WL2803E:极低压差、500mA、CMOSLDO(低压差线性稳压器
产品描述
WL2803E系列是一款具有极低压差、低静态电流和高电源抑制比(PSRR)的CMOSLDO。在500mA负载电流下,其压差电压典型值为130mV。由于采用CMOS结构,WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA,使其成为需要高输出电流的消费者和网络应用的理想选择。
WL2803E系列提供从1.2V到3.3V的宽输出电压范围版本,步长为0.1V。WL2803E系列还提供了过热保护(OTP)和限流功能,以确保在错误条件下芯片和电源系统的稳定性,并使用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。
封装与环保信息:WL2803E稳压器采用SOT-23-5L封装,并符合无铅和无卤素环保要求。
产品特性
输入电压:2.5V~5.5V
输出电压:1.2V~3.3V
输出电流:500mA
PSRR:65dB@1KHz
压差电压:130mV@IOUT=0.5A
输出噪声:100uV
静态电流:150μA(典型值)
应用领域
LCD电视
机顶盒(STB)
计算机和图形卡
网络通信设备
其他便携式电子设备
WL2803E是一款高性能LDO,压差低、PSRR高、静态电流低。适用于消费电子产品和网络应用,输出电压准确稳定。具备过热保护和限流功能,增强可靠性。您如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD5302N-3/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-3L。规格书WILLSEMI韦尔WPM2081
WNM2016A:N沟道增强型MOSFET场效应晶体管
产品描述:
WNM2016A它采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2016A为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。
产品特性:
· 沟槽技术
· 超高密度单元
· 设计出色的ON电阻
· 极低的阈值电压
应用领域:
· DC/DC转换器
· 电源转换器
· 电路便携式设备的负载/电源开关
WNM2016A是一款高性能的N沟道MOSFET,专为现代电子设备中的高效能量转换和开关应用而设计。其独特的沟槽技术和高密度单元设计提供了优越的电气性能,包括低RDS(ON)和低栅极电荷,从而实现高效能量转换和减少热量损失。此外,极低的阈值电压和SOT-23小型封装使其成为便携式设备中的理想选择,因为它既能够提供强大的性能,又能够节省空间。无论是DC/DC转换器、电源转换器电路,还是便携式设备的负载/电源开关,WNM2016A都是一个出色的选择,能够确保设备的稳定运行和高效能量管理。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔ESD56241D12WL2801E33-5/TR 线件稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5。
ESD5311Z单线、双向、极低电容瞬态电压抑制器
产品描述
ESD5311Z是一款极低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别针对连接到数据和传输线的敏感电子组件,以防止因静电放电(ESD)而产生的过应力。ESD5311Z包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD5311Z可用于提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性
截止电压:5V
每条线路根据IEC61000-4-2(ESD)标准进行瞬态保护:±20kV(接触放电)
根据IEC61000-4-4(EFT)标准进行瞬态保护:40A(5/50ns)
根据IEC61000-4-5(浪涌)标准进行瞬态保护:4A(8/20μs)
极低电容:CJ=0.25pF(典型值)
极低漏电流:IR<1nA(典型值)
低钳位电压:VCL=21V(典型值)@IPP=16A(TLP)
应用领域
USB2.0和USB3.0
HDMI1.3和HDMI1.4
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便携式电子设备
笔记本电脑
ESD5311Z专为高速数据接口设计,极低电容,出色保护,防止静电放电损害。适用于USB、HDMI等接口,保护敏感组件。紧凑封装,适合便携式设备。详情查阅手册或联系我们。
WL2801E系列是一款高精度、低噪声、高速、低压差CMOS线性稳压器,具有优异的纹波抑制能力。该系列为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了经济高效的新一代性能。其电流限制器的折回电路不止作为短路保护,还在输出引脚处作为输出电流限制器。
产品特点:
· 输入电压范围:2.7V至5.5V
· 输出电压范围:1.2V至3.3V
· 输出电流:在输出电压小于2V时,典型值为200mA;在输出电压大于2V时,典型值为300mA。
· 电源抑制比(PSRR):在217Hz时达到75dB
· 压差电压:在输出电流为200mA时,压差为170mV
· 静态电流:典型值为70μA
· 关断电流:小于0.1μA
· 推荐电容器:1uF
应用领域:
· MP3/MP4播放器
· 手机和无线电话
· 数码相机
· 蓝牙和无线手持设备
· 其他便携式电子设备
WL2801E系列以其高精度、低噪声和高效能的特点,为现代便携式设备提供了理想的电源管理解决方案。无论是手机、笔记本电脑还是MP3播放器,它都能确保设备在长时间使用中保持出色的性能和稳定的电力供应。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD9X12VD-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOD-923。
ESD5311X是一款极低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,免受由静电放电(ESD)引起的过应力影响。ESD5311X包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD5311X可提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准,能承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封装,为标准无铅且无卤素产品。
主要特性:
截止电压:5V
根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电)
根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:4A(8/20μs)
极低电容:CJ=0.25pF(典型值)
极低漏电流:IR<1nA(典型值)
低钳位电压:VCL=22V(典型值)@IPP=16A(TLP)
固态硅技术
应用领域:
USB2.0和USB3.0
HDMI1.3和HDMI1.4
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便携式电子设备
笔记本电脑
ESD5311X是一款专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,可承受高达±20kV的静电放电和4A的峰值脉冲电流,保护电子组件免受损害。适用于USB、HDMI、SATA等接口,确保数据传输的稳定性。紧凑、环保,广泛应用于便携式设备和笔记本电脑。如需更多信息,请查阅手册或联系我们。 ESD5341N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。中文资料WILLSEMI韦尔WL28341CA
WMM7037ATSN0-4/TR MEMS麦克风(硅麦)封装:LGA-4(3x3.8)。规格书WILLSEMI韦尔WPM2081
WAS3157B是一款高性能的单刀双掷(SPDT)CMOS模拟开关,专为总线切换或音频切换应用设计。它具备高达400MHz的-3dB带宽和低导通电阻(典型值为5.5Ω)。此外,其SEL引脚具有过压保护功能,允许引脚上的电压超过VCC,至高可达7.0V,而不会损坏部件或影响其操作,无论工作电压如何。WAS3157B还配备了智能电路,以至小化VCC泄漏电流,即使在SEL控制电压低于VCC电源电压时也是如此。简而言之,在实际应用中,无需额外的设备来使SEL电平与VCC电平保持一致。WAS3157B采用标准的SOT-363(SC-70-6L)封装,标准产品为无铅和无卤素。
特性:
· 电源电压:1.5~5.5V
· 导通电阻:在VCC=4.5V时为5.5Ω-3dB
· 带宽:在CL=5pF时为400MHz
· 断开隔离度:在10MHz时为-69dB
· 低静态电流:<1uA
· 先断后合功能ESD保护:HBM为±8000V,MM为±600V
应用领域:
· 手机
· MID(移动互联网设备)
· 其他便携式设备
WAS3157B是一款功能强大且易于集成的模拟开关解决方案,适用于需要高效、可靠的切换功能的各种便携式设备。其优异的性能和多种保护功能使其成为现代电子设备中的理想选择。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WPM2081
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