GAA晶体管
而当先进工艺发展到了7nm阶段，并在其试图继续向下发展的过程中，人们发现，FinFET似乎也不能满足更为先进的制程节点。于是，2006年，来自韩国科学技术研究院（KAIST）和国家nm晶圆中心的韩国研究人员团队开发了一种基于全能门（GAA）FinFET技术的晶体管，三星曾表示，GAA技术将被用于3nm工艺制程上。
GAA全能门与FinFET的不同之处在于，GAA设计围绕着通道的四个面周围有栅极，从而确保了减少漏电压并且改善了对通道的控制，这是缩小工艺节点时的基本步骤，使用更***的晶体管设计，再加上更小的节点尺寸，和5nm FinFET工艺相比能实现更好的能耗比。
GAA 技术作为一款正处于预研中的技术，各家厂商都有自己的方案。比如 IBM 提供了被称为硅纳米线 FET （nanowire FET）的技术，实现了 30nm 的纳米线间距和 60nm 的缩放栅极间距，该器件的有效纳米线尺寸为 12.8nm。此外，新加坡国立大学也推出了自己的纳米线 PFET，其线宽为 3.5nm，采用相变材料 Ge2Sb2Te5 作为线性应力源。
另据据韩媒Business Korea的报道显示，三星电子已经成功攻克了3nm和1nm工艺所使用的GAA （GAA即Gate-All-Around，环绕式栅极）技术，正式向3nm制程迈出了重要一步，预计将于2022年开启大规模量产。
三极管工作必要条件是(a)在B极和E极之间施加正向电压(此电压的大小不能超过1V.参数晶体管
晶体管基极-发射极间的二极管
对于三极管的理解，可能有同学还不是很理解，下面就用生活中一个很常见的实物类比，这里以NPN型三极管为例进行说明，PNP型三极管类似，只是方向不同而已，结论都适用。
三极管就如同日常使用的水龙头，如下图5所示，三极管的集电极C可以看做水龙头的进水口；发射极E可以看做可以看做水龙头的出水口，基极B可以看做水龙头的开关。
类比三极管的水龙头
在使用水龙头时，转动开关B，当向右转动时，水流会慢慢增大，向右转到比较大位置时，水流比较大，此时开关B无法再向右旋转，即对应三极管的饱和模式；
遂宁双极晶体管尤其是当晶体管的尺寸缩小到25nm以下，传统的平面场效应管的尺寸已经无法缩小。
单结晶体管型号命名方式
单结晶体管封装及引脚识别
单结晶体管采用金属直插封装，在其引脚端有引脚识别标志。面向引脚，靠近凸起的为发射极E，逆时针方向分别为第二基极B2和***基极B1。
单结晶体管实物
单结晶体管引脚排序
单结晶体管应用电路
以电子驱蚊器电路为例，了解单结晶体管的应用。
超声波驱蚊器电路
以上为单结晶体管BT33构成的电子驱蚊器电路图，其工作原理为：
当电源开关SW闭合后，电池正极通过可调电阻RP和固定电阻R1向电容C1充电，当C1两端电压达到BT33的峰点电压时，单结晶体管导通，此时C1会通过电阻R3放电，单结晶体管截止；
电池正极再次通过电阻向C1充电，当电压达到峰点电压后，晶体管再次导通。如此反复形成震荡，震荡频率由电阻RP和电容C1的值决定；
震荡信号经过电容C2耦合之后加到三极管VT2的基极，经VT2放大后，经电容C3耦合驱动压电陶瓷片发出超声波来达到驱蚊的效果。
三极管的介绍及用途如下 *
三极管的介绍：
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的**元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
二极管、三极管、场效应管都是半导体器件.
晶体管主要参数晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极比较大电流、比较大反向电压、反向电流等。
放大系数
直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。
交流放大倍数
交流放大倍数，也即交流电流放大系数、动态电流放大系数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。
hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。 金属半导体场效应晶体管（MESFET）之所以被称为这个名称是因为栅极接触是由金属 - 半导体结形成的。长沙NPN晶体管
这使我们更接近于制造光学晶体管。参数晶体管
场效应晶体管（FET）的截面图，其中（a）栅极为0V，（b）栅极为-0.5V，（c）栅极为-1.0V，相对于源极电压。由于栅极上没有电压，电流可以从漏极流向源极。栅极上的负电压很小，电流减小。栅极上的负电压很大，电流停止，晶体管关闭（称为夹断，因为沟道被夹紧闭合）。
如果相对于源极电压（Vgs）的小负电压施加到栅极端子，如图2（b）所示，沟道内的带负电的电子将从栅极和沟道（channel）的一个区域排斥，被称为耗尽区中的自由电子耗尽。耗尽其自由电子的一些沟道（channel）的效果是*沟道（channel）的底部具有自由电子来传输电流，因此流过沟道（channel）的比较大电流减小。如果如图2（c）所示将更大的负电压施加到栅极端子（Vgs），则电子甚至更远离栅极被排斥，并且耗尽区域一直延伸穿过沟道。当耗尽区一直延伸穿过沟道时，没有自由电子携带电流;此时可以说FET被夹断，发生这种情况的栅极电压称为夹断电压（pinch-off voltage (VP)）。当栅极电压（Vgs）设置为或低于夹断电压时，则FET处于“关断”状态。
参数晶体管
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