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    在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。2、使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时，应立即更换。3、严禁用兆欧表（即摇表）检查元件的绝缘情况。4、电流为5A以上的可控硅要装散热器，并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅管心接触良好，它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于良好的散热。5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。6、要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿。损坏原因判别/晶闸管编辑当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时，可把管芯从冷却套中取出，打开芯盒再取出芯片，观察其损坏后的痕迹，以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，其位置在远离控制极上。3、电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同，而其位置在控制极附近或就在控制极上。4、边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。 这类应用一般多应用在电力试验设备上，通过变压器，调整晶闸管的导通角输出一个可调的直流电压。云南哪里有Infineon英飞凌晶闸管模块代理商

    或使流过晶闸管的正向电流小于维持电流。可关断晶闸管克服了上述缺陷，当控制极G加上正脉冲电压时晶闸管导通，当控制极G加上负脉冲电压时晶闸管关断。可关断晶闸管是理想的高电压、大电流开关器件。例如，DG系列大功率叮关断晶闸管高电压可达4500v、大电流可达3000A。怎样检测晶闸管晶闸管可用万用表电阻挡进行检测，下面分别介绍不同类型晶闸管的检测方法。(1)检测单向晶闸管首先将万用表置于“RX10Ω”挡，黑表笔（表内电池正极，接控制极G，红表笔接阴极K，如图4-57所示，这时测量的是PN结的正向电阻，应有较小的阻值。对调两表笔后测其反向电阻，应比正向电阻明显大一些。黑表笔仍接控制极G，红表笔改接至阳极A，阻值应为无穷大，如图4-58所示。对凋两表笔后冉测，阻值仍应为无穷大。这是因为G、A间为两个PN结反向串联，正常情况下正、反向电阻均为无穷大。接着检测导通特性，将万用表置于“RX1Ω”挡，黑表笔接阳极A，红表笔接阴极K，表针指示应为无穷大。用螺钉旋具等金属物将控制极G与阳极A短接一下（短接后即断开），表针应向右偏转并保持在十几欧姆处，如图4-59所示。否则说明该品闸管已损坏。(2)检测双向晶闸管检测时，万用表置于“RX1Ω”挡。 云南哪里有Infineon英飞凌晶闸管模块代理商晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于反向阻断状态。

    用两表笔测量控制极G与主电极T1间的正、反向电阻，均应为较小阻值，如图4-60所示。用两表笔测量控制极G与主电极T2间的正、反向电阻，均应为无穷大，如图4-61所示。检测双向晶闸管导通特性时，万用表仍置于“RX1Ω”挡，黑表笔接主电极T1，红表笔接主电极T2，表针指示应为无穷大。将控制极G与主电极T2短接一下，表针应向右偏转并保持在十几欧姆处，如图4-62所示。含则说明该双向晶闸管已损坏。(3)检测可关断晶闸管检测时，将万用表置于“RXlΩ”挡，黑表笔接阳极A，红表笔接阴极K，表针指示应为阻值无穷大。用一节，电池负极串联一只100Ω左右的限流电阻接在可关断晶闸管的阴极K上。当用电池正极触碰一下控制极G后，万用表表针应右偏指示品闸管导通，如图4-63所示。然后调换电池极行，改为电池正极串联一只100Ω左右的限流电阻接在可关断晶闸管的限极K上，用电池负极触碰一下控制极G后，用万用表表针应向左返回至阻值无穷大，指示晶闸管已关断。否则说明可关断晶闸管已损坏。

    图简单地给出了晶闸管开通和关断过程的电压与电流波形。图中开通过程描述的是晶闸管门极在坐标原点时刻开始受到理想阶跃触发电流触发的情况；而关断过程描述的是对已导通的晶闸管，在外电路所施加的电压在某一时刻突然由正向变为反向的情况（如图中点划线波形）。开通过程晶闸管的开通过程就是载流子不断扩散的过程。对于晶闸管的开通过程主要关注的是晶闸管的开通时间t。由于晶闸管内部的正反馈过程以及外电路电感的限制，晶闸管受到触发后，其阳极电流只能逐渐上升。从门极触发电流上升到额定值的10%开始，到阳极电流上升到稳态值的10%（对于阻性负载相当于阳极电压降到额定值的90%），这段时间称为触发延迟时间t。阳极电流从10%上升到稳态值的90%所需要的时间（对于阻性负载相当于阳极电压由90%降到10%）称为上升时间t，开通时间t定义为两者之和，即t=t+t通常晶闸管的开通时间与触发脉冲的上升时间，脉冲峰值以及加在晶闸管两极之间的正向电压有关。[1]关断过程处于导通状态的晶闸管当外加电压突然由正向变为反向时，由于外电路电感的存在，其阳极电流在衰减时存在过渡过程。阳极电流将逐步衰减到零，并在反方向流过反向恢复电流，经过大值I后，再反方向衰减。同时。 晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。

    在恢复电流快速衰减时，由于外电路电感的作用，会在晶闸管两端引起反向的尖峰电压U。从正向电流降为零，到反向恢复电流衰减至接近于零的时间，就是晶闸管的反向阻断恢复时间t。[1]反向恢复过程结束后，由于载流子复合过程比较慢，晶闸管要恢复其对反向电压的阻断能力还需要一段时间，这叫做反向阻断恢复时间tgr。在反向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重新正向导通，而不受门极电流控制而导通。所以在实际应用中，需对晶闸管施加足够长时间的反压，使晶闸管充分恢复其对正向电压的阻断能力，电路才能可靠工作。晶闸管的电路换向关断时间t定义为t与t之和，即t=t+t除了开通时间t、关断时间t及触发电流IGT外，本文比较关注的晶闸管的其它主要参数包括：断态（反向）重复峰值电压U（U）：是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向（反向）峰值电压。通常取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压。通态平均电流I：国际规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为40℃和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的大工频正弦半波电流的平均值。这也是标称其额定电流的参数。 普通晶闸管是一种半可控大功率半导体器件，出现于70年代。江西哪里有Infineon英飞凌晶闸管模块厂家供应

晶闸管的作用也越来越全。云南哪里有Infineon英飞凌晶闸管模块代理商

    通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。晶闸管晶体闸流管（英语：Thyristor），简称晶闸管，指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。早出现与主要的一种是硅控整流器（SiliconControlledRectifier，SCR），中国大陆通常简称可控硅，又称半导体控制整流器，是一种具有三个PN结的功率型半导体器件，为一代半导体电力电子器件。晶闸管的特点是具有可控的单向导电，即与一般的二极管相比，可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流（电压）控制大电流（电压）作用，并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点，用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。发展历史/晶闸管编辑半导体的出现成为20世纪现代物理学其中一项重大的突破，标志着电子技术的诞生。而由于不同领域的实际需要，促使半导体器件自此分别向两个分支快速发展，其中一个分支即是以集成电路为的微电子器件，特点为小功率、集成化，作为信息的检出、传送和处理的工具；而另一类就是电力电子器件，特点为大功率、快速化。1955年，美国通用电气公司研发了世界上一个以硅单晶为半导体整流材料的硅整流器（SR）。 云南哪里有Infineon英飞凌晶闸管模块代理商