目前,基于SOI(绝缘体上硅)材料的波导调制器成为当前的研究热点,也取得了许多的进展,但在硅光芯片调制器的产业化进程中,面临着一系列的问题,波导芯片与光纤的有效耦合就是难题之一。从悬臂型耦合结构出发,模拟设计了悬臂型倒锥耦合结构,通过开发相应的有效地耦合工艺来实现耦合实验,验证了该结构良好的耦合效率。在这个基础之上,对硅光芯片调制器进行耦合封装,并对封装后的调制器进行性能测试分析。主要研究基于硅光芯片调制技术的硅基调制器芯片的耦合封装及测试技术其实就是硅光芯片耦合测试系统。端面耦合器需要解决的问题是模斑尺寸的匹配,而光栅耦合器由于需要特定角度入射光,主要需要解决光路偏折。湖南震动硅光芯片耦合测试系统服务
基于设计版图对硅光芯片进行光耦合测试的方法及系统,该方法包括:读取并解析设计版图,得到用于构建芯片图形的坐标簇数据,驱动左侧光纤对准第1测试点,获取与第1测试点相对应的测试点图形的第1选中信息,驱动右侧光纤对准第二测试点,获取与第二测试点相对应的测试点图形的第二选中信息,获取与目标测试点相对应的测试点图形的第三选中信息,通过测试点图形与测试点的对应关系确定目标测试点的坐标,以驱动左或右侧光纤到达目标测试点,进行光耦合测试;该系统包括上位机,电机控制器,电机,夹持载台及相机等;本发明具有操作简单,耗时短,对用户依赖程度低等优点,能够极大提高硅光芯片光耦合测试的便利性。湖南震动硅光芯片耦合测试系统服务硅光芯片耦合测试系统硅光芯片的好处：可嵌入性。
硅光芯片耦合测试系统中硅光芯片与激光器的封装结构,封装结构包括基座,基座设置与硅光芯片连接的基座贴合面,与激光器芯片和一体化反射镜透镜连接的基座上表面;基座设置通孔,通孔顶部开口与一体化反射镜透镜的出光面连接,通孔底部开口与硅光芯片的光栅耦合器表面连接;激光器芯片靠近一体化反射镜透镜的入光面的一端设置高斯光束出口;激光器芯片的高斯光束方向水平射入一体化反射镜透镜的入光面,经一体化反射镜透镜的反射面折射到一体化反射镜透镜的出光面,穿过通孔聚焦到光栅耦合器表面;基座贴合面与基座上表面延伸面的夹角为a1。通过对基座的底部进行加工形成斜角,角度的设计满足耦合光栅的较佳入射角。
硅光芯片耦合测试系统系统，该设备主要由极低/变温控制子系统、背景强磁场子系统、强电流加载控制子系统、机械力学加载控制子系统、非接触多场环境下的宏/微观变形测量子系统五个子系统组成。其中极低/变温控制子系统采用GM制冷机进行低温冷却，实现无液氦制冷，并通过传导冷方式对杜瓦内的试样机磁体进行降温。系统产品优势：1、可视化杜瓦，可实现室温~4.2K变温环境下光学测试根据测试。2、背景强磁场子系统能够提供高达3T的背景强磁场。3、强电流加载控制子系统采用大功率超导电源对测试样品进行电流加载，较大可实现1000A的测试电流。4、该测量系统不与极低温试样及超导磁体接触，不受强磁场、大电流及极低温的影响和干扰，能够高精度的测量待测试样的三维或二维的全场测量。端面耦合方案一,在硅光芯片的端面处进行刻蚀,形成v型槽阵列。
硅光芯片耦合测试系统使用到一些有视觉辅助地初始光耦合的步骤是属于耦合工艺的一部分。在此工艺过程中，输入及输出光纤阵列和波导输入及输出端面的距离大约是100~200微米，以便通过使用机器视觉精密地校准预粘接间隙的测量，为后面必要的旋转耦合留出安全的空间。旋转耦合技术的原理。大体上来讲，旋转耦合是通过使用线性偏移测量及旋转移动相结合的方法，将输出光纤阵列和波导的的第1个及结尾一个通道进行耦合，并作出必要的更正调整。输出光纤阵列的第1个及结尾一个通道和两个光探测器相联接。硅光芯片耦合测试系统优点：数据集中。湖南震动硅光芯片耦合测试系统服务
硅光芯片耦合测试系统硅光芯片的好处：处理效果好。湖南震动硅光芯片耦合测试系统服务
在光芯片领域，芯片耦合封装问题是硅光芯片实用化过程中的关键问题，芯片性能的测试也是尤其重要的一个步骤，现有的硅光芯片耦合测试系统是将光芯片的输入输出端光纤置于显微镜下靠人工手工移动微调架转轴进行调光，并依靠对输出光的光功率进行监控，再反馈到微调架端进行调试。芯片测试则是将测试设备按照一定的方式串联连接在一起，形成一个测试站。具体的，所有的测试设备通过光纤，设备连接线等连接成一个测试站。例如将VOA光芯片的发射端通过光纤连接到光功率计，就可以测试光芯片的发端光功率。将光芯片的发射端通过光线连接到光谱仪，就可以测试光芯片的光谱等。湖南震动硅光芯片耦合测试系统服务
