模拟电子技术实用知识（单结晶体管） *
一、单结晶体管的结构与特性
1．单结晶体管的结构
单结晶体管因为具有两个基极，故单结晶体管又称为双基极晶体管。单结晶体管有三个电极，分别称为***基极b1、第二基极b2、发射极e。单结晶体管虽然有三个电极，但在结构上只有一个PN结，它是在一块高电阻率的N型硅基片一侧的两端，各引出一个电极，分别称***基极b1和 第二基极b2。在硅片的另一侧较靠近b2处，用扩散法掺入P型杂质，形成一个PN结，再引出一个电极，称发射极e。单结晶体管的内部结构、等效电路、图形符号如图1所示。
存在于两个基极b1和b2之间的电阻是N型硅片本身的电阻，称为体电阻，由单结晶体管的等效电路可见，两基极间的电阻Rb1b2=Rb1+Rb2, 其体阻值一般在（5～10）KΩ之间。
国产单结晶体管的型号，主要有BT31、BT32、BT33等系列产品，其中B表示半导体器件，T表示特种晶体管，第三位数3表示三个电极，***一位数表示功耗100mW、200mW、300mW等等。
常用的型号为BT33的单结晶体管的外形结构，如图2所示。
第三类是可以用来制作成晶体三极管的半导体。江苏晶体管销售代理
当然，芯片中的晶体管不仅*只有Mos管这一种类，还有三栅极晶体管等，晶体管不是安装上去的，而是在芯片制造的时候雕刻上去的。
在进行芯片设计的时候，芯片设计师就会利用EDA工具，对芯片进行布局规划，然后走线、布线。
如果我们将设计的门电路放大，白色的点就是衬底, 还有一些绿色的边框就是掺杂层。
晶圆代工厂就是根据芯片设计师设计好的物理版图进行制造。
芯片制造的两个趋势，一个是晶圆越来越大，这样就可以切割出更多的芯片，节省效率，另外就一个就是芯片制程，制程这个概念，其实就是栅极的大小，也可以称为栅长，在晶体管结构中，电流从Source流入Drain，栅极（Gate）相当于闸门，主要负责控制两端源极和漏级的通断。电流会损耗，而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗，表现出来就是手机常见的发热和功耗，宽度越窄，功耗越低。而栅极的最小宽度（栅长），也就是制程。缩小纳米制程的用意，就是可以在更小的芯片中塞入更多的电晶体，让芯片不会因技术提升而变得更大。
收音机晶体管制造公司晶体管对芯片性能的影响与摩尔定律有关。
在现代电子系统设计中，随着集成电路集成度越来越高，在设计电路时，晶体三极管作为逻辑开关的使用非常***。晶体三极管作为开关管使用时，是利用了让三极管工作在饱和模式下，也即是在**左侧时BE关闭，在**右侧时CE导通。上面的水龙头例子对三极管做了较为清晰的理解，在进行电路设计时，需要有一个可以量化的设计指标，即基极电流和集电极电流的关系来做量化分析。在进行三极管的饱和状态设计时，可以采用如下公式：
式中, 是基极流入发射极的电流； 是三极管的放大倍数； 是集电极的电流。
有时候需要用晶体三极管来对输入的信号做放大处理，在电路设计中，晶体三极管想选型可以按照如下步骤进行。
(一) 、需要明确制作什么样性能的电路，也即是说，要有一个系统的电路设计的规格书；
(二) 、确定要使用电源的电压，来保证电路的正常工作；
(三) 、选择所要使用的晶体管的类型，PNP或者NPN，一般NPN型三极管使用的要多一些。应根据晶体三极管Datasheet里的比较大额定值选择，保证其不会在工作时损坏，在额定值内查看其电气特性，根据目标信号放大倍数选定合适的三极管；
场效应晶体管（FET）的截面图，其中（a）栅极为0V，（b）栅极为-0.5V，（c）栅极为-1.0V，相对于源极电压。由于栅极上没有电压，电流可以从漏极流向源极。栅极上的负电压很小，电流减小。栅极上的负电压很大，电流停止，晶体管关闭（称为夹断，因为沟道被夹紧闭合）。
如果相对于源极电压（Vgs）的小负电压施加到栅极端子，如图2（b）所示，沟道内的带负电的电子将从栅极和沟道（channel）的一个区域排斥，被称为耗尽区中的自由电子耗尽。耗尽其自由电子的一些沟道（channel）的效果是*沟道（channel）的底部具有自由电子来传输电流，因此流过沟道（channel）的比较大电流减小。如果如图2（c）所示将更大的负电压施加到栅极端子（Vgs），则电子甚至更远离栅极被排斥，并且耗尽区域一直延伸穿过沟道。当耗尽区一直延伸穿过沟道时，没有自由电子携带电流;此时可以说FET被夹断，发生这种情况的栅极电压称为夹断电压（pinch-off voltage (VP)）。当栅极电压（Vgs）设置为或低于夹断电压时，则FET处于“关断”状态。
三极管的作用也可以作放大器、振荡器、变换器使用。
芯片晶体管横截面
到了3nm之后，目前的晶体管已经不再适用，目前，半导体行业正在研发nanosheet FET（GAA FET）和nanowire FET（MBCFET），它们被认为是当今finFET的前进之路。
三星押注的是GAA环绕栅极晶体管技术，台积电目前还没有公布其具体工艺细节。三星在2019年抢先公布了GAA环绕栅极晶体管，根据三星官方的说法，基于全新的GAA晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管)，该技术可以***增强晶体管性能，取代FinFET晶体管技术。
此外，MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备，从而加速工艺开发及生产。
尤其是当晶体管的尺寸缩小到25nm以下，传统的平面场效应管的尺寸已经无法缩小。惠州晶体管价格
大家都知道晶体三极管的基极电压其实就是控制三极管导通程度的。江苏晶体管销售代理
详细解读芯片如何“坐拥”百亿个晶体管 *
如今的 7nm EUV 芯片，晶体管多大 100 亿个，它们是怎么样安上去的呢？
晶体管并非是安装上去的，芯片制造其实分为沙子 - 晶圆，晶圆 - 芯片这样的过程，而在芯片制造之前，IC 涉及要负责设计好芯片，然后交给晶圆代工厂。
芯片设计分为前端设计和后端设计，前端设计（也称逻辑设计）和后端设计（也称物理设计）并没有统一严格的界限，涉及到与工艺有关的设计就是后端设计。芯片设计要用专业的 EDA 工具。
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