绵阳索雷博光电工程

由于光电传感器对红外辐射，或可见光，或对二者都特别灵敏，因而就更加容易成为激光攻击的目标。此外，电子系统及传感器本身还极易受到激光产生的热噪声和电磁噪声的干扰而无法正常工作。战场上的激光武器攻击光电传感器的方式主要有以下几种：用适当能量的激光束将传感器“致盲”，使其无法探测或继续跟踪已经探测到的目标。或者，如果传感器正在导引武器飞向目标，则致盲将使其失去目标。随着微电子技术、传感器技术、计算机技术及现代通讯技术的发展，可以利用光电传感器来研制自动抄表系统。电能表的铝盘受电涡流和磁场的作用下产生的转矩驱动而旋转。采用光电传感器则可将铝盘的转数转换成脉冲数。如：在旋转的光亮的铝盘上局部涂黑，再配以反射式光电发射接收对管，则当铝盘旋转时，在局部涂黑处便产生脉冲，并可将铝盘的转数采样转换为相应的脉冲数，并经光电耦合隔离电路，送至CPU的T0端口进行计数处理。采用光电耦合隔离器可有效地防止干扰信号进入微机。绵阳高精度光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。绵阳索雷博光电工程

两个光电二极管之间的电路结构简单，可以用一个偏置电容来加强两个光电二极管之间的电压比例。当电容小于某个电压时，这两个光电二极管就会被压成一个接触，这个接触就叫做雪崩，由此可以看出，这就是雪崩光电二极管的来源。当一个电信号经过两个光电二极管的同一根输入线时，两个光电二极管的偏置电压和信号的输出电流可以产生强烈的对比度，有较大的截止电压差。因此，雪崩光电二极管可以作为高速和高性能的光电门用于高速连接器和网络设备领域。雪崩光电二极管具有高速、高抗干扰、高测试特性，可以快速捕捉工程负载中容易破坏的脉冲。全波段光电采集卡四川索雷博光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

雪崩二极管的结构可分为两大类：单漂移区雪崩二极管和双漂移区雪崩二极管。单漂移区雪崩二极管的结构有PN、PIN、PNN(或NPP)、PNIN(或NPIP)、MNN。其中PNN结构工艺简单,在适中的电流密度下能获得较大的负阻，且频带较宽，因此在工业中应用较多。双漂移区雪崩二极管是1970年以后出现的，其结构为PPNN，实质上相当于两个互补单漂移区雪崩二极管的串联，从而有效地利用了电子和空穴漂移空间，因此输出功率和效率均较高。制造雪崩二极管的材料主要是硅和砷化镓。雪崩二极管具有功率大、效率高等优点。它是固体微波源，特别是毫米波发射源的主要功率器件，泛地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中。其主要缺点是噪声较大。

与其他光电二极管相比，雪崩光电二极管在高反向偏置条件下工作。因此，通过光撞击或光子形成的电荷载流子使雪崩倍增。雪崩作用可使光电二极管的增益提高数倍，以提供高灵敏度范围。雪崩击穿主要发生在光电二极管承受最大反向电压时，该电压增强了耗尽层之外的电场。当入射光穿透p+区域时，它会在电阻极大的p区域内被吸收，然后生成电子-空穴对。只要存在高电场，电荷载流子包括其饱和速度就会漂移到pn+区域。当速度高时，载流子将通过其他原子碰撞并产生新的电子-空穴对，巨大的电荷载流子对将导致高光电流。西安纳秒光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

一个典型的光电二极管模型包含以下关键元素，一个二极管并联一个电流源，并且电流源与光强成正比。寄生元件CD和RD会影响器件性能。光伏模式-光电流在如图2所示的环路中流动，并且给二极管提供正向偏置。由于二极管的电压电流间成对数关系，因此空载的输出电压与光电流间近似成对数关系，并且通过RD上的一个小电流得到修正。所以，输出电压与光强之间是高度非线性的关系。某些应用将很受益于对数关系，因为在很大的范围内，光强的改变（眼睛是完美的对数型）会使电压发生类似的改变。由于二极管电压电流特性与温度相关，电压与光强之间的关系很差。成都直流光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。绵阳直流光电批发

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光电二极管重要的特性是。响应性，即每单位光功率的光电流-与量子效率有关，取决于波长有源区，即光敏区击穿电压，为可用的偏置电压设定一个限制允许的光电流（通常受饱和限制，在高偏置电压下可能更低）。暗电流（在光电导模式下，取决于偏置电压，对检测低光水平很重要）。速度，即带宽（见下文），与上升和下降时间有关，常常受电容量的影响。其他的数量也可能是有意义的。当施加偏置电压时，通常相当高的分流电阻会贡献一个小电流。它还贡献了一些热噪声电流，这在某些情况下限制了灵敏度。通常较小的串联电阻会造成与光电流成比例的额外压降，也会在一定程度上造成检测噪声。绵阳索雷博光电工程