徐州功率晶体管

三极管（BJT管），也称为双性型晶体管

三极管是一个人丁兴旺的“大家族”，其人员众多。因此在电子电路中如果没有三极管的话那么这个电路将“一事无成”。电路中的很多元件都是为三极管服务的，比如电阻、电容等。有必要和大家对三极管进行一下剖析，下面让我们看看三极管的“庐山真面目”。三极管也有三条腿，并且这三条腿不能相互换用，不像MOS管那样其源极（S）和漏极（D）在一定条件下还可以换用的（低频的结型管可以互换）。从图中我们也可以看到，三极管也是有两个PN结构成。我们以NPN型三极管为例来说明这个问题，分别从三个半导体基座中引出三个极，我们给它分别起个名字叫基极、集电极和发射极。这三个端子的相互作用是，通过控制流入基极的电流就可以达到控制发射极和集电极之间的电流的大小，由此我们可以知道三极管是一个电流型控制器件。

晶体管因为有以下的优点，因此可以在大多数应用中代替真空管！徐州功率晶体管

晶体管的结构及类型用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管。结构如图(a)所示，位于中间的P区称为基区，它很薄且杂质浓度很低；位于上层的N区是发射区，掺杂浓度很高；位于下层的N区是集电区，面积很大；它们分别引出电极为基极b, 发射极e和集电极c。

晶体管的电流放大作用

如下图所示为基本放大电路，为输入电压信号，它接入基极-发射极回路，称为输入回路；放大后的信号在集电极-发射极回路，称为输出回路。由于发射极是两个回路的公共端，故称该电路为共射放大电路。

晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏且集电结反向偏置，所以输入回路加的基极电源和输出回路加的集电极电源

单结晶体管极性的判断

单结晶体管极性的判断方法常有两种，一种是从外观来看，另一种是用万用表来测量。

（1）外观判断法。从外观上看，引脚与外壳相通的电极，一般是b1极；与凸耳相靠近的电极一般为e极，如图5-8所示。

（2）万用表判断法

1）发射极e的判断

单结晶体管，也叫双基极二极管，有e、b1、b2三个电极，其三个管脚的极性可用万用表的R×1K挡来进行判断。测任意两个管脚的正向电阻和反向电阻，直到测得的正反向电阻都基本不变时（一般约10KΩ～30 KΩ，不同型号的管阻值有差异），这两个管脚就是两个基极，剩下的另一个管脚就是发射极e。

2）b1、b2电极的判断

在判断出发射极e的基础上，万用表量程置于R×1K挡，黑表笔发射极，红表笔分别接另外两个极，万用表两次均会导通，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是单结晶体管的b1极。

ST微电子0.25μm SiGe BICMOS 技术中的双极性晶体管设计介绍     *

在ST微电子0.25µm SiGe BICMOS技术(B7RF)中，异质结双极晶体管(HBT)的建模是基于HICUM的。 该模型在要求高集电极电流密度的高频射频应用中特别有用。 这种紧凑和可扩展的模型比改进的Spice Gummel-Poon模型具有更高的精度，并考虑了自热效应。

典型的高压HBT的频率转换和电流增益β AC 如图1所示。 柯克效应（Kirk effect）的影响在右边灰色地方可以看到，结果产生强f T ，以及在高偏置水平下β增益的崩溃。 从物理的角度来看，这种影响是由于基极深度的增加（基/集电极结向下移动），这与载流子注入相反。

单结晶体管的伏安特性，是指在单结晶体管的e、b1极之间加一个正电压Ue。

三极管（BJT管），也称为双性型晶体管

三极管是一个人丁兴旺的“大家族”，其人员众多。因此在电子电路中如果没有三极管的话那么这个电路将“一事无成”。电路中的很多元件都是为三极管服务的，比如电阻、电容等。有必要和大家对三极管进行一下剖析，下面让我们看看三极管的“庐山真面目”。三极管也有三条腿，并且这三条腿不能相互换用，不像MOS管那样其源极（S）和漏极（D）在一定条件下还可以换用的（低频的结型管可以互换）。从图中我们也可以看到，三极管也是有两个PN结构成。我们以NPN型三极管为例来说明这个问题，分别从三个半导体基座中引出三个极，我们给它分别起个名字叫基极、集电极和发射极。这三个端子的相互作用是，通过控制流入基极的电流就可以达到控制发射极和集电极之间的电流的大小，由此我们可以知道三极管是一个电流型控制器件。

二极管、三极管、场效应管都是半导体器件.数字晶体管采购

单结晶体管的e、b1极之间，相当于一个受发射极电压Ue控制的开关，故可以用来作振荡元件。徐州功率晶体管

2．单结晶体管的特性——伏安特性

单结晶体管的伏安特性，是指在单结晶体管的e、b1极之间加一个正电压Ue，在b2、b1极之间加一个正电压Ubb，其发射极电流Ie与发射极电压Ue的关系曲线。

由单结晶体管的伏安特性曲线可见：

（1）当发射极所加的电压Ue＜Up(峰点电压，约6～8V)时，单结晶体管的Ie电流为很小的反向漏电电流，即曲线的AP段。此时，单结晶体管是处于截止状态的，其e、b1极之间的等效阻值非常大，e、b1极之间相当于一个断开的开关。

（2）当发射极所加的电压Ue越过Up峰点电压后，单结晶体管开始导通，随着导通电流Ie的增加，其e极对地的电压Ue是不断下降的，即曲线的PV段。在曲线的PV段，其动态的电阻值是负值的，这一区间又叫负阻区。负阻区是一个过渡区，时间很短，随着Ie电流的增加，电压Ue将很快达到谷点电压Uv。

（3）当Ie增加到谷点电压所对应的电流，即谷点电流Iv之后，Ue将随Ie的增加而增加，即曲线的VB段，其动态电阻是正值的，这一区间又称为饱和区。单结晶体管工作在饱和区时，其e、b1极之间的等效阻值非常小，e、b1极之间相当于一个闭合的开关。

综上所述，单结晶体管的e、b1极之间，相当于一个受发射极电压Ue控制的开关，故可以用来作振荡元件。

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