代理分销商WILLSEMI韦尔WAS4729Q

ESD5341N：单线、单向、低电容瞬态电压抑制器

     ESD5341N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它被特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止由静电放电（ESD）引起的过度压力。ESD5341N包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5341N采用DFN1006-2L封装，为标准产品，无铅且不含卤素。

其主要特性包括：

· 截止电压：5V

· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电）

· 根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：40A（5/50ns）

· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：4A（8/20μs）

· 低电容：CJ=1.0pF（典型值）

· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位电压：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用领域包括：

· USB接口

· HDMI接口

· DVI

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

      ESD5341N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护，特别适用于需要高数据传输速率和严格ESD防护的应用。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系制造商。 ESD5431N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。代理分销商WILLSEMI韦尔WAS4729Q

ES9DN12BA瞬态电压抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到数据和传输线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性：DFN1006-2L封装：紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素：符合环保要求，适用于对无铅和无卤素有需求的场合。

特性：

· 截止电压：±12V。

· 按照IEC61000-4-2标准的ESD保护：±30kV（接触放电）

· 按照IEC61000-4-5标准的浪涌保护：5.5A（8/20μs）

· 典型电容：CJ=27pF

· 极低泄漏电流：IR=0.1nA

· 低钳位电压：在IPP=16A（TLP）时，VCL=20V。

· 固态硅技术：确保器件性能稳定和长寿命。

应用：

· 计算机及其外设：如键盘、鼠标、显示器等。

· 手机

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬态电压抑制器，专为保护敏感电子元件免受静电和电气瞬变的影响而设计。其优异的保护能力、紧凑的封装和环保特性使其成为各种电子设备制造商的理想选择。无论是计算机、手机还是便携式电子设备，ES9DN12BA都能提供强大的保护，确保设备的稳定性和可靠性。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔ESD5641D07WPM2341A-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23。

    WS4665是一个单通道负载开关，提供可配置的上升时间以极小化涌流。该设备包含一个N型MOSFET，可以在0.8V至5.5V的输入电压范围内工作，并支持连续电流上线为6A。开关由开/关输入（ON）控制，该输入能够直接与低电压控制信号接口。在WS4665中，增加了一个230Ω的片上负载电阻，用于在开关关闭时进行快速输出放电。WS4665采用小型、节省空间的2.00mmx2.00mm8引脚DFN封装。标准产品为无铅且无卤素。

主要特性：

· 集成单通道负载开关

· 输入电压范围：0.8V至5.5V

· 极低导通电阻（RON）RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)

· 连续开关上限电流为6A

· 低控制输入阈值，支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V逻辑

· 可配置的上升时间

· 快速输出放电（QOD）

· ESD性能经过JESD22测试2000VHBM和1000VCDM

应用领域：

· 超极本TM

· 笔记本电脑/上网本

· 平板电脑

· 消费电子产品

· 机顶盒/住宅网关

· 电信系统

    WS4665适用于多种应用场合，如超极本、笔记本电脑/上网本、平板电脑、消费电子产品、机顶盒/住宅网关以及电信系统等。如需更多信息或技术规格，请查阅相关数据手册或与我们联系。

WAS4729QB：低导通电阻（0.8Ω）双SPDT模拟开关，具有负摆幅音频功能

产品描述：

    WAS4729QB是一款高性能的双单极双掷（SPDT）模拟开关，具有负摆幅音频功能，其典型导通电阻Ron为0.8Ω（在3.6VVCC下）。该开关在2.3V至5.5V的宽VCC范围内工作，并设计为先断后通的操作模式。选择输入与TTL电平兼容。WAS4729QB还配备了智能电路，即使在控制电压低于VCC电源电压时，也能至小化VCC泄漏电流。这一特性非常适合移动手机应用，因为它允许直接与基带处理器的通用I/O接口，同时极大限度地减少电池消耗。换句话说，在实际应用中，无需额外的设备来将控制电平调整到与VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性

供电电压：2.3V~5.5V

极低导通电阻：0.8Ω（在3.6V下）

高关断隔离度：-81dB@1KHz

串扰抑制：-83dB@1KHz-3dB带宽：80MHz

轨到轨信号范围

先断后通开关

HBM JEDEC：JESD22-A114IO至GND：±8KV

电源至GND：±5KV

应用领域

手机、PDA、数码相机和笔记本电脑

LCD显示器、电视和机顶盒

音频和视频信号路由

     WAS4729QB是高性能模拟开关，专为移动设备设计，适合音频和视频信号路由，性能优越可靠。详情请查阅数据手册或联系我们。 RB521S30-2/TR 肖特基二极管 封装：SOD-523。

ESD5301N：低电容单线单向瞬态电压抑制器

产品描述：

      ESD5301N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，免受由静电放电（ESD）引起的过度应力影响。

      包含一对低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。

      采用DFN1006-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性：

 1、截止电压：5V

 2、根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）

 3、 IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

 4、 IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

 5、低电容：CJ=0.4pFtyp.

 6、低漏电流：IR<1nAtyp.

 7、低钳位电压：VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)

 8、固态硅技术

应用领域：

 1、USB2.0和USB3.0

 2、HDMI1.3和HDMI1.4

 3、SATA和eSATA

 4、DVI

 5、IEEE1394

 6、PCIExpress

 7、便携式电子产品和笔记本电脑

安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5301N这款TVS，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或技术支持，请随时联系我们。 WNMD2171-4/TR 场效应管(MOSFET) 封装：CSP-4L。规格书WILLSEMI韦尔ESD5342N

ESD56031N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。代理分销商WILLSEMI韦尔WAS4729Q

WSB5546N-肖特基势垒二极管

特性：

· 低反向电流

· 0.2A平均整流正向电流

· 无铅和无卤素：WSB5546N是一款环保产品，不含铅和卤素。

· 快速开关和低正向电压降

· 反向阻断

应用：

· 电源管理

· 信号处理

· 电子设备保护

    总之，WSB5546N是一款具有低反向电流、0.2A平均整流正向电流以及无铅无卤素环保特性的肖特基势垒二极管。它为各种应用提供了高效、可靠且环保的解决方案WSB5546N是一款肖特基势垒二极管，具有一些明显的特点和优势。肖特基势垒二极管是一种特殊的二极管类型，它结合了肖特基二极管和势垒二极管的优点。肖特基二极管具有快速开关能力和低正向电压降，而势垒二极管则具有出色的反向阻断能力。因此，WSB5546N结合了这些特点，提供了一种高效、可靠且环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WAS4729Q

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