三、单结晶体管振荡器
1.单结晶体管振荡器电路
在电子电路中，常常利用单结晶体管的负阻特性和RC电路的充放电特性，组成非正弦波脉冲振荡电路，单结晶体管振荡电路如图6a所示。图中，R、C为充放电元件，V为单结晶体管，Rb1、Rb2为基极电阻，其中Rb2为限流电阻，Rb1是负载电阻，其两端产生的电压降就是振荡输出信号。
2.单结晶体管振荡电路的工作原理
单结晶体管振荡电路的工作原理如下。当开关S闭合后，电源Ucc接入电路中，单结晶体管的b2经电阻Rb2与电源的正极相连，b1经电阻Rb1与电源的负极相接，即b2、b1之间加上了一个正电压。同时，电源Ucc还通过电阻R对电容C进行充电，电容两端的电压Uc随时间按**规律上升，充电时间常数τ=RC。
当电容两端的电压Uc，即发射极所加的电压Ue＜Up峰点电压时，单结晶体管的Ie电流为很小的反向漏电电流，单结晶体管是处于截止状态的，其e、b1极之间的等效阻值非常大，电阻Rb1上无电流通过，输出电压Uo=0，即无脉冲信号输出
vt是一个npn型三极管，起放大作用。湖南mos晶体管
目前应用*****，工艺**成熟的半导体材料就是硅（Si），大家电脑和手机中CPU都是用硅做的，以硅举例，经过取材和反复提炼之后的高纯硅是几乎绝缘的，人们也没法直接拿一块高纯硅来用，这需要后续的掺杂，才能使其具有导电性，再加上其他许多后续的半导体工艺，才能真正做成各类器件芯片，投入实用。
掺杂的意思就是，往一块半导体里掺其他元素，即使只掺万分之一，甚至更少数量的其他元素，这个半导体的导电性能，就会发生几万倍甚至更大幅度的变化。并且，根据掺杂元素的种类和浓度的不同，它的导电性能和其他特性还会发生有趣的变化。掺入Ⅲ族元素的硅是P（positive，正）型半导体，主要以空穴导电；掺入Ⅴ族元素的硅是N（negative，负）型半导体，主要以电子导电。（这个具体的形成过程比较简单，略，想要进一步了解私聊我，或者翻阅教科书）
深圳电力晶体管利用上千万颗晶体管，怎样制出一颗芯片？
详细解析，芯片里面100多亿晶体管是如何实现的？ *
如今随着芯片制程的不断提升，芯片中可以有100多亿个晶体管，如此之多的晶体管，究竟是如何安上去的呢？
这是一个Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看见CPU内部的层状结构，越往下线宽越窄，越靠近器件层。
这是CPU的截面视图，可以清晰的看到层状的CPU结构，芯片内部采用的是层级排列方式，这个CPU大概是有10层。其中**下层为器件层，即是MOSFET晶体管。
Mos管在芯片中放大可以看到像一个“讲台”的三维结构，晶体管是没有电感、电阻这些容易产生热量的器件的。**上面的一层是一个低电阻的电极，通过绝缘体与下面的平台隔开，它一般是采用了P型或N型的多晶硅用作栅极的原材料，下面的绝缘体就是二氧化硅。平台的两侧通过加入杂质就是源极和漏极，它们的位置可以互换，两者之间的距离就是沟道，就是这个距离决定了芯片的特性。
芯片有数十亿晶体管，光刻机多久能做好一枚芯片？ *
虽说半导体芯片的制造工艺不断升级，但是晶体管本身的大小并没有明显变化，在大约10多年以前，晶体管大都是以2D平面式布局在芯片当中，但是自从2011年英特尔推出3D晶体管层叠结构以来，晶体管便能以层级堆叠的形式排列起来，这样就**增加了晶体管密度，同时借助更先进的制造工艺，晶体管之间的间距也变得更小，这样在同样大小的芯片中才能获得更高的性能或更低的功耗，半导体芯片这么多年也都是按照这样的理念发展的。 单结晶体管虽然有三个电极。
MESFET
金属半导体场效应晶体管（MESFET）之所以被称为这个名称是因为栅极接触是由金属 - 半导体结形成的。如果半导体材料*是低掺杂的，则栅极金属和半导体之间产生的肖特基接触，从而使半导体工程师能够制成非常低泄漏的栅极接触。
HEMT器件
高电子迁移率晶体管（HEMT）与任何其他FET一样工作，除了沟道由两种不同类型的半导体材料（称为异质结）的结构成，以使通道中的自由电子具有更高的迁移率。对于GaAs HEMT，其他半导体材料通常是铝镓砷（AlGaAs）。由n型掺杂剂原子提供的自由电子非常靠近异质结，并形成所谓的二维电子气。这种二维（2D）电子气体被限制远离晶格原子，因此它们不会与它们碰撞，这使电子具有更高的迁移率。电子经历较少碰撞的另一个后果是HEMT的噪声系数远低于普通FET的噪声系数。为卫星***开发的HEMT LNA MMIC示例如图6所示。
凡采用所谓平面工艺来制作的晶体管，都称为平面晶体管。东莞晶体管联系方式
金属氧化物半导体场效应晶体管。湖南mos晶体管
单结晶体管型号命名方式
单结晶体管封装及引脚识别
单结晶体管采用金属直插封装，在其引脚端有引脚识别标志。面向引脚，靠近凸起的为发射极E，逆时针方向分别为第二基极B2和***基极B1。
单结晶体管实物
单结晶体管引脚排序
单结晶体管应用电路
以电子驱蚊器电路为例，了解单结晶体管的应用。
超声波驱蚊器电路
以上为单结晶体管BT33构成的电子驱蚊器电路图，其工作原理为：
当电源开关SW闭合后，电池正极通过可调电阻RP和固定电阻R1向电容C1充电，当C1两端电压达到BT33的峰点电压时，单结晶体管导通，此时C1会通过电阻R3放电，单结晶体管截止；
电池正极再次通过电阻向C1充电，当电压达到峰点电压后，晶体管再次导通。如此反复形成震荡，震荡频率由电阻RP和电容C1的值决定；
震荡信号经过电容C2耦合之后加到三极管VT2的基极，经VT2放大后，经电容C3耦合驱动压电陶瓷片发出超声波来达到驱蚊的效果。
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