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  • 四川整流二极管,管
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管基本参数
  • 产地
  • 深圳
  • 品牌
  • 凯轩业
  • 型号
  • 是否定制
管企业商机

场效应管好坏与极性判别:将万用表的量程选择在RX1K档,用黑表笔接D极,红表笔接S极,用手同时触及一下G,D极,场效应管应呈瞬时导通状态,即表针摆向阻值较小的位置,再用手触及一下G,S极, 场效应管应无反应,即表针回零位置不动.此时应可判断出场效应管为好管.


将万用表的量程选择在RX1K档,分别测量场效应管三个管脚之间的电阻阻值,若某脚与其他两脚之间的电阻值均为无穷大时,并且再交换表笔后仍为无穷大时,则此脚为G极,其它两脚为S极和D极.然后再用万用表测量S极和D极之间的电阻值一次,交换表笔后再测量一次,其中阻值较小的一次,黑表笔接的是S极,红表笔接的是D极.



也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接。四川整流二极管

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特殊二极管


稳压二极管是利用二极管反向击穿后伏安关系特别垂直的特性工作,即击穿后电压有微小的增加时,击穿电流增加巨大这一特性,使得当电路中电流有波动时,稳压管两端的电压基本不变。


稳压管是否被反向击穿,可以借用二极管是否导通的方法来判断,即先断开稳压管,然后看两个断点之间的电压是否满足反向电压,且数值大于击穿电压。若反向且大于击穿电压,则接入稳压管后稳压管反向击穿,两点之间电压变为稳压值。但是这种方法有个问题就是击穿后的电流可能非常大,超过了稳压管的承受能力,时间一长将烧坏稳压管。


使用稳压管时不但要考虑其被反向击穿,还要考虑能否长期安全工作。所以还需要判断其工作电流是否在稳压管的安全电流范围。具体方法是先假设稳压管被反向击穿,然后计算其电流,判断是否处于这个安全范围。若是,则假设成立,不但被反向击穿而且可长期工作。否则为未被反向击穿或电流过大损坏。


ESD二极管价格正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊,说明二极管的单向导电特性越好。

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TO-252封装尺寸图


  电气特性方面,关于***比较大额定值,六款二极管的反向重复峰值电压均为400v、600v、800v , 反向电压均为400v、600v、800v. 平均整流输出电流为5A/10A, 运行结温均为150℃,储存温度均为-55℃~+150℃。正向不重复峰值电流(浪涌电流)不同。


  六款直插超快速恢复二极管的产品特性:


  . 低开关损耗


  . 低正向电压


  . 高电流过载能力


  六款直插超快速恢复二极管的结构:


  . 硅外延平面型


  . 玻璃钝化PN结型


    六款超快速恢复二极管替代传统直插DO-27封装的应用:通用的整流应用


8、变容二极管是根据普通二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上,实现低频信号调制到高频信号上,并发射出去。在工作状态,变容二极管调制电压一般加到负极上,使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。


变容二极管发生故障,主要表现为漏电或性能变差:


(1)发生漏电现象时,高频调制电路将不工作或调制性能变差。


(2)变容性能变差时,高频调制电路的工作不稳定,使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。


出现上述情况之一时,就应该更换同型号的变容二极管。



肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右。

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半导体三极管


1、半导体三极管英文缩写:Q/T


2、半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示,如:Q17表示编号为17的三极管。


3、半导体三极管特点:半导体三极管(简称晶体管)是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型,这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补,所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。


按材料来分 可分硅和锗管,我国目前生产的硅管多为NPN型,锗管多为PNP型。


4、半导体三极管放大的条件:要实现放大作用,必须给三极管加合适的电压,即管子发射结必须具备正向偏压,而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。



检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。通用二极管联系方式

单负导电性能的检测及好坏的判断 通常,锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右,反向电阻值为300左右。四川整流二极管


三极管各区的工作条件:


1.放大区:发射结正偏,集电结反偏:


2.饱和区:发射结正偏,集电结正偏;


3.截止区:发射结反偏,集电结反偏。


11、半导体三极管的好坏检测


a;先选量程:R﹡100或R﹡1K档位


b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:


红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.


c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:


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