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向pn结施加反向偏置电压会导致耗尽区变宽。这在光电二极管应用的背景下有两个有益的影响。首先，如上一篇文章所述，较宽的耗尽区会使光电二极管更敏感。因此，当您想要产生与照度相关的更多输出信号时，光电导模式是一个不错的选择。其次，较宽的耗尽区会降低光电二极管的结电容。在上面所示的电路中，反馈电阻和结电容（以及其他电容源）的存在限制了系统的闭环带宽。与基本的RC低通滤波器一样，减小电容会增加截止频率。因此，光电导模式允许更宽的带宽，并且当您需要化检测器响应照度快速变化的能力时更可取。反向偏压还扩展了光电二极管的线性工作范围。如果您担心在高照度下保持测量，您可以使用光电导模式，然后根据您的系统要求选择反向偏置电压。但请记住，更多的反向偏压也会增加暗电流。成都滨松光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。重庆高精度光电生产厂家

雪崩二极管与PIN光电二极管有何区别PIN:光敏面接收对应波长的光照时，产生光生电流；雪崩光电二极管（APD）：除了和PIN相同部分外，多了一个雪崩增益区，光生电流会被放大，放大的倍数称为雪崩增益系数。当然同时也会产生噪声电流。PIN光电二极管、雪崩光电二极管均属于半导体光电探测器，所使用的材料一样，光谱响应范围也一样。PIN光电二极管优点在于响应度高响应速度快，频带也较宽工作电压低，偏置电路简单在反偏压下可承受较高的反向电压，所以线性输出范围宽不足之处在于I层电阻很大管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。所以PIN光电二极管通常接有前置放大器。广州滨松光电管深圳全波段光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

光电晶体管是一种将光信号转换成电信号的器件，它的结构类似于双极晶体管，但是在其基区和发射区之间添加了一个光敏材料层。当光照射到光敏材料层时，会产生电子-空穴对，从而引起基区电流的变化。光电晶体管广泛应用于光电测量、光电控制、光电开关等领域。光电阻是一种能够将光信号转换成电阻变化的器件，它的结构类似于普通电阻，但是在其表面涂覆了一层光敏材料。当光照射到光敏材料上时，会改变其电导率，从而产生电阻变化。光电阻广泛应用于光电测量、光电控制、光电开关等领域。唯样,商城自建高效智能仓储，拥有自营库存超100,000种。

为了在千兆赫兹区域获得特别高的检测带宽，需要使用先进的光电二极管设计。例如，一些器件在薄的吸收部分周围包含一个光学谐振器。通过这种方式，人们可以实现有效的吸收，从而获得高的量子效率，尽管本征区的厚度相当小，这是为减少漂移时间所选择的。所谓的波导光电二极管包含一个光波导，它将光沿着其路径限制在吸收区。然后，该区域可以再次非常薄，尽管如此，人们可以在很短的长度内获得有效的吸收。通过限度地减少有源区的长度，我们也可以限度地减少电容量，并达到一个非常高的带宽。在某些情况下，电极结构被制作成形成一个电波导，其中电波可以与光波导中的光波平行传播。这种行波光电二极管的带宽可以达到远远超过100GHz。西安跨阻光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

雪崩光电二极管操作可以完全在耗尽模式下完成。但是，除了线性雪崩模式之外，它们还可以在盖革模式下工作。在这种工作模式下，光电二极管可以在上述击穿电压下工作。目前正在推出另一种模式，即“亚盖革模式”。在光纤通信(OFC)系统中，雪崩光电二极管通常用于弱信号的识别，但电路需要进行足够的优化以实现高信噪比(S/N)。这里，SNR是为了获得完美的信噪比，量子效率应该很高，因为这个值几乎是最大值，所以大部分信号都被注意到了。雪崩光电二极管是高度灵敏、基于高速的二极管，它通过施加反向电压来工作的内部增益方法。与PIN型光电二极管相比，这些二极管测量低范围光，因此用于需要高灵敏度不同的应用中，如光距离测量和远距离光通信。成都电流电压转换光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。西安皮安光电发射管

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光伏模式的优点是暗电流的减少。在普通二极管中，施加反向偏置电压会增加反向电流，因为反向偏置会降低扩散电流但不会降低漂移电流，而且还会因为泄漏。同样的事情发生在光电二极管中，但反向电流称为暗电流。更高的反向偏置电压会导致更多的暗电流，因此通过使用运算放大器将光电二极管保持在大约零偏置，我们实际上消除了暗电流。因此，光伏模式适用于需要化低照度性能的应用。光电二极管电路中的光电导模式要将上述检测器电路切换到光电导模式，我们将光电二极管的阳极连接到负电压电源而不是接地。阴极仍为0V，但阳极电压低于0V；因此，光电二极管是反向偏置的。重庆高精度光电生产厂家