一般来说，它是一个去耦电容。或者数字电路通断时，对电源影响很大，造成电源波动，需要用电容去耦。通常，容量是芯片开关频率的倒数。如果频率为1MHz，选择1/1M，即1uF。你可以拿一个大一点的。比较好有芯片和去耦电容，电源处应该有，用的量还是蛮大的。在一般设计中，提到通常使用0.1uF和10uF、2.2uF和47uF进行电源去耦。在实际应用中如何选择它们？根据不同的功率输出或后续电路？通常并联两个电容就够了，但在某些电路中并联更多的电容可能会更好。不同电容值的电容器并联可以在很宽的频率范围内保证较低的交流阻抗。在运算放大器的电源抑制(PSR)能力下降的频率范围内，电源旁路尤为重要。电容可以补偿放大器PSR的下降。在很宽的频率范围内，这种低阻路径可以保证噪声不进入芯片。电容容量越大、信号频率越大，电容呈现的交流阻抗越小。无锡钽电容
引线结构的电解电容器：引线结构电解电容器也采用“负极标记”，即套管的“-”标记对应的引线为负极。还有就是根据引线的长度来识别，长引线为正，短引线为负。片式铝电解电容器片式铝电解电容器没有套管，所以容量、电压、正负极的信息都印在铝壳的底部。了解电解电容的判断方法。电解电容器常见的故障有容量降低、容量消失、击穿短路和漏电，其中容量变化是由于电解电容器中的电解液在使用或放置过程中逐渐变干引起的，而击穿和漏电一般是由于外加电压过大或质量不良引起的。万用表的阻值一般用来判断电源电容的好坏测量。淮安电感厂家钽电解电容器具有储藏电量、进行充放电等性能，主要应用于滤波、能量贮存与转换以及作时间常数元件等。
电容允许偏差：这个上期我们讲安规电容的作用时又提起过，顾名思义，这就是电容的较大允许偏差范围。常用的容量误差为：J表示允许偏差±5%,K表示允许偏差±10%,M表示允许偏差±20%。额定工作电压：在电路中能长时间稳定、可靠地工作，并能承受较大直流电压，也叫耐压。对结构、容量一样的电子器件，耐压越高，体积越大。损耗：贴片陶瓷电容在电场的作用下，由于每单位时间产生热量而消耗能量。这种损失主要来源于介质损失和金属损失。一般都是以损耗角正切值表示的。上述就是关于贴片陶瓷电容的一些基本常识，想要了解更多电容相关咨询的，可关注江苏芯声微电子科技。
根据经验，在电路的总电源原理图中，设计原理图时把这些电容画在一起，因为是同一个网络，而在设计实际PCB时，这些电容分别放在各自的ic上。电容越大，信号频率越高，电容的交流阻抗越小。电源(或信号)或多或少会叠加一些交流高频和低频信号，对系统不利。IC电源的引脚与地之间并联放置电容，一般是为了滤除对系统不利的交流信号。10uf和0.1uf的电容配合使用，使电源(或信号)对地的交流阻抗在很宽的频率范围内很小，这样可以更干净地滤除交流分量。常用陶瓷电容容量范围：0.5pF~100uF。
无极性电容体积小，价格低，高频特性好，但它不适合做大容量。像瓷片电容、独石电容、聚乙烯(CBB)电容等都是，瓷片电容一般用在高频滤波、震荡电路中比较多。磁介电容是以陶瓷材料为介子，并在表面烧上银层作为电极的电容器。磁介电容器性能稳定。损耗，漏电都很小，适合于高频高压电路中应用。一般而言，电容两极间的绝缘材料，介电常数大的(如铁电陶瓷，电解液)适合于制作大容量小体积的电容，但损耗也大。介电常数小的(如陶瓷)损耗小，适合于高频应用。MLCC即多层陶瓷电容器，也可简称为片式电容器、积层电容、叠层电容等，属于陶瓷电容器的一种。连云港钽电容品牌
电容作为基本元器件之一，实际生产的电容都不是理想的，会有寄生电感，等效串联电阻存在。无锡钽电容
MLCC(多层陶瓷电容器)是片式多层陶瓷电容器的缩写。它是由印刷电极(内电极)交错叠放的陶瓷介质膜片组成，然后通过一次高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片两端密封金属层(外电极)，从而形成单片结构，也称单片电容器。电容的定义：电容的本质两个相互靠近的导体，中间夹着一层不导电的绝缘介质，构成一个电容器。当在电容器的两个极板之间施加电压时，电容器将存储电荷。电容大小：电容器的电容在数值上等于一块导电板上的电荷量与两块板之间的电压之比。电容器电容的基本单位是法拉(f)。在电路图中，字母C通常用来表示容性元件。有三种方法可以增大电容：使用高介电常数的介质。增加板间面积。减小板间距离。无锡钽电容
