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WAS4729QB：低导通电阻（0.8Ω）双SPDT模拟开关，具有负摆幅音频功能

产品描述：

    WAS4729QB是一款高性能的双单极双掷（SPDT）模拟开关，具有负摆幅音频功能，其典型导通电阻Ron为0.8Ω（在3.6VVCC下）。该开关在2.3V至5.5V的宽VCC范围内工作，并设计为先断后通的操作模式。选择输入与TTL电平兼容。WAS4729QB还配备了智能电路，即使在控制电压低于VCC电源电压时，也能至小化VCC泄漏电流。这一特性非常适合移动手机应用，因为它允许直接与基带处理器的通用I/O接口，同时极大限度地减少电池消耗。换句话说，在实际应用中，无需额外的设备来将控制电平调整到与VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性

供电电压：2.3V~5.5V

极低导通电阻：0.8Ω（在3.6V下）

高关断隔离度：-81dB@1KHz

串扰抑制：-83dB@1KHz-3dB带宽：80MHz

轨到轨信号范围

先断后通开关

HBM JEDEC：JESD22-A114IO至GND：±8KV

电源至GND：±5KV

应用领域

手机、PDA、数码相机和笔记本电脑

LCD显示器、电视和机顶盒

音频和视频信号路由

     WAS4729QB是高性能模拟开关，专为移动设备设计，适合音频和视频信号路由，性能优越可靠。详情请查阅数据手册或联系我们。 WL2836D33-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装：UDFN-4-EP(1x1)。中文资料WILLSEMI韦尔WNMD2171

    ESD9X5VU是一种单向瞬态电压抑制器（TVS），专为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子组件提供高水平的保护。它被设计用于替代多层变阻器（MLV），并广泛应用于消费设备，如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、LCD电视等。

特性：

· 极低电容：CJ=0.5pFtyp

· 极低漏电流：IR<1nAtyp

· 低箝位电压：VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

· 根据IEC61000-4-2标准，每条线提供±20kV（接触和空气放电）的瞬态保护

· 根据IEC61000-4-4标准，提供40A（5/50ns）的EFT保护

· 根据IEC61000-4-5标准，可承受4A（8/20μs）的浪涌电流

应用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子产品

· 笔记本电脑

     ESD9X5VU采用了一对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。它为敏感电子组件提供了高水平的ESD保护，使其免受静电放电的损害。与传统的多层变阻器相比，ESD9X5VU具有更低的电容和漏电流，以及更低的箝位电压，从而提供了更好的性能。此外，其固态硅技术确保了高效、可靠的电源保护。无论是用于USB、HDMI、SATA还是其他接口，ESD9X5VU都能为现代电子设备提供坚实的ESD防护屏障。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WS4636CESD56151W04-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOD-323。

WSB5546N-肖特基势垒二极管

特性：

· 低反向电流

· 0.2A平均整流正向电流

· 无铅和无卤素：WSB5546N是一款环保产品，不含铅和卤素。

· 快速开关和低正向电压降

· 反向阻断

应用：

· 电源管理

· 信号处理

· 电子设备保护

    总之，WSB5546N是一款具有低反向电流、0.2A平均整流正向电流以及无铅无卤素环保特性的肖特基势垒二极管。它为各种应用提供了高效、可靠且环保的解决方案WSB5546N是一款肖特基势垒二极管，具有一些明显的特点和优势。肖特基势垒二极管是一种特殊的二极管类型，它结合了肖特基二极管和势垒二极管的优点。肖特基二极管具有快速开关能力和低正向电压降，而势垒二极管则具有出色的反向阻断能力。因此，WSB5546N结合了这些特点，提供了一种高效、可靠且环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。

ESD5341N：单线、单向、低电容瞬态电压抑制器

     ESD5341N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它被特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止由静电放电（ESD）引起的过度压力。ESD5341N包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5341N采用DFN1006-2L封装，为标准产品，无铅且不含卤素。

其主要特性包括：

· 截止电压：5V

· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电）

· 根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：40A（5/50ns）

· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：4A（8/20μs）

· 低电容：CJ=1.0pF（典型值）

· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位电压：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用领域包括：

· USB接口

· HDMI接口

· DVI

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

      ESD5341N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护，特别适用于需要高数据传输速率和严格ESD防护的应用。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系制造商。 ESD5302F-3/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOT-23。

     WNM6002是一种N型增强型MOS场效应晶体管，利用先进的沟槽和电荷控制设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于电源开关、负载开关和充电电路。标准产品WNM6002为无铅且不含卤素。小型SOT-323封装。

主要特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 适用于高直流电流的优异导通电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· 继电器、电磁铁、电机、LED等的驱动

· DC-DC转换器电路

· 电源开关

· 负载开关

· 充电电路

    WNM6002N型增强型MOS场效应晶体管是一种高性能、高效能的半导体器件，专为现代电子设备中的电源管理和开关应用而设计。其采用先进的沟槽技术和电荷控制设计，确保了出色的RDS(ON)和低栅极电荷，从而提供了高效的电流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度单元设计使其在高直流电流下仍能保持优异的导通电阻，确保了高效的能量转换和散热。同时，极低的阈值电压保证了快速的开关响应和稳定的性能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD9B5VL-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：FBP-02C。规格书WILLSEMI韦尔WCR1K2N65TG

ESD56051N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。中文资料WILLSEMI韦尔WNMD2171

WNMD2171双N沟道、20V、6.0A功率MOSFET

产品描述：

     WNMD2171是一款双N沟道增强型MOSFET场效应晶体管。这款MOSFET的特殊设计使得在电路板上连接其漏极变得不必要，因为MOSFET1和MOSFET2的漏极是内部连接的。该产品采用先进的沟槽技术和设计，提供了出色的导通电阻（RSS(ON)）和低栅极电荷。这款器件专为锂离子电池保护电路而设计。WNMD2171采用CSP-4L封装。标准产品WNMD2171是无铅和无卤素的。小型CSP4L封装。

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· 锂离子电池保护电路

       WNMD2171是一款采用先进技术的双N沟道MOSFET，特别适用于锂离子电池保护电路。其内部连接的漏极设计简化了电路布局，而优异的导通电阻和极低的阈值电压则提供了高效的电池管理。这款产品的小型CSP-4L封装使其成为空间受限应用中的理想选择。此外，其无铅和无卤素的特点也符合现代环保标准。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WNMD2171

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