TO-252封装尺寸图
电气特性方面,关于***比较大额定值,六款二极管的反向重复峰值电压均为400v、600v、800v , 反向电压均为400v、600v、800v. 平均整流输出电流为5A/10A, 运行结温均为150℃,储存温度均为-55℃~+150℃。正向不重复峰值电流(浪涌电流)不同。
六款直插超快速恢复二极管的产品特性:
. 低开关损耗
. 低正向电压
. 高电流过载能力
六款直插超快速恢复二极管的结构:
. 硅外延平面型
. 玻璃钝化PN结型
六款超快速恢复二极管替代传统直插DO-27封装的应用:通用的整流应用
稳压二极管的电流低时,无法起到正常的稳压作用,过高会出现长久击穿。数字三极管现货
在三极管be之间增加偏置电阻,测量Vce击穿电压
下图中给出了Rbe分别去2k,51k,100k的情况下,C、E的电压电流曲线。可以看到C、E的击穿电压位于Vceo与Vcbo之间。
所以在正常设计三极管电路的时候,需要根据等效的Rbe数值来对三极管的耐压余量进行选择。
在不同的Rbe的阻值下,Vce的击穿电压曲线
由于三极管的发射区掺杂浓度很高,B、E之间的反向击穿电压往往小于10V。
因此,在使用三极管的时候,如果错把集电极和发射极弄混,除了会引起电流放大倍数的下降之外,因为Vebo,Vceo的差异,电路中的三极管的也会被击穿。
和二极管一样,半导体器件的参数往往离散型很大。下面是两个不同批次的S8050的Vceb的耐压曲线。反向击穿电压相差30%左右。
两个不同批次的S8050Vceo的电压
数字三极管现货稳压二极管的稳压作用,就是利用了它的反向击穿作用。
场效应管与晶体管的比较
(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。
(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。
(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管
稳压二极管
高重复峰值反向电压(耐压)及大反向电流
这两个技术参数有一定的关联,放在一起说。
电源中整流桥的损坏常常是耐压问题,如何通过检验对二极管的耐压品质作出判断呢?这是提高产品可靠性的关键。
二极管的反向特性曲线必须是硬特性,软特性的二极管反向漏电流必然大,这种情况造成的损坏表现是PCB板变色,烧焦。
检验反向耐压的一致性。如果抽检一批二极管,虽然全部达到要求,肖特基二极管极性,耐压值的离散性大于20%,厦门肖特基二极管,在长期使用时就可能有问题。
稳压二极管是很多电路中,低电流供电时使用比较多的方案。
3.反向击穿电压的检测 二极管反向击穿电压(耐压值)可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是:测量二极管时,应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态,再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内,负极插入测试表的“e”插孔,然后按下“V(BR)”键,测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。
也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接,将二极管的正极与兆欧表的负极相连,同时用万用表(置于合适的直流电压档)监测二极管两端的电压。如图4-71所示,摇动兆欧表手柄(应由慢逐渐加快),待二极管两端电压稳定而不再上升时,此电压值即是二极管的反向击穿电压。
也可用低于1000V的兆欧表为稳压二极管提供测试电源。整流二极管供应
检测晶体三极管时,选择反应灵敏的指针万用表。将万用表的量程调整至挡,并进行调零校正。数字三极管现货
变容二极管是根据普通二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上,实现低频信号调制到高频信号上,并发射出去。在工作状态,变容二极管调制电压一般加到负极上,使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。
变容二极管发生故障,主要表现为漏电或性能变差:
(1)发生漏电现象时,高频调制电路将不工作或调制性能变差。
(2)变容性能变差时,高频调制电路的工作不稳定,使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。
出现上述情况之一时,就应该更换同型号的变容二极管。
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