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管基本参数
  • 产地
  • 深圳
  • 品牌
  • 凯轩业
  • 型号
  • 是否定制
管企业商机


三极管有三个区域,发射区和集电区是同一个类型,而中间的基区是另外一个类型。


发射区发射电荷,集电区收集电荷,基区用于控制发射和收集电荷的数量,即电流大小。


以NPN为例,发射区的电荷(自由电子)要想到达集电区,需要穿过两个PN结:发射结和集电结。在发射区,自由电子是多子,所以需要在发射结上加正偏电压,让PN结消失,作为多子扩散到基区。


到达基区后,极少部分电子通过与基区空穴复合形成电流,从基极流出(电流方向是从基极流入),但基区空穴极少,故大部分电荷没有复合的机会,堆积在集电结附近。基区自由电子称为少子(但是***数量较多,基区本身的自由电子+从发射区扩散来的自由电子),需要在集电结反偏时,作为少子漂移过集电结到达集电区。所以三极管工作时需要在发射结加正偏电压,而集电结加反偏电压。


发射结正偏电压的大小决定了从发射区扩散到基区的电荷数目,也间接决定了将来从基极和集电极流出的电子数目,极电流的大小。


集电结反偏电压的大小也决定了从基区吸引过来的电子的数目多少。所以集电极电流IC是由发射结电压和集电结电压共同作用的结果。



一种固态二极管,专门用于ESD 保护。场效应管采购

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半导体二极管的识别方法:


a;目视法判断半导体二极管的极性:一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极.在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极,另外一端是正极.


b;用万用表(指针表)判断半导体二极管的极性:通常选用万用表的欧姆档(R﹡100或R﹡1K),然后分别用万用表的两表笔分别出接到二极管的两个极上出,当二极管导通,测的阻值较小(一般几十欧姆至几千欧姆之间),这时黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极.当测的阻值很大(一般为几百至几千欧姆),这时黑表笔接的是二极管的负极,红表笔接的是二极管的正极.


c;测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。



PNP三极管销售代理检测晶体三极管时,选择反应灵敏的指针万用表。将万用表的量程调整至挡,并进行调零校正。

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TVS1.5KE100A反向电压电流曲线




1N5404是一款**率整流二极管,正向平均电流3A,反向耐压400V。下面是它的反向电压电流曲线:


1N5404整流二极管反向电压电流曲线




肖特基二极管前向导通电压比较低,用于整流可以提高整流效率。反向耐压比硅二极管低。




1N5817是一款整流肖特二极管,数据手册给定的反向耐压为20V。下面是它的反向耐压电流曲线。当电压接近60V时反相电流急剧上升,随着电流增加,反向电压反而下降,呈现明显的复阻抗特性。


半导体二极管


1、英文缩写:D (Diode),电路符号是



2、半导体二极管的分类


分类:a 按材质分:硅二极管和锗二极管;


b按用途分:整流二极管,检波二极管,稳压二极管,发光二极管,光电二极管,变容二极管。


3、半导体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如:D5表示编号为5的半导体二极管。


4、半导体二极管的导通电压是:


a;硅二极管在两极加上电压,并且电压大于0.6V时才能导通,导通后电压保持在0.6-0.8V之间.


B;锗二极管在两极加上电压,并且电压大于0.2V时才能导通,导通后电压保持在0.2-0.3V之间.


5、半导体二极管主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。


6、半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。


变容二极管是利用 PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件,被***地用于参量放大器.

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场效应管好坏与极性判别:将万用表的量程选择在RX1K档,用黑表笔接D极,红表笔接S极,用手同时触及一下G,D极,场效应管应呈瞬时导通状态,即表针摆向阻值较小的位置,再用手触及一下G,S极, 场效应管应无反应,即表针回零位置不动.此时应可判断出场效应管为好管.


将万用表的量程选择在RX1K档,分别测量场效应管三个管脚之间的电阻阻值,若某脚与其他两脚之间的电阻值均为无穷大时,并且再交换表笔后仍为无穷大时,则此脚为G极,其它两脚为S极和D极.然后再用万用表测量S极和D极之间的电阻值一次,交换表笔后再测量一次,其中阻值较小的一次,黑表笔接的是S极,红表笔接的是D极.



若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大,则说明该二极管已开路损坏。PNP三极管销售代理

由于浪涌电流会使二极管在很短的时间内产生大量热,结温快速上升,长治肖特基二极管.场效应管采购

快恢复二极管:有的正向导通压降,35-85nS的反向恢复时间,在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压。目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件

快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压。目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。





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