规格书WILLSEMI韦尔WS742133

ESD9B5VL：单线双向瞬态电压抑制器

产品描述

     ESD9B5VL是一个双向瞬态电压抑制器（TVS）。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件，免受由静电放电（ESD）、电气快速瞬态（EFT）和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准，ESD9B5VL可用于提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并可根据IEC61000-4-5标准承受高达3A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD9B5VL采用FBP-02C封装。标准产品为无铅和无卤素。

产品特性

· 反向截止电压：±5VMax

· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路

· 瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）

· 根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：20A（5/50ns）

· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：3A（8/20μs）

· 电容：CJ=5.0pFtyp

· 低泄漏电流：IR<1nAtyp

· 低箝位电压：VCL=13Vtyp.@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用领域

· 手机

· 平板电脑

· 笔记本电脑

· 其他便携式设备

· 网络通信设备    

    ESD9B5VL是高效的瞬态电压抑制器，保护电子设备免受静电放电等瞬态事件影响。适用于手机、平板等便携式设备，保护敏感电子组件。高保护能力、低泄漏和低箝位电压，稳定可靠。详情请查阅数据手册或联系我们。 ESD63011N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。规格书WILLSEMI韦尔WS742133

ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器

产品描述：

     ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器（TVS）阵列，专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件，免受静电放电（ESD）引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD73034D可用于提供高达±10kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。

产品特性

截止电压：±3.3VMax

根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±10kV（接触放电）

根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：40A（5/50ns）

根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：5.5A（8/20μs）

极低电容：CJ=0.2pFtyp

低漏电流

低箝位电压：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

固态硅技术

应用领域

USB3.0和USB3.1

HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

便携式电子设备

笔记本电脑

     ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，保护敏感元件免受静电放电损害，适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备，紧凑且环保。详情查阅数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WL2863DWMM7027ATHD1-4/TR MEMS麦克风（硅麦） 封装：SMD-4P,1.9x2.8mm。

WD3139：高效38V升压型白色LED驱动器

产品描述

     WD3139是一款恒定电流、高效率的LED驱动器。其内部MOSFET可以驱动高达10个串联的白色LED，电流限制为1.2A，过压保护为38V。可以将脉冲宽度调制（PWM）信号应用于EN引脚以实现LED调光。该设备以1MHz的固定开关频率运行，以减少输出纹波、提高转换效率，并允许使用小型外部组件。

   封装与环保信息：WD3139采用TSOT-23-6L封装，标准产品为无铅和无卤素。

产品特性：

输入电压范围：2.7~5.5V

开路LED保护：38V（典型值）

参考电压：200mV（±5%）

开关频率：1MHz（典型值）

效率：高达92%

主开关电流限制：1.2A（典型值）

PWM调光频率：5KHz至200KHzPWM

调光占空比：0.5%~100%

应用领域：

智能手机

平板电脑

便携式游戏机

    WD3139是一款专为串联白色LED设计的高效驱动器。提供1.2A电流限制和38V过压保护，确保LED稳定安全。支持PWM调光，1MHz开关频率提升转换效率并减少输出纹波。适用于智能手机、平板等便携设备的LED背光或指示灯。小巧封装且环保，是理想选择。详情请查阅数据手册或联系我们。

    WNM2020是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计，以在低栅极电荷下提供出色的RDS（ON）。这款器件非常适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2020是无铅且无卤素的。

    WNM2020是一款高性能的N沟道MOS场效应晶体管，专为高效率的电源管理应用而设计。其采用的先进沟槽技术使得该晶体管在导通状态下具有很低的电阻（RDS（ON）），从而减少了功率损耗并提高了整体效率。同时，低栅极电荷使得该晶体管能够快速响应栅极驱动信号，进一步提高了开关速度。这款晶体管非常适合用于DC-DC转换器，其中高效率的电源开关是至关重要的。

    此外，它还可以用于各种充电电路，如电池充电器和太阳能充电器，以确保能量的有效转换和利用。作为一款标准产品，WNM2020不仅具有出色的电性能，还符合环保要求，不含有铅和卤素等有害物质。这使得它在各种环保法规日益严格的市场中具有广的适用性。总之，WNM2020是一款高性能、高效率且环保的N沟道增强型MOS场效应晶体管，非常适合用于各种电源管理和充电应用。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 RB521S30-2/TR 肖特基二极管 封装：SOD-523。

    ESD5311X是一款极低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，免受由静电放电（ESD）引起的过应力影响。ESD5311X包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD5311X可提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准，能承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封装，为标准无铅且无卤素产品。

主要特性：

截止电压：5V

根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电）

根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：4A（8/20μs）

极低电容：CJ=0.25pF（典型值）

极低漏电流：IR<1nA（典型值）

低钳位电压：VCL=22V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固态硅技术

应用领域：

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便携式电子设备

笔记本电脑

    ESD5311X是一款专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，可承受高达±20kV的静电放电和4A的峰值脉冲电流，保护电子组件免受损害。适用于USB、HDMI、SATA等接口，确保数据传输的稳定性。紧凑、环保，广泛应用于便携式设备和笔记本电脑。如需更多信息，请查阅手册或联系我们。 WL2803E18-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装：SOT-23-5L。规格书WILLSEMI韦尔WNM3602A

WNM3013-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-723。规格书WILLSEMI韦尔WS742133

WL2815低功耗CMOSLDO（低压差线性稳压器）

产品描述：

     WL2815系列是一款低压差线性稳压器，专为电池供电系统提供高性能解决方案，以实现低静态电流。这些器件为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列设计用于使用低成本陶瓷电容器，确保输出电流的稳定性，提高效率，从而延长这些便携式设备的电池寿命。WL2815稳压器采用DFN1x1-4L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性：

静态电流：1.5μA（典型值）

输入电压：2.1V~5.5V

输出电压：1.1V~3.3V

输出电流：@VOUT=3.3V时为300mA

输出电流：@VOUT=2.0V时为200mA

输出电流：@VOUT=1.5V时为150mA

压差电压：@100mA时为100mV

推荐电容器：1uF或更大

工作温度：-40°C至+85°C

输出短路保护

应用领域：

MP3/MP4播放器

手机

蓝牙耳机

无线鼠标

其他电子设备

    WL2815是专为便携式设备设计的低功耗CMOS稳压器，性能优异，低静态电流，高效能，延长电池寿命。优化设计，使用低成本陶瓷电容器，在多种应用中提供稳定输出。适用于MP3/MP4播放器、手机、蓝牙耳机等。紧凑封装，符合环保标准，是现代电子设备的理想选择。详情查阅数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WS742133