三极管放大原理参考示意图
① 如图 2.20 （ａ）所示：当发射结无电压或施加电压在门限电压以下，相当于闸门关紧时，水未从水龙头底部通过水嘴流出来。此时， ec 之间电阻值无穷大， ec 之间的电流处于截止状态，或者说是开关的 OFF 状态。
子元器件基础知识- -三极管 *
三极管，是一种具有三个电极的装置，也称为双极型晶体管、晶体三极管，实质上就是一块半导体基片上的两个PN结将其隔成基区、发射区和集电区，从而引出基极、发射机和集电极三个电极，按结构可将其分为NPN型和PNP型。
左边引起电流波动的信号可能来自麦克风电压信号。在1947年的晶体管组成的放大电路可以将音频信号的功率增加35分贝。
Westen Electric 公司在1951年开始批量生产这种点接触式晶体三极管。这种晶体管的一个巨大缺点就是可靠性差，有的晶体会会突然失效。从制作工艺角度来看，这种结构有着先天不足，它是三维立体结构。
***个晶体管原理图和外观--**手工打造的三极管
由此，物理学家开始考虑如何能够将器件从三维结构改变成二维的结构。多年之后，包括Westen Electric, RCA，GE等公司开发出结型二维晶体三极管。这种晶体管的性能超过了**早的点接触型的晶体三极管。
南京mos晶体管第一种FinFET晶体管类型称为“耗尽型贫沟道晶体管”或“ DELTA”晶体管。
MOS晶体管
MOS晶体管全名叫做MOSFET（Metal oxide semiconductor field effect transistor），翻译为中文就是，金属氧化物半导体场效应晶体管这个名字听起来比较绕，比较奇怪，为什么要这么起名字呢？
如下图所示MOS管的结构图和等效图，**上边的栅极（Gate）一般都是由金属（Metal）做的，中间的绝缘层一般是由氧化层SiO2（Oxide）做的，**下边是半导体材料（semiconductor）。至于FET，场效应，就是电场控制电子的意思。
图1 MOS晶体管的结构图（左）和等效图（右）
首先看左边的结构图，图中下半部分是P型半导体（如图中的P-body），其中含有大量的空穴，而左上角和右上角带颜色的N+，是重掺杂的N型半导体，含有更大量的自由电子。接下来继续拟人化描述。
其中，两块带颜色的N+区是一个国家。左边的N+区是一块飞地，而右边的N+区，是本土大陆，飞地的自由电子常年在外，想从飞地（也就是左边的N+区）通过P-body国家，回到本土大陆（也就是右边的N+区）。
三极管放大原理
值得注意的是，对于三极管放大作用的理解，必须切记一点：根据能量守恒定律，能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。
晶体管的内部工作原理就是对流过基极与发射极之间的电流进行不断地监视，并控制集电极-发射极间电流源，使基极-发射极间电流的数十至数百倍（因晶体管种类而异）的电流在集电极与发射极之间流动。也就是说，晶体管是用基极电流来控制集电极-发射极电流的器件。晶体三级管的内部工作原理如下图3所示。
单结晶体管振荡电路的工作原理如下。
PN结（二极管）的形成
首先，我们已经知道分子是由带正电荷的原子核，和绕着原子核旋转的带等量负电荷的电子组成的，这种只能绕着原子核旋转的电子叫做束缚电子，而另外还有一种脱离了原子核的束缚，可以在材料中自由移动的电子，叫做自由电子。
金、银、铜、铝都是优异的导体，这是因为他们都拥有大量的自由电子，在没有加电场的时候，自由电子在导体中无规律地自由移动，没有电流形成，而当加上电场后，自由电子由于带负电荷，会沿着电场定向移动形成电流。
那我们自然可以想到，有没有一种物体，其中有带正电荷的粒子，也可以沿着电场移动，从而导电？原子核带正电荷，然而原子核是不能移动的（说法不严谨，意思明白就行），那么有没有其他带正电荷的粒子来导电呢？
有的，半导体就即可以用自由电子（带负电荷）导电，也可以用空穴（带正电荷）导电。
这个晶体三极管究竟是如何完成这神奇的功能的呢？浙江晶体管报价
晶体管的电子流动方向就是集电极，然后由基极控制。浙江晶体管报价
当然，芯片中的晶体管不仅*只有Mos管这一种类，还有三栅极晶体管等，晶体管不是安装上去的，而是在芯片制造的时候雕刻上去的。
在进行芯片设计的时候，芯片设计师就会利用EDA工具，对芯片进行布局规划，然后走线、布线。
如果我们将设计的门电路放大，白色的点就是衬底, 还有一些绿色的边框就是掺杂层。
晶圆代工厂就是根据芯片设计师设计好的物理版图进行制造。
芯片制造的两个趋势，一个是晶圆越来越大，这样就可以切割出更多的芯片，节省效率，另外就一个就是芯片制程，制程这个概念，其实就是栅极的大小，也可以称为栅长，在晶体管结构中，电流从Source流入Drain，栅极（Gate）相当于闸门，主要负责控制两端源极和漏级的通断。电流会损耗，而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗，表现出来就是手机常见的发热和功耗，宽度越窄，功耗越低。而栅极的最小宽度（栅长），也就是制程。缩小纳米制程的用意，就是可以在更小的芯片中塞入更多的电晶体，让芯片不会因技术提升而变得更大。
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