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二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（VaricapDiode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。早期的二极管包含“猫须晶体（“Cat‘sWhisker”Crystals）”以及真空管（英国称为“热游离阀（ThermionicValves）”）。现今普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。进口品牌二极管MDD26-14N1B推荐咨询上海寅涵智能科技。重庆西门康可控硅二极管模块

半导体二极管：半导体二极管是指利用半导体特性的两端电子器件。常见的半导体二极管是PN结型二极管和金属半导体接触二极管。它们的共同特点是伏安特性的不对称性，即电流沿其一个方向呈现良好的导电性，而在相反方向呈现高阻特性。可用作为整流、检波、稳压、恒流、变容、开关、发光及光电转换等。利用高掺杂PN结中载流子的隧道效应可制成超高频放大或超高速开关的隧道二极管。正向特性即二极管正向偏置时的电压与电流的关系。二极管两端加正向电压较小时，正向电压产生的外电场不足以使多子形成扩散运动，这时的二极管实际上还没有很好地导通，通常称为"死区"，二极管相当于一个极大的电阻，正向电流很小。当正向电压超过一定值后，内电场被削弱，多子在外电场的作用下形成扩散运动，这时，正向电流随正向电压的增大迅速增大，二极管导通。该电压称为门槛电压(也称阈值电压)，用Vth表示。在室温下，硅管的Vth约为0.5V，锗管的Vth约为0.1V。二极管一旦导通后，随着正向电压的微小增加，正向电流会有极大的增加，此时二极管呈现的电阻很小，可认为二极管具有恒压特性。新疆西门康晶闸管二极管型号齐全快恢复二极管PSMD200E12现货；

若能运用元器件的某一特性去合理地解释它在电路中的作用，说明电路分析很可能是正确的。例如，在上述电路分析中，只能用二极管的温度特性才能合理解释电路中VD1的作用。2）温度补偿电路的温度补偿是双向的，即能够补偿由于温度升高或降低而引起的电路工作的不稳定性。3）分析温度补偿电路工作原理时，要假设温度的升高或降低变化，然后分析电路中的反应过程，得到正确的电路反馈结果。在实际电路分析中，可以只设温度升高进行电路补偿的分析，不必再分析温度降低时电路补偿的情况，因为温度降低的电路分析思路、过程是相似的，只是电路分析的每一步变化相反。4）在上述电路分析中，VT1基极与发射极之间PN结（发射结）的温度特性与VD1温度特性相似，因为它们都是PN结的结构，所以温度补偿的结果比较好。5）在上述电路中的二极管VD1，对直流工作电压+V的大小波动无稳定作用，所以不能补偿由直流工作电压+V大小波动造成的VT1管基极直流工作电流的不稳定性。5．故障检测方法和电路故障分析这一电路中的二极管VD1故障检测方法比较简单，可以用万用表欧姆档在路测量VD1正向和反向电阻大小的方法。当VD1出现开路故障时，三极管VT1基极直流偏置电压升高许多。

2CP1554硅二极管Ir≤≤,≤,2CP1555硅二极管Ir≤≤,≤,[1]整流二极管高频整流二极管的特性与参数编辑开关电源中的整流二极管必须具有正向压降低、快速恢复的特点，还应具有足够大的输出功率，可以采用以下三种类型的整流二极管：快速恢复整流二极管;超快速恢复整流二极管;肖特基整流二极管。快速恢复和超快恢复整流二极管具有适中的和较高的正向电压降，其范围是从～。这两种整流二极管还具有较高的截止电压参数。因此，它们特别适合于在小功率的、输出电压在12V左右的辅助电源电路中使用。由于现代的开关电源工作频率都在20kHz以上，比起一般的整流二极管，快速恢复整流二极管和超快速恢复整流二极管的反向恢复时间莎Ⅱ减小到了毫微秒级，因此，提高了电源的效率。据经验，在选择快速恢复整流二极管时，其反向恢复时间至少应该是开关晶体管的上升时间的1/3。这两种整流二极管还减少了开关电压尖峰，而这种尖峰直接影响输出直流电压的纹波。另外，虽然某些称为软恢复型整流二极管的噪声较小，但是它们的反向恢复时间较长，反向电流也较大，因而使得开关损耗增大，并不能满足开关电源的工作要求。上海寅涵智能科技供应宏微二极管MMF300S060B；

二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被长久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子。可控硅模块和整流二极管模块通常指各类电连接的桥臂模块;辽宁三社可控硅二极管国内经销

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收音机终只要其中的上包络信号，下包络信号不用，中间的高频载波信号也不需要。2．电路中各元器件作用说明如表9-43所示是元器件作用解说。表9-43元器件作用解说3．检波电路工作原理分析检波电路主要由检波二极管VD1构成。在检波电路中，调幅信号加到检波二极管的正极，这时的检波二极管工作原理与整流电路中的整流二极管工作原理基本一样，利用信号的幅度使检波二极管导通，如图9-49所示是调幅波形展开后的示意图。图9-49调幅波形时间轴展开示意图从展开后的调幅信号波形中可以看出，它是一个交流信号，只是信号的幅度在变化。这一信号加到检波二极管正极，正半周信号使二极管导通，负半周信号使二极管截止，这样相当于整流电路工作一样，在检波二极管负载电阻R1上得到正半周信号的包络，即信号的虚线部分，见图中检波电路输出信号波形（不加高频滤波电容时的输出信号波形）。检波电路输出信号由音频信号、直流成分和高频载波信号三种信号成分组成，详细的电路分析需要根据三种信号情况进行展开。这三种信号中，重要的是音频信号处理电路的分析和工作原理的理解。1）所需要的音频信号，它是输出信号的包络，如图9-50所示，这一音频信号通过检波电路输出端电容C2耦合。重庆西门康可控硅二极管模块