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影响光电二极管系统的主要非理想情况称为暗电流，因为即使没有照明，电流也会流过光电二极管。流过二极管的总电流是暗电流和光电流的总和。如果这些强度产生的光电流大小与暗电流的大小相似，则暗电流将限制系统准确测量低光强度的能力。这种运算放大器电路称为跨阻放大器(TIA)。它专门用于将电流信号转换为电压信号，电流电压比由反馈电阻RF的值决定。运算放大器的同相输入端接地，如果我们应用虚拟短路假设，我们知道反相输入端将始终处于大约0V。因此，光电二极管的阴极和阳极都保持在0V。我不相信“光伏”是这种基于运算放大器的实现的完全准确的名称。我不认为光电二极管的功能类似于通过光伏效应产生电压的太阳能电池。但是“光伏”是公认的术语，不管我喜不喜欢。“零偏置模式”更好，我认为，因为我们可以在光伏或光电导模式下使用相同的TIA和光电二极管，因此没有反向偏置电压是显着的区别因素。深圳微安光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。皮安光电批发公司

光电耦合器按作用方式可分为两类：一类是通过对发射光和接受光的作用来实现信号的转换；另一类的作用是直接把电能转换成光了（称为全向开关）。（1）半导体光电转换器：包括红外探测器及相应的调制解调系统。红外线探测器用来感受周围环境的热量，并将此信息转化为相应频率的无线电波发送出去；调制解调系统则是根据所收到的无线电台发出的指令来进行解码还原成原来的文字内容再传送给使用者。（2）全方向性发射器/收发两用器：这是一种集成的多功能仪器，它可以发出可见光也可吸收不可见的紫外线或其他射线并将其转化成可利用的能源。重庆高速光电采集卡全波段光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

光电晶体管是一种将光信号转换成电信号的器件，它的结构类似于双极晶体管，但是在其基区和发射区之间添加了一个光敏材料层。当光照射到光敏材料层时，会产生电子-空穴对，从而引起基区电流的变化。光电晶体管广泛应用于光电测量、光电控制、光电开关等领域。光电阻是一种能够将光信号转换成电阻变化的器件，它的结构类似于普通电阻，但是在其表面涂覆了一层光敏材料。当光照射到光敏材料上时，会改变其电导率，从而产生电阻变化。光电阻广泛应用于光电测量、光电控制、光电开关等领域。唯样,商城自建高效智能仓储，拥有自营库存超100,000种。

向pn结施加反向偏置电压会导致耗尽区变宽。这在光电二极管应用的背景下有两个有益的影响。首先，如上一篇文章所述，较宽的耗尽区会使光电二极管更敏感。因此，当您想要产生与照度相关的更多输出信号时，光电导模式是一个不错的选择。其次，较宽的耗尽区会降低光电二极管的结电容。在上面所示的电路中，反馈电阻和结电容（以及其他电容源）的存在限制了系统的闭环带宽。与基本的RC低通滤波器一样，减小电容会增加截止频率。因此，光电导模式允许更宽的带宽，并且当您需要化检测器响应照度快速变化的能力时更可取。反向偏压还扩展了光电二极管的线性工作范围。如果您担心在高照度下保持测量，您可以使用光电导模式，然后根据您的系统要求选择反向偏置电压。但请记住，更多的反向偏压也会增加暗电流。纳安光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

雪崩二极管的结构可分为两大类：单漂移区雪崩二极管和双漂移区雪崩二极管。单漂移区雪崩二极管的结构有PN、PIN、PNN(或NPP)、PNIN(或NPIP)、MNN。其中PNN结构工艺简单,在适中的电流密度下能获得较大的负阻，且频带较宽，因此在工业中应用较多。双漂移区雪崩二极管是1970年以后出现的，其结构为PPNN，实质上相当于两个互补单漂移区雪崩二极管的串联，从而有效地利用了电子和空穴漂移空间，因此输出功率和效率均较高。制造雪崩二极管的材料主要是硅和砷化镓。雪崩二极管具有功率大、效率高等优点。它是固体微波源，特别是毫米波发射源的主要功率器件，泛地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中。其主要缺点是噪声较大。四川紫外光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。皮安光电批发公司

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光伏模式的优点是暗电流的减少。在普通二极管中，施加反向偏置电压会增加反向电流，因为反向偏置会降低扩散电流但不会降低漂移电流，而且还会因为泄漏。同样的事情发生在光电二极管中，但反向电流称为暗电流。更高的反向偏置电压会导致更多的暗电流，因此通过使用运算放大器将光电二极管保持在大约零偏置，我们实际上消除了暗电流。因此，光伏模式适用于需要化低照度性能的应用。光电二极管电路中的光电导模式要将上述检测器电路切换到光电导模式，我们将光电二极管的阳极连接到负电压电源而不是接地。阴极仍为0V，但阳极电压低于0V；因此，光电二极管是反向偏置的。皮安光电批发公司