规格书WILLSEMI韦尔SPD91071W

WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升压转换器

产品描述：

     WD3133是一款高效率、高功率的峰值电流模式升压转换器。内部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET，至小电流限制为1A。对于使用锂离子电池的便携式设备，WD3133可以从3.3V~5V的输入电压输出典型的12V/200mA~300mA。这款升压转换器WD3133采用脉冲宽度调制（PWM）模式，固定开关频率为1.2MHz，以减少输出纹波并提高转换效率。它还允许使用小型外部组件。在轻负载电流下，转换器进入跳过模式，以在绝大部分的负载电流范围内保持高效率。内置的软启动电路可以至小化启动时的涌入电流。WD3133采用SOT-23-5L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性：

宽输入电压范围：2.7V至5.5V1.25V（±2%）

高精度参考电压1.2MHz开关频率

高达93%的效率

超过1A（至小值）的功率开关电流限制

从3.3V~5V的输入提供典型的12V/200mA~300mA输出

内置软启动

应用领域：

智能手机

平板电脑

便携式游戏机

平板电脑（PADs）

      WD3133是专为便携式设备设计的高效升压转换器，1.2MHz开关频率和宽输入电压范围使其适用于多种场景，如智能手机、平板电脑和游戏机等。其软启动电路和电流限制功能增强了安全性和可靠性，是电源管理的理想选择。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 WL2836E09-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装：SOT-23-5L。规格书WILLSEMI韦尔SPD91071W

WAS4729QB：低导通电阻（0.8Ω）双SPDT模拟开关，具有负摆幅音频功能

产品描述：

    WAS4729QB是一款高性能的双单极双掷（SPDT）模拟开关，具有负摆幅音频功能，其典型导通电阻Ron为0.8Ω（在3.6VVCC下）。该开关在2.3V至5.5V的宽VCC范围内工作，并设计为先断后通的操作模式。选择输入与TTL电平兼容。WAS4729QB还配备了智能电路，即使在控制电压低于VCC电源电压时，也能至小化VCC泄漏电流。这一特性非常适合移动手机应用，因为它允许直接与基带处理器的通用I/O接口，同时极大限度地减少电池消耗。换句话说，在实际应用中，无需额外的设备来将控制电平调整到与VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性

供电电压：2.3V~5.5V

极低导通电阻：0.8Ω（在3.6V下）

高关断隔离度：-81dB@1KHz

串扰抑制：-83dB@1KHz-3dB带宽：80MHz

轨到轨信号范围

先断后通开关

HBM JEDEC：JESD22-A114IO至GND：±8KV

电源至GND：±5KV

应用领域

手机、PDA、数码相机和笔记本电脑

LCD显示器、电视和机顶盒

音频和视频信号路由

     WAS4729QB是高性能模拟开关，专为移动设备设计，适合音频和视频信号路由，性能优越可靠。详情请查阅数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WNMD2154AWS3222D-8/TR 功率电子开关 封装：WDFN-8-EP(2x2)。

WNM2016A：N沟道增强型MOSFET场效应晶体管

产品描述：

WNM2016A它采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2016A为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元

· 设计出色的ON电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· DC/DC转换器

· 电源转换器

· 电路便携式设备的负载/电源开关      

      WNM2016A是一款高性能的N沟道MOSFET，专为现代电子设备中的高效能量转换和开关应用而设计。其独特的沟槽技术和高密度单元设计提供了优越的电气性能，包括低RDS(ON)和低栅极电荷，从而实现高效能量转换和减少热量损失。此外，极低的阈值电压和SOT-23小型封装使其成为便携式设备中的理想选择，因为它既能够提供强大的性能，又能够节省空间。无论是DC/DC转换器、电源转换器电路，还是便携式设备的负载/电源开关，WNM2016A都是一个出色的选择，能够确保设备的稳定运行和高效能量管理。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。

ESDA6V8AV6静电放电（ESD）保护的瞬态电压抑制器

产品描述：

    ESDA6V8AV6是一款五线路的ESD瞬态电压抑制器，为可能受到静电放电（ESD）影响的敏感电子组件提供了极高的保护水平。对于正瞬态，这些设备将电压钳制在逻辑电平供电之上；对于负瞬态，则钳制在低于地的二极管压降。ESDA6V8AV6能够安全地消散±20kV的ESD冲击，超过了IEC61000-4-2国际标准的至高上限要求。使用MILSTD-883（方法3015）中的人体模型（HBM）ESD规格，该设备为大于±16kV的接触放电提供了保护。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封装，工作电压为5伏特。

规格特性：

· 工作峰值反向电压：5V

· 低漏电流：<1uA@3V

· 高ESD保护水平：每HBM>20kV

· IEC61000-4-2四级ESD保护

· IEC61000-4-4四级EFT保护

· 五种单独的单向配置

机械特性：

· 无空洞、转移模制、热固性塑料外壳

· 耐腐蚀表面，易于焊接

应用领域：

· 手机和配件

· 个人数字助理（PDA）

· 笔记本电脑、台式机和服务器

· 便携式仪器

· 数码相机

· 外设MP3播放器

     ESDA6V8AV6是五线路ESD保护器，保护电子组件免受静电放电影响。具有强ESD保护和低漏电流，能承受±20kV冲击。符合电磁兼容性标准，适用于手机、笔记本等便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 WS72412S-8/TR 运算放大器 封装：SOIC-8。

WPM1481：单P沟道、-12V、-5.1A功率MOSFET

产品描述：

    WPM1481是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1481为无铅产品。小型DFN2*2-6L封装。

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 适用于更高的直流电流

· 极低的阈值电压

应用领域：

· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器

· DC-DC转换电路

· 电源开关

· 负载开关

· 充电应用  

     WPM1481是一款高性能的P沟道功率MOSFET，专为高电流应用而设计。其出色的RDS(ON)和极低的阈值电压使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。同时，其小型DFN2*2-6L封装使得它在空间受限的应用中也能发挥出色。WPM1481作为无铅产品，还符合环保要求。无论是用于驱动继电器、电磁阀、电机还是LED，WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD5B5VL-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOD-523。中文资料WILLSEMI韦尔WS4621C

ESD9D5U-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOD-923。规格书WILLSEMI韦尔SPD91071W

      WPM1483是一个单P沟道、-12V、-5A的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用了先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1483为无铅、无卤素。

特性：

沟槽技术

超高密度单元设计

优异的ON电阻，适用于更高的直流电流

极低的阈值电压

小型SOT-23封装

应用：

继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器

DC-DC转换器电路

电源开关

负载开关

充电应用

    WPM1483是一款P沟道功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具有低RDS(ON)和低栅极电荷，适用于高效、高可靠性电力管理应用。可承受-5A直流电流，极低阈值电压降低功耗。小型SOT-23封装，无铅无卤素，环保且易于集成。适用于DC-DC转换、电源开关，驱动继电器、电机等应用。详情查阅手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔SPD91071W