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管基本参数
  • 产地
  • 深圳
  • 品牌
  • 凯轩业
  • 型号
  • 是否定制
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红外光敏二极管的检测


  将万用表置于R×1k档,测量红外光敏二极管的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值(黑表笔所接引脚为正极)为3~10 kΩ左右,反向电阻值为500 kΩ以上。若测得其正、反向电阻值均为0或均为无穷大,则说明该光敏二极管已击穿或开路损坏。


  在测量红外光敏二极管反向电阻值的同时,用电视机遥控器对着被测红外光敏二极管的接收窗口(见图4-75)。正常的红外光敏二极管,在按动遥控器上按键时,其反向电阻值会由500 kΩ以上减小至50~100 kΩ之间。阻值下降越多,说明红外光敏二极管的灵敏度越高。


由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响*为RC时间常数限制。稳压二极管联系方式

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变容二极管是根据普通二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上,实现低频信号调制到高频信号上,并发射出去。在工作状态,变容二极管调制电压一般加到负极上,使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。


变容二极管发生故障,主要表现为漏电或性能变差:


(1)发生漏电现象时,高频调制电路将不工作或调制性能变差。


(2)变容性能变差时,高频调制电路的工作不稳定,使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。


出现上述情况之一时,就应该更换同型号的变容二极管。


恒流二极管现货塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极,另一端为正极。

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稳压二极管的基本知识


a、稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。


b、故障特点:稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中,前一种故障表现出电源电压升高;后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。


c、 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表:


型 号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N47501N4751 1N4761


稳压值 3.3V 3.6V 3.9V4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V



如果二极管反向耐压满足不了实际电路工作情况,可以通过串联两个二极管来提高二极管的反向耐压。




下面是将两个二极管串联,分别测量它们各自反向电压电流曲线以及串联后的电压电流曲线,可以看到反向击穿电压等于它们各自反向击穿电压之和。




二极管串联之后的反向电压电流曲线




有一种双向稳压二极管,通常用于电路的保护,逆变电路中反激电压的产生。它相当于将两个二极管反向串联在一起。从外表上来看它没有特别的极性标识,使用万用表的二极管档测量,它两个方向都呈现截止特性。




如果施加正向和反向电压,可以看到它的电压电流曲线在两个方面上基本一致。下图是对一种双向稳压二极管测量两个方向的击穿电压电流曲线。




双向稳压二极管的击穿电压电流曲线


并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

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二极管的特性


通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。

1. 正向特性。

在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为,硅管约为)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为,硅管约为),称为二极管的“正向压降”。

2. 反向特性。

在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。


普通二极管的检测 (包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管)。发光二极管联系方式

快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构。稳压二极管联系方式


三极管有三个区域,发射区和集电区是同一个类型,而中间的基区是另外一个类型。


发射区发射电荷,集电区收集电荷,基区用于控制发射和收集电荷的数量,即电流大小。


以NPN为例,发射区的电荷(自由电子)要想到达集电区,需要穿过两个PN结:发射结和集电结。在发射区,自由电子是多子,所以需要在发射结上加正偏电压,让PN结消失,作为多子扩散到基区。


到达基区后,极少部分电子通过与基区空穴复合形成电流,从基极流出(电流方向是从基极流入),但基区空穴极少,故大部分电荷没有复合的机会,堆积在集电结附近。基区自由电子称为少子(但是***数量较多,基区本身的自由电子+从发射区扩散来的自由电子),需要在集电结反偏时,作为少子漂移过集电结到达集电区。所以三极管工作时需要在发射结加正偏电压,而集电结加反偏电压。


发射结正偏电压的大小决定了从发射区扩散到基区的电荷数目,也间接决定了将来从基极和集电极流出的电子数目,极电流的大小。


集电结反偏电压的大小也决定了从基区吸引过来的电子的数目多少。所以集电极电流IC是由发射结电压和集电结电压共同作用的结果。



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