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3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R&TImes;10KΩ挡，因R&TImes;1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。逆变器IGBT模块检测：将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块c1e1、c2e2之间以及栅极G与e1、e2之间正反向二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。以六相模块为例。将负载侧U、V、W相的导线拆除，使用二极管测试档，红表笔接P（集电极c1），黑表笔依次测U、V、W，万用表显示数值为比较大；将表笔反过来，黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为400左右。再将红表笔接N（发射极e2），黑表笔测U、V、W，万用表显示数值为400左右；黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为比较大。各相之间的正反向特性应相同，若出现差别说明IGBT模块性能变差，应予更换。IGBT模块损坏时，只有击穿短路情况出现。红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性，万用表两次所测的数值都为比较大，这时可判定IGBT模块门极正常。如果有数值显示，则门极性能变差，此模块应更换。拓扑图与型号的关系:型号开头两个字母或数字决定。江西Semikron西门康SKM100GB12T4IGBT模块厂家直供

IGBT单管和IGBT功率模块PIM、IPM的区别是什么？作者：海飞乐技术时间：2018-04-1218:47IGBT功率模块采用封装技术集成驱动、保护电路和高能芯片一起的模块，已经从复合功率模块PIM发展到了智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM等。IGBT单管和IGBT功率模块的定义不同：IGBT单管：分立IGBT，封装较模块小，电流通常在50A以下，常见有TO247、TO3P等封装。IGBT模块：块化封装就是将多个IGBT集成封装在一起，即模块化封装的IGBT芯片。常见的有1in1,2in1,6in1等。PIM模块：集成整流桥+制动单元（PFC）+三相逆变（IGBT桥）；IPM模块：即智能功率模块，集成门级驱动及保护功能（热保护，过流保护等）的IGBT模块。IGBT单管和IGBT功率模块的结构不同IGBT单管为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。P+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannelregion）。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Draininjector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用。江西Semikron西门康SKM100GB12T4IGBT模块厂家直供第1代和第二代采用老命名方式，一般为BSM**GB**DLC或者BSM**GB**DN2。

富士电机研发制造电力电子功率半导体IGBT/IPM，为太阳能发电，风力发电，智能电网，工业自动化变频伺服，铁路机车，电动汽车等提供功率器件，为高效化和节能做贡献。富士提供大功率IGBT模块和双极性产品，生产高性能和可靠的设备，目前已在全球60多个国家投入使用。我们的IGBT模块包含一代IGBT芯片的电源循环。富士双极胶囊为各种应用提供可靠和有效的能量传输。为客户提供支持，这些客户需要的不是基本的半导体。富士专注于整流器和转换器等组件的设计和制造，为缓冲网络和控制电路的功率组件、电阻器和电容器的所有组件建立了供应链。富士电机早在1923年成立以来，一直致力于技术革新和挑战，为顾客提供高质量的服务。富士电机集团是“向客户提供满足的企业”的代名词。不断向具有性的技术革新挑战,为客户竭诚服务。富士电机发挥创业以来积累的“自由操控电力”的电力电子技术优势，成为“环境，能源”领域举足轻重的国际企业。

图1单管，模块的内部等效电路多个管芯并联时，栅极已经加入栅极电阻，实际的等效电路如图2所示。不同制造商的模块，栅极电阻的阻值也不相同；不过，同一个模块内部的栅极电阻，其阻值是相同的。图2单管模块内部的实际等效电路图IGBT单管模块通常称为1in1模块，前面的“1”表示内部包含一个IGBT管芯，后面的“1”表示同一个模块塑壳之中。2.半桥模块，2in1模块半桥（Halfbridge）模块也称为2in1模块，可直接构成半桥电路，也可以用2个半桥模块构成全桥，3个半桥模块也构成三相桥。因此，半桥模块有时候也称为桥臂（Phase-Leg）模块。图3是半桥模块的内部等效。不同的制造商的接线端子名称也有所不同，如C2E1可能会标识为E1C2，有的模块只在等效电路图上标识引脚编号等。图3半桥模块的内部等效电路半桥模块的电流/电压规格指的均是其中的每一个模块单元。如1200V/400A的半桥模块，表示其中的2个IGBT管芯的电流/电压规格都是1200V/400A，即C1和E2之间可以耐受比较高2400V的瞬间直流电压。不仅半桥模块，所有模块均是如此标注的。3.全桥模块，4in1模块全桥模块的内部等效电路如图4所示。图4全桥模块内部等效电路全桥（Fullbridge）模块也称为4in1模块，用于直接构成全桥电路。这些IGBT是汽车级别的，属于特种模块，价格偏贵。

图1所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannelregion）。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Draininjector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N一层的空穴（少子），对N一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。IGBT和可控硅区别IGBT与晶闸管1.整流元件（晶闸管）简单地说：整流器是把单相或三相正弦交流电流通过整流元件变成平稳的可调的单方向的直流电流。其实现条件主要是依靠整流管。通常IGBT模块的工作电压（600V、1200V、1700V）均对应于常用电网的电压等级。江西Semikron西门康SKM100GB12T4IGBT模块厂家直供

一个封装封装1个IGBT芯片。如IKW(集成了反向二极管)和IGW(没有反向二极管)。江西Semikron西门康SKM100GB12T4IGBT模块厂家直供

根据IGBT的驱动以及逆变电路的要求，模块内部的IGBT控制电源必须是上桥臂3组，下桥臂1组，总计4组单独的15V直流电源。图1中给出了几种典型光电耦合器驱动电路，其中三极管与光电耦合器并联型电路对光电耦合器特别有利。对控制输入的光电耦合器规格的要求是：CMH与CML相等且太于15kV/μs或10kV/μs，TPHL=TPLH<。图1光电耦合器驱动电路推荐使用的光电耦合器有：HCPI,-4505、HCPL-4506、(IGM)、TLP755等。一般情况下，光电耦合器要符合UI。、VDE等安全认证。同时好使光电耦合器和IGBT控制端子间的布线尽量短。由于光电耦合器两端间常加有大的du/出，因此，光电耦合器两端的布线不要太靠近以减小其间的耦合电容。在使用15V的直流电源组件时，电源输出侧的GND端子不要互联，并尽量减少各电源与地间的杂散电容，同时还应当确保足够大的绝缘距离（大于2mm)。光电耦合器输入用的10μF及μF滤波电容主要用于保持控制电压平稳和使线路阻抗稳定。控制信号输入端与Vcc端应接20kΩ的上拉电阻，在不使用制动单元时，也应该在DB输人端与Vcc端之间接20Ω的上拉电阻，否则，du/dt过大，可能会引起误动作。图2所示为1组上桥臂的控制信号的输入电路。江西Semikron西门康SKM100GB12T4IGBT模块厂家直供