我们可以简单地从微观上讲解这个步骤。
在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。
溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，***后留下的图案和掩模上的一致。
“刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。
***光刻胶：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部***后就可以看到设计好的电路图案。
而100多亿个晶体管就是通过这样的方式雕刻出来的，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能，包括放大，开关，稳压，信号调制和振荡器。
晶体管越多就可以增加处理器的运算效率；再者，减少体积也可以降低耗电量；***，芯片体积缩小后，更容易塞入行动装置中，满足未来轻薄化的需求。
可以清晰地看到层状的 CPU 结构，由上到下有大约 10 层，其中**下层为器件层，即是 MOSFET 晶体管。江门作用晶体管
2．单结晶体管的特性——伏安特性
单结晶体管的伏安特性，是指在单结晶体管的e、b1极之间加一个正电压Ue，在b2、b1极之间加一个正电压Ubb，其发射极电流Ie与发射极电压Ue的关系曲线。
由单结晶体管的伏安特性曲线可见：
（1）当发射极所加的电压Ue＜Up(峰点电压，约6～8V)时，单结晶体管的Ie电流为很小的反向漏电电流，即曲线的AP段。此时，单结晶体管是处于截止状态的，其e、b1极之间的等效阻值非常大，e、b1极之间相当于一个断开的开关。
（2）当发射极所加的电压Ue越过Up峰点电压后，单结晶体管开始导通，随着导通电流Ie的增加，其e极对地的电压Ue是不断下降的，即曲线的PV段。在曲线的PV段，其动态的电阻值是负值的，这一区间又叫负阻区。负阻区是一个过渡区，时间很短，随着Ie电流的增加，电压Ue将很快达到谷点电压Uv。
（3）当Ie增加到谷点电压所对应的电流，即谷点电流Iv之后，Ue将随Ie的增加而增加，即曲线的VB段，其动态电阻是正值的，这一区间又称为饱和区。单结晶体管工作在饱和区时，其e、b1极之间的等效阻值非常小，e、b1极之间相当于一个闭合的开关。
综上所述，单结晶体管的e、b1极之间，相当于一个受发射极电压Ue控制的开关，故可以用来作振荡元件。
浙江电子晶体管单结晶体管的内部结构、等效电路、图形符号如图1所示。
单个晶体管的成本收益预测 *
学习曲线，甚至比摩尔定律更为重要，图一是单个晶体管的成本收益学习曲线。自1954 年以来，单个晶体管的收益与可预测学习曲线强相关。在摩尔定律之前，学习曲线为半导体行业提供了一盏指路明灯。德州仪器将其用于战略指定，并与波士顿咨询集团 ( Boston Consulting Group ) 共享数据，后者出版了一本名为《经验展望》( Perspectives on Experience ) 的书。在锗硅分立晶体管时代，像TI 这样的公司可以利用学习曲线，根据生产的**00 个元器件的实际成本，来预测生产10 万个元器件后的单位成本。然后，可以对特定的晶体管元器件进行亏本定价，以获得**的市场份额，当销量达到未来的高单位时，可以实现更高的盈利能力和市场影响力。学习曲线并不是由德州仪器创造的，早于晶体管发明，它在1852 年就被开发出来，被用于航空等行业，当飞机数达到一定量后，就可以用其来预测每架飞机的成本。德州仪器将其引入半导体领域，它利用学习曲线在新元件生命周期早期指导定价策略。
芯片有数十亿晶体管，光刻机多久能做好一枚芯片？ *
虽说半导体芯片的制造工艺不断升级，但是晶体管本身的大小并没有明显变化，在大约10多年以前，晶体管大都是以2D平面式布局在芯片当中，但是自从2011年英特尔推出3D晶体管层叠结构以来，晶体管便能以层级堆叠的形式排列起来，这样就**增加了晶体管密度，同时借助更先进的制造工艺，晶体管之间的间距也变得更小，这样在同样大小的芯片中才能获得更高的性能或更低的功耗，半导体芯片这么多年也都是按照这样的理念发展的。 单结晶体管，也叫双基极二极管，有e、b1、b2三个电极，其三个管脚的极性可用万用表的R×1K挡来进行判断。
晶体管的结构及类型用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管。结构如图(a)所示，位于中间的P区称为基区，它很薄且杂质浓度很低；位于上层的N区是发射区，掺杂浓度很高；位于下层的N区是集电区，面积很大；它们分别引出电极为基极b, 发射极e和集电极c。
晶体管的电流放大作用
如下图所示为基本放大电路，为输入电压信号，它接入基极-发射极回路，称为输入回路；放大后的信号在集电极-发射极回路，称为输出回路。由于发射极是两个回路的公共端，故称该电路为共射放大电路。
晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏且集电结反向偏置，所以输入回路加的基极电源和输出回路加的集电极电源
能够小型化非常关键，晶体管带来了微电子的**变化。Brattain所制作的晶体管是所有晶体管的基础。佛山作用晶体管三极管还能通过基极电流来控制集电极电流的导通和截止，这就是三极管的开关作用（开关特性）。江门作用晶体管
下面的分析*对于NPN型硅晶体管三极管。如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib；把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。
三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制（假设电源 能够提供给集电极足够大的电流的话），并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变 化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数（β一般远大于1，例如几十，几百）。
如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。
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