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    晶闸管晶体闸流管简称为品闸管，也叫做可控硅，是一种具有三个PN结的功率型半导体器件。因为它可以像闸门一样控制电流，所以称之为“晶体闸流管”。晶体闸流管是常用的功率型半导体控制器件之一，具有的用途。如图4-42所尔为部分常见晶体闸流管。晶体闸流管种类和规格很多，适用于各种不同的场合。根据控制特性的不同，晶体闸流管可分为单向晶闸管、双向晶闸管、可关断晶闸管、正向阻断晶闸管、反向阻断晶闸管、光控晶闸管等。根据电流容量的不同，晶体闸流管可分为小功率管、功率管和大功率管。根据关断速度的不同，晶体闸流管可分为普通晶闸管和高频晶闸管（工作频率>lOkHz）。根据封装和外观形式的不同，晶体闸流管可分为塑封式、陶瓷封装式、金属壳封装式、大功率螺栓式和平板式等。双向晶闸管是在单向晶闸管的基础之上开发出来的，是一种交流型功率控制器件。双向品闸管不仅能够取代两个反向并联的单向晶闸管，而且只需要一个触发电路，使用很方便。可关断晶闸管也称为门控晶闸管，是在普通晶闸管基础上发展起来的功率型控制器件。怎样识别晶闸管晶体闸流管的文字符号为“VS”，图形符号如图4-43所示。国产晶体闸流管的型号见表4-3。 晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。浙江代理Infineon英飞凌晶闸管联系方式

    高可承受电流上升率di/dt为20kA/us。门极可承受触发电流大值为2000A，触发电流上升率di/dt大为1000A/us。但是此种开关所能承受的反向电压较低，因此还只能在特定的脉冲电源中使用。[1]但晶闸管本身存在两个制约其继续发展的重要因素。一是控制功能上的欠缺，普通的晶闸管属于半控型器件，通过门极（控制极）只能控制其开通而不能控制其关断，导通后控制极即不再起作用，要关断必须切断电源，即令流过晶闸管的正向电流小于维持电流。由于晶闸管的关断不可控的特性，必须另外配以由电感、电容及辅助开关器件等组成的强迫换流电路，从而使装置体积增大，成本增加，而且系统更为复杂、可靠性降低。二是因为此类器件立足于分立元件结构，开通损耗大，工作频率难以提高，限制了其应用范围。1970年代末，随着可关断晶闸管（GTO）日趋成熟，成功克服了普通晶闸管的缺陷，标志着电力电子器件已经从半控型器件发展到全控型器件。 安徽代理Infineon英飞凌晶闸管销售晶闸管对过电压很敏感，当正向电压超过其断态重复峰值电压UDRM一定值时晶闸管就会误导通，引发电路故障。

    通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。晶闸管晶体闸流管（英语：Thyristor），简称晶闸管，指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。早出现与主要的一种是硅控整流器（SiliconControlledRectifier，SCR），中国大陆通常简称可控硅，又称半导体控制整流器，是一种具有三个PN结的功率型半导体器件，为一代半导体电力电子器件。晶闸管的特点是具有可控的单向导电，即与一般的二极管相比，可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流（电压）控制大电流（电压）作用，并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点，用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。发展历史/晶闸管编辑半导体的出现成为20世纪现代物理学其中一项重大的突破，标志着电子技术的诞生。而由于不同领域的实际需要，促使半导体器件自此分别向两个分支快速发展，其中一个分支即是以集成电路为的微电子器件，特点为小功率、集成化，作为信息的检出、传送和处理的工具；而另一类就是电力电子器件，特点为大功率、快速化。1955年，美国通用电气公司研发了世界上一个以硅单晶为半导体整流材料的硅整流器（SR）。

    晶闸管是具有高耐压容量与大电流容量的器件。国内外主要制作的大功率晶闸管都是应用在高压直流输电中。所制造出的大功率晶闸管，大直径可达6英寸，单阀片耐压值高可达11KV，的通流能力高可达4500A。在该领域比较的有瑞士的ABB以及国内的株洲南车时代。[1]为提高晶闸管的通流能力、开通速度、di/dt承受能力，国外在普通晶闸管的基础上研制出了两种新型的晶闸管：门极关断晶闸管GTO以及集成门极换流晶闸管IGCT。这两种器件都已经在国外投入实际使用。其中GTO的单片耐压可达，工况下通流能力可达4kA，而目前研制出的在电力系统中使用的IGCT的高耐压可达10kV，通流能力可达。[1]针对脉冲功率电源中应用的晶闸管，国内还没有厂家在这方面进行研究，在国际上具有技术的是瑞士ABB公司。他们针对脉冲功率电源用大功率晶闸管进行了十数年的研究。目前采用的较成熟的器件为GTO，其直径为英寸，单片耐压为，通常3个阀片串联工作。可以承受的电流峰值为120kA/90us，电流上升率di/dt高可承受。门极可承受触发电流大值为800A，触发电流上升率di/dt大为400A/us。其新研制出的IGCT拥有更好的性能，其直径为英寸，单阀片耐压值也是。大通流能力已经可以达到180kA30us。 晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频（快速）晶闸管。

    光控晶闸管又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号来代替电信号对器件进行触发。光控晶闸管的伏安特性和普通晶闸管一样，只是随着光照信号变强其正向转折电压逐渐变低。[1]中文名光控晶闸管外文名LightTriggeredThyristor简称LTT别称光触发晶闸管特点以光信号代替电信号进行触发导通学科电子技术目录1简述2结构3工作原理4特性光控晶闸管简述编辑光控晶闸管又称光触发晶闸管，它是一种以光信号代替电信号来进行触发导通的特殊触发型晶闸管，其伏安特性曲线与普通晶闸管完全一样，只是触发方式不同。而由于它采用光信号触发，避免了主回路对控制回路的干扰，适用于要求信号源与主回路高度绝缘的大功率高压装置，如高压直流输电装置、高压核聚变装置等。[2]光控晶闸管是利用一定波长的光照信号控制的开关器件，其结构也是由四层半导体(PNPN)构成。小功率光控晶闸管只有两个电极(阳极A和阴极K)，而大功率光控晶闸管除阳极和阴极之外，还带有光缆，光缆上装有发光二极管或半导体激光器作为触发光源。光控晶闸管结构编辑光控晶闸管也称GK型光开关管，是一种光敏器件。通常晶闸管有3个电极，控制极G、阳极A和阴极K。由于图1光控晶闸管光控晶闸管的控制信号来自光的照射。 晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和。北京哪里有Infineon英飞凌晶闸管厂家供应

晶闸管的主要参数有反向最大电压，是指门极开路时，允许加在阳极、阴极之间的比较大反向电压。浙江代理Infineon英飞凌晶闸管联系方式

    1]维持电流I：是指晶闸管维持导通所必需的小电流，一般为几十到几百毫安。IH与结温有关，结温越高，则I越小。擎住电流I：是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的小电流。对同一晶闸管来说，通常I约为I的2～4倍。[1]浪涌电流I：浪涌电流是指由于电路异常情况引起的使结温超过额定结温的不重复性大正向过载电流。断态电压临界上升率du/dt：是指在额定结温、门极开路的情况下，不能使晶闸管从断态到通态转换的外加电压大上升率。通态电流临界上升率di/dt：指在规定条件下，晶闸管能承受的大通态电流上升率。如果di/dt过大，在晶闸管刚开通时会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸管损坏。[1]触发技术晶闸管触发电路的作用是产生符合要求的门极触发脉冲，使得晶闸管在需要时正常开通。晶闸管触发电路必须满足以下几点要求：①触发脉冲的宽度应足够宽使得晶闸管可靠导通；②触发脉冲应有足够的幅度，对一些温度较低的场合，脉冲电流的幅度应增大为器件大触发电流的3～5倍，脉冲的陡度也需要增加，一般需达1～2A/μs；③所提供的触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额，且在门极伏安特性的可靠触发区域之内。 浙江代理Infineon英飞凌晶闸管联系方式