一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T。又由于晶闸管开始应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。
在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件(俗称“死硅”)更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗明显增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。
可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍;反应极快，在微秒级内开通、关断;无触点运行，无火花、无噪音;效率高，成本低等等。
可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通。
可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。 淄博正高电气有限公司团队从用户需求出发。青海小功率可控硅模块厂家
相信大家对于可控硅模块并不陌生了，现代在电气行业的不断发展，可控硅模块的使用范围越来越广，但是你对可控硅模块的了解有多少呢，它的主要参数有哪些你知道吗？下面为大家讲解。
可控硅模块的主要参数有：
(1) 额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。
(2) 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅模块两端的正向峰值电压。可控硅模块承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。
(3) 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅模块两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。 宁夏双向可控硅模块组件淄博正高电气有限公司真诚希望与您携手、共创辉煌。
选择可控硅模块时不能只看表面，应参考实际工作条件来选择，选用可控硅模块的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。
1.可控硅模块的冷却及环境条件:
(1)强迫风冷：风速≥6m/s，风温≤40℃；
(2)水冷：流量≥4L/mm，压强0.2±0.03Mpa。水温≤35℃. 水电阻率≥20KΩ.cm，HP值6—8；
(3)自冷和负冷环境温度—40℃—40℃.水冷以环境温度5℃—40℃；
(4)空气相对湿度≤85%；
(5)空气中无腐蚀性气体和破坏绝缘的尘埃；
(6)气压86—106Kpa；
(7)无剧烈震动或冲击；
(8)若有特殊场合，应进行相应的试验，证明工作可靠方可使用。
可控硅模块的应用领域
该智能模块应用于控温、调光、励磁、电镀、电解、充放电、电焊机、等离子拉弧、逆变电源等需对电力能量大小进行调整和变换的场合，如工业、通讯、**等各类电气操控、电源等，依据还可经过模块的操控端口与多功用操控板联接，结束稳流、稳压、软启动等功用，并可结束过流、过压、过温、缺持平维护功用。
可控硅模块的操控办法
经过输入模块操控接口一个可调的电压或许电流信号，经过调整该信号的大小即可对模块的输出电压大小进行滑润调度，结束模块输出电压从0V至任一点或悉数导通的进程。
电压或电流信号可取自各种操控外表、核算机D/A输出，电位器直接从直流电源分压等各种办法；操控信号选用0～5V，0～10V，4～20mA三种对比常用的操控办法。
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接下来需要检测的是控制极与阴极之间的PN结是否损坏。我们可以用万用表的R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上，若电阻值很小表明可控硅击穿短路。用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。反向阻值应很大，但不能为无穷大。正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。
如果想要判断可控硅是否已经被击穿损坏，工程师可以使用万用表选电阻R×1挡，然后将黑表笔接阳极，红表笔仍接阴极，此时万用表指针应不动。红表笔接阴极不动，黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极接黑表笔，阴极接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。 地理位置优越，交通十分便利。青海小功率可控硅模块厂家
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任何的东西都有其使用的寿命，可控硅也不例外，可控硅模块使用时间长了，它的温度就会升高，如果温度过高就容易损坏，并且降低使用寿命，这就需要大家来看看可控硅模块的升温方法：
1 可控硅模块环境温度的测定：在距被测可控硅模块表面1.5m处放置温度计，温度计测点距地面的高度与减速机轴心线等高，温度计的放置应不受外来辐射热与气流的影响，环境温度数值的读取与工作温度数值的读取应同时进行。
2 可控硅模块温升按下式计算：式中：Δt--可控硅模块的温升(℃)。
3 可控硅模块工作温度的测定：被测可控硅模块温升的测定，通常与减速机的承载能力及传动效率测定同时进行，也可单独进行，被测减速机在符合规定时，读取它在额定转速、额定输入功率下的工作温度
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