ESD5305F:四通道单向低电容瞬态电压抑制器
产品描述:ESD5305F是一款专为保护高速数据接口设计的低电容瞬态电压抑制器(TVS)阵列。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受由静电放电(ESD)引起的过应力影响。ESD5305F结合了四对低电容转向二极管和一个TVS二极管,以提供各方面的瞬态保护。封装与环保信息:ESD5305F采用SOT23-6L封装,满足无铅和无卤素环保要求。
产品特性:
反向截止电压:5V
根据IEC61000-4-2标准,每条线路提供±30kV(接触放电)的ESD保护
根据IEC61000-4-5标准,可承受高达6A(8/20μs)的峰值脉冲电流
低电容:CI/O-GND=0.65pF(典型值,Vcc=浮动状态);CI/O-GND=0.35pF(典型值,Vcc=5V)
极低泄漏电流:IR<1nA(典型值)
低钳位电压:VCL=16.5V@IPP=16A(TLP)
采用固态硅技术
应用领域:
USB2.0
HDMI1.3
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便携式电子产品
笔记本电脑
关于ESD5305F 如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WS72552M-8/TR 运算放大器 封装:MSOP-8。规格书WILLSEMI韦尔WS4636C
WNM2021:单N沟道、20V、0.6A功率MOSFET
产品描述
WNM2021是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2021为无铅产品。小型SOT-323封装
产品特性:
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 出色的导通电阻
· 极低的阈值电压
应用领域:
· DC/DC转换器
· 电源转换器电路
· 便携式设备的负载/电源切换
WNM2021是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷。其先进的沟槽技术和高密度单元设计使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用中表现出色。极低的阈值电压和小型SOT-323封装使其成为便携式设备负载/电源切换的理想选择。此外,WNM2021作为无铅产品,符合环保要求。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔ESD56241D07ESD5641D12-3/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN-3L(2x2)。
WL2805N33-3/TR:高效且可靠的瞬态电压抑制器
WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬态电压抑制器,专为保护电子设备免受瞬态电压的侵害而设计。在现代电子设备中,由于雷电、静电放电和其他电气瞬态事件,电路中的敏感组件经常面临损坏的风险。而WL2805N33-3/TR的出现,为这些设备提供了可靠的防护。
这款抑制器具有出色的瞬态抑制能力和低漏电流特性,能够在瞬态事件发生时迅速响应,将电压限制在安全范围内,从而保护电路中的敏感组件免受损坏。
此外,WL2805N33-3/TR还具有低钳位电压和低电容值,确保了信号传输的准确性和稳定性。 其紧凑的封装设计使得它非常适合用于各种电子设备中,如通信设备、计算机、医疗设备和消费电子产品等。无论是对于工业应用还是日常消费应用,WL2805N33-3/TR都能提供优异的瞬态电压保护,确保设备的稳定运行和延长使用寿命。
安美斯科技作为专业的电子元器件代理分销商,致力于为客户提供优异的产品和服务。我们非常荣幸能为您推荐WL2805N33-3/TR这款瞬态电压抑制器,并愿意提供样品供您测试。如需了解更多信息或支持,请随时联系我们。
ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器
产品描述:
ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器(TVS)阵列,专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受静电放电(ESD)引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD73034D可用于提供高达±10kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性:
· 截止电压:±3.3VMax
· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路瞬态保护:±10kV(接触放电)
· 根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:40A(5/50ns)
· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:5.5A(8/20μs)
· 极低电容:CJ=0.2pFtyp
· 低漏电流低箝位电压:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域:
· USB3.0和USB3.1
· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,保护敏感元件免受静电放电损害。适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备。紧凑、环保。详情查阅数据手册或联系我们。 WS72042M-8/TR 运算放大器 封装:MSOP-8。
WNM2020是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计,以在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。这款器件非常适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2020是无铅且无卤素的。
WNM2020是一款高性能的N沟道MOS场效应晶体管,专为高效率的电源管理应用而设计。其采用的先进沟槽技术使得该晶体管在导通状态下具有很低的电阻(RDS(ON)),从而减少了功率损耗并提高了整体效率。同时,低栅极电荷使得该晶体管能够快速响应栅极驱动信号,进一步提高了开关速度。这款晶体管非常适合用于DC-DC转换器,其中高效率的电源开关是至关重要的。
此外,它还可以用于各种充电电路,如电池充电器和太阳能充电器,以确保能量的有效转换和利用。作为一款标准产品,WNM2020不仅具有出色的电性能,还符合环保要求,不含有铅和卤素等有害物质。这使得它在各种环保法规日益严格的市场中具有广的适用性。总之,WNM2020是一款高性能、高效率且环保的N沟道增强型MOS场效应晶体管,非常适合用于各种电源管理和充电应用。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD5Z5VL-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOD-523。代理分销商WILLSEMI韦尔WPM1481
WMM7037AT2-4/TR MEMS麦克风(硅麦)封装:LGA-4(3x3.8)。规格书WILLSEMI韦尔WS4636C
WL2803E系列是一种采用CMOS工艺制造的低压差线性稳压器,具有极低的压降、低静态电流和高电源抑制比(PSRR)等特点。在500mA的负载电流下,其压降只有130mV(典型值)。这使得它在需要高输出电流的消费者和网络应用中极具吸引力。
特性:
· 输入电压范围:2.5V至5.5V
· 输出电压范围:1.2V至3.3V,步长为0.1V
· 输出电流:500mAPSRR(电源抑制比):在1KHz时为65dB
· 压降电压:在IOUT=0.5A时为130mV
· 输出噪声:100uV
· 静态电流:典型值为150μA
此外,WL2803E系列还具备热关断(OTP)和电流限制功能,以确保在异常条件下芯片和电源系统的稳定性。同时,采用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。
应用:
· LCD电视
· 机顶盒(STB)
· 计算机、图形卡
· 网络通信设备
· 其他便携式电子设备
WL2803E系列CMOSLDO为现代电子设备提供稳定电源,具有极
低压降、低静态电流和高电源抑制比,有效减少电源噪声干扰。宽输出电压范围和微调技术满足各种应用需求,适用于LCD电视、机顶盒和计算机通信设备。紧凑封装和环保设计使其易于集成。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WS4636C
深圳安美斯科技有限公司在同行业领域中,一直处在一个不断锐意进取,不断制造创新的市场高度,多年以来致力于发展富有创新价值理念的产品标准,在广东省等地区的电子元器件中始终保持良好的商业口碑,成绩让我们喜悦,但不会让我们止步,残酷的市场磨炼了我们坚强不屈的意志,和谐温馨的工作环境,富有营养的公司土壤滋养着我们不断开拓创新,勇于进取的无限潜力,深圳安美斯科技供应携手大家一起走向共同辉煌的未来,回首过去,我们不会因为取得了一点点成绩而沾沾自喜,相反的是面对竞争越来越激烈的市场氛围,我们更要明确自己的不足,做好迎接新挑战的准备,要不畏困难,激流勇进,以一个更崭新的精神面貌迎接大家,共同走向辉煌回来!