批次的S8050的Vceb的耐压曲线。反向击穿电压相差30%左右。


两个不同批次的S8050Vceo的电压



TVS1.5KE100A反向电压电流曲线




1N5404是一款**率整流二极管,正向平均电流3A,反向耐压400V。下面是它的反向电压电流曲线:


1N5404整流二极管反向电压电流曲线




肖特基二极管前向导通电压比较低,用于整流可以提高整流效率。反向耐压比硅二极管低。




1N5817是一款整流肖特二极管,数据手册给定的反向耐压为20V。下面是它的反向耐压电流曲线。当电压接近60V时反相电流急剧上升,随着电流增加,反向电压反而下降,呈现明显的复阻抗特性。


稳压二极管的稳压作用,就是利用了它的反向击穿作用。

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一:二极管的分类


1、按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。


2、根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。


3、按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。


  1) 整流二极管


      将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管。


  2)检波二极管


     检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。




肖特基二极管SBD (Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。安徽整流二极管

并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。发光二极管出厂价格

半导体三极管


1、半导体三极管英文缩写:Q/T


2、半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示,如:Q17表示编号为17的三极管。


3、半导体三极管特点:半导体三极管(简称晶体管)是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型,这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补,所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。


按材料来分 可分硅和锗管,我国目前生产的硅管多为NPN型,锗管多为PNP型。


4、半导体三极管放大的条件:要实现放大作用,必须给三极管加合适的电压,即管子发射结必须具备正向偏压,而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。


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